[發明專利]一種LED芯片制備方法及其LED芯片有效
| 申請號： | 202011165500.2 | 申請日： | 2020-10-27 |
| 公開（公告）號： | CN112366254B | 公開（公告）日： | 2022-02-22 |
| 發明（設計）人： | 楊建國;卜浩禮;陳向東;楊天鵬;楊東;康建 | 申請（專利權）人： | 江西圓融光電科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00;H01L33/06;H01L33/12;C23C14/30;C23C14/02;C23C14/08;C23C16/50;C23C16/30;C23C14/18 |
| 代理公司： | 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205 | 代理人： | 朱穎;劉芳 |
| 地址： | 337000 江西省*** | 國省代碼： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 led 芯片 制備 方法 及其 | ||
1.一種LED芯片制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
在P型外延層的上表面生長過渡層，所述P型外延層的上表面包括第一區域和第二區域，其中，所述第二區域用于生長電流阻擋層；
清除所述第二區域的過渡層；
所述過渡層的材料選自金屬氧化物；
所述金屬氧化物選自氧化銦錫、氧化鋅和氧化鋁的一種或多種；
采用電子束蒸發法生長所述過渡層；
所述電子束蒸發法的蒸發溫度為250-360℃；
所述電子束蒸發法分為三段式蒸發；
其中，第一段的蒸發速度為0.01-0.05nm/s，蒸發時間為100-200s；第二段的蒸發速度為0.05-0.1nm/s，蒸發時間為500-1000s；第三段的蒸發速度為0.1-0.15nm/s，蒸發時間為240-3000s；且第三段的蒸發速度大于第二段的蒸發速度，第二段的蒸發速度大于第一段的蒸發速度。
2.根據權利要求1所述的LED芯片制備方法，其特征在于，還包括：
在所述第一區域的過渡層的上表面和所述第二區域的P型外延層的上表面生長電流阻擋層；
清除所述第一區域的過渡層以及所述過渡層上表面的電流阻擋層。
3.根據權利要求1或2所述的LED芯片制備方法，其特征在于，所述過渡層的厚度為50-500nm。
4.根據權利要求2所述的LED芯片制備方法，其特征在于，所述生長電流阻擋層的射頻功率為15-100W。
5.一種LED芯片，其特征在于，所述LED芯片采用如權利要求1-4中任一所述的LED芯片制備方法制得。
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