[發(fā)明專利]測試結(jié)構(gòu)的制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011164356.0
• 申請(qǐng)日: 2020-10-27
• 公開（公告）號(hào): CN112185838B
• 公開（公告）日: 2022-08-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張連寶;陳宏;王卉;曹子貴
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/66
• 分類號(hào): H01L21/66;H01L23/544
• 代理公司: 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 曹廷廷

1.一種測試結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述測試結(jié)構(gòu)的制造方法包括：

提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底包括高壓區(qū)、低壓區(qū)和冗余區(qū)，所述高壓區(qū)和低壓區(qū)沿水平方向依次排列，所述冗余區(qū)圍繞所述高壓區(qū)和所述低壓區(qū)設(shè)置；

在所述半導(dǎo)體襯底上依次形成第一柵介質(zhì)層和圖形化的光刻膠層，所述圖形化的光刻膠層中具有貫通的開口，所述開口暴露出所述低壓區(qū)及部分所述冗余區(qū)的所述第一柵介質(zhì)層，其中，所述開口包括位于所述冗余區(qū)的第一開口和位于所述低壓區(qū)的第二開口，所述第一開口與所述第二開口相間隔或者連通，所述第一開口在所述水平方向上的截面呈環(huán)形，并暴露出所述冗余區(qū)的部分所述第一柵介質(zhì)層，所述第二開口在所述水平方向上的截面呈方形，并暴露出所述低壓區(qū)的部分所述第一柵介質(zhì)層；

以所述圖形化的光刻膠層為掩膜，刻蝕暴露出的所述第一柵介質(zhì)層，以暴露出所述低壓區(qū)和部分所述冗余區(qū)的所述半導(dǎo)體襯底，并使高壓區(qū)的部分圖形化的光刻膠層剝落以暴露出部分高壓區(qū)的第一柵介質(zhì)層，并刻蝕所述高壓區(qū)的第一柵介質(zhì)層；

去除所述圖形化的光刻膠層，暴露出剩余的所述第一柵介質(zhì)層；

形成依次層疊的第二柵介質(zhì)層和柵極層，所述第二柵介質(zhì)層覆蓋剩余的所述第一柵介質(zhì)層和暴露出的所述半導(dǎo)體襯底；

刻蝕所述柵極層、所述第二柵介質(zhì)層和所述第一柵介質(zhì)層，形成第一柵極結(jié)構(gòu)和第二柵極結(jié)構(gòu)，以形成測試結(jié)構(gòu)；其中，所述第一柵極結(jié)構(gòu)形成于所述高壓區(qū)的所述半導(dǎo)體襯底上，所述第二柵極結(jié)構(gòu)形成于所述低壓區(qū)的所述半導(dǎo)體襯底上。

2.如權(quán)利要求1所述的測試結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，在所述半導(dǎo)體襯底上依次形成第一柵介質(zhì)層和圖形化的光刻膠層之前，所述測試結(jié)構(gòu)的制造方法還包括：

在所述高壓區(qū)的所述半導(dǎo)體襯底中形成高壓區(qū)阱區(qū)。

3.如權(quán)利要求2所述的測試結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，在所述高壓區(qū)的所述半導(dǎo)體襯底中形成高壓區(qū)阱區(qū)的方法包括：

執(zhí)行第一離子注入，在所述高壓區(qū)的所述半導(dǎo)體襯底中形成第一導(dǎo)電類型的第一阱區(qū)；以及，

執(zhí)行第二離子注入，在所述高壓區(qū)的所述半導(dǎo)體襯底中形成第二導(dǎo)電類型的第二阱區(qū)，所述第二阱區(qū)形成于所述第一阱區(qū)上；其中，所述高壓區(qū)阱區(qū)包括所述第一阱區(qū)和所述第二阱區(qū)。

4.如權(quán)利要求3所述的測試結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體襯底中形成有多個(gè)淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)，所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)自所述半導(dǎo)體襯底表面延伸至所述半導(dǎo)體襯底中；所述第一阱區(qū)和所述第二阱區(qū)形成于相鄰的兩個(gè)所述淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)之間。

5.如權(quán)利要求1所述的測試結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，在所述第一柵介質(zhì)層上形成圖形化的光刻膠層之后，在以所述圖形化的光刻膠層為掩膜，刻蝕暴露出的所述第一柵介質(zhì)層之前，所述測試結(jié)構(gòu)的制造方法還包括：

在所述低壓區(qū)的所述半導(dǎo)體襯底中形成低壓區(qū)阱區(qū)。

6.如權(quán)利要求5所述的測試結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，在所述低壓區(qū)的所述半導(dǎo)體襯底中形成低壓區(qū)阱區(qū)的方法包括：

以所述圖形化的光刻膠層為掩膜，對(duì)所述低壓區(qū)的所述第一柵介質(zhì)層和所述半導(dǎo)體襯底執(zhí)行第三離子注入工藝，以在所述半導(dǎo)體襯底中形成第一導(dǎo)電類型的第三阱區(qū)；以及，

對(duì)所述低壓區(qū)的所述第一柵介質(zhì)層和所述半導(dǎo)體襯底執(zhí)行第四離子注入工藝，以在所述半導(dǎo)體襯底中形成第二導(dǎo)電類型的第四阱區(qū)，所述第四阱區(qū)形成于所述第三阱區(qū)上；其中，所述低壓區(qū)阱區(qū)包括所述第三阱區(qū)和所述第四阱區(qū)。

7.如權(quán)利要求1所述的測試結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，在形成所述第一柵極結(jié)構(gòu)和所述第二柵極結(jié)構(gòu)之后，所述測試結(jié)構(gòu)的制造方法還包括：

形成第一側(cè)墻和第二側(cè)墻，所述第一側(cè)墻覆蓋所述第一柵極結(jié)構(gòu)的側(cè)壁，所述第二側(cè)墻覆蓋所述第二柵極結(jié)構(gòu)的側(cè)壁。