[發(fā)明專利]顯示面板及其制備方法與顯示裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011164161.6 | 申請日: | 2020-10-27 |
| 公開(公告)號: | CN112310178B | 公開(公告)日: | 2022-05-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 蔡振飛 | 申請(專利權(quán))人: | 武漢華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/56 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570 | 代理人: | 遠(yuǎn)明 |
| 地址: | 430079 湖北省武漢市東湖新技術(shù)*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 顯示 面板 及其 制備 方法 顯示裝置 | ||
本申請公開了一種顯示面板及其制備方法與顯示裝置,所述顯示面板包括:基板;陣列功能層,配置于所述基板上;像素定義層,配置于所述陣列功能層上,包括形成于像素區(qū)的陣列排布的多個通孔,且在非像素區(qū),所述像素定義層的表面包括整面分布的多個凹槽;以及OLED器件層,包括公共功能層,所述公共功能層保形地形成于所述像素定義層上。通過設(shè)置所述凹槽,使得在所述像素定義層上的OLED器件層中,相鄰像素間公共功能層的傳導(dǎo)路徑得以延長,相當(dāng)于增大了電阻,使得相鄰像素間的漏電流減小,即可有效防止“像素偷亮”的現(xiàn)象發(fā)生。
技術(shù)領(lǐng)域
本申請涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種顯示面板及其制備方法與顯示裝置。
背景技術(shù)
OLED(Organic Light-Emitting Diode,有機(jī)發(fā)光二極管)顯示技術(shù),因其具有自發(fā)光、廣視角、高對比度、較低耗電、極高相應(yīng)速度,以及可應(yīng)用于柔性顯示的特點(diǎn),已成為目前最受追捧的顯示類型。
隨著OLED技術(shù)的逐步發(fā)展與成熟,客戶對OLED顯示面板的要求越來越高,例如,需求低灰階的亮度均一性達(dá)到80%以上,色度偏移在4個JNCD(Just Noticeable ColorDifference,衡量屏幕色彩準(zhǔn)確度的標(biāo)準(zhǔn))以下,但是由于顯示面板在低灰階時相鄰像素之間,由于OLED器件的公共功能層之間存在橫向的漏電流,導(dǎo)致在不該發(fā)光的像素中發(fā)生了輕微的發(fā)光,從而導(dǎo)致低灰階下的色偏和亮度不均一現(xiàn)象。還有另一個原因是由于OLED器件形成在像素定義層形成的像素孔中,當(dāng)光線從孔中發(fā)射出來時,會受到側(cè)壁的吸收和折射而損失,導(dǎo)致發(fā)光效率的降低,這個問題在低灰階下顯現(xiàn)的尤其明顯,由于低灰階下本身驅(qū)動電流較小,OLED發(fā)出的光通量就少,每個像素孔側(cè)壁吸收的光量也不同,所以損失也有差異,導(dǎo)致最終到達(dá)人眼的光量也有差異,最終導(dǎo)致畫面亮度的不均一。
發(fā)明內(nèi)容
為解決上述問題,第一方面,本發(fā)明提供一種顯示面板,所述顯示面板包括:
基板;
陣列功能層,配置于所述基板上;
像素定義層,配置于所述陣列功能層上,包括形成于像素區(qū)的陣列排布的多個通孔,且在非像素區(qū),所述像素定義層的表面包括整面分布的多個凹槽;以及
OLED器件層,包括公共功能層,所述公共功能層保形地形成于所述像素定義層上。
進(jìn)一步地,所述凹槽的深度為0-0.3微米。
進(jìn)一步地,所述多個凹槽呈矩陣排布。
進(jìn)一步地,所述OLED器件層包括陽極層,所述陽極層將所述像素定義層的所述通孔完全填充,且所述公共功能層位于所述陽極層上。
進(jìn)一步地,所述像素定義層的厚度小于1微米。
進(jìn)一步地,在所述陽極層上,由下至上還依次包括空穴傳輸層,發(fā)光層,電子傳輸層以及陰極層,其中,所述發(fā)光層配置于像素區(qū),所述空穴傳輸層,電子傳輸層以及陰極層配置于像素區(qū)與非像素區(qū)。
另一方面,本發(fā)明提供還一種顯示面板的制備方法,包括如下步驟:
S10:提供一基板,在所述基板上形成陣列功能層;
S20:在所述陣列功能層上形成像素定義層,包括形成于像素區(qū)的陣列排布的多個通孔,且在非像素區(qū),所述像素定義層的表面形成有整面均勻分布的多個凹槽;以及
S30:在所述像素定義層上形成OLED器件層。
進(jìn)一步地,在所述S20中,所述像素定義層表面的整面均勻分布的多個凹槽通過等離子體表面處理工藝或曝光蝕刻工藝形成。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





