[發明專利]顯示面板及其制備方法與顯示裝置有效
| 申請號: | 202011164161.6 | 申請日: | 2020-10-27 |
| 公開(公告)號: | CN112310178B | 公開(公告)日: | 2022-05-03 |
| 發明(設計)人: | 蔡振飛 | 申請(專利權)人: | 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/56 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570 | 代理人: | 遠明 |
| 地址: | 430079 湖北省武漢市東湖新技術*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 面板 及其 制備 方法 顯示裝置 | ||
1.一種顯示面板,其特征在于,所述顯示面板包括:
基板;
陣列功能層,配置于所述基板上;
像素定義層,配置于所述陣列功能層上,包括形成于像素區的陣列排布的多個通孔,且在非像素區,所述像素定義層的表面包括整面分布的多個凹槽;以及
OLED器件層,包括陽極層與位于所述陽極層上的公共功能層,所述陽極層將所述像素定義層的所述通孔完全填充,所述公共功能層保形地形成于所述像素定義層上。
2.如權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述凹槽的深度為0-0.3微米。
3.如權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述多個凹槽呈矩陣排布。
4.如權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述像素定義層的厚度小于1微米。
5.如權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,在所述OLED器件層中,在所述陽極層上,由下至上還依次包括空穴傳輸層,發光層,電子傳輸層以及陰極層,其中,所述發光層配置于像素區,所述空穴傳輸層,電子傳輸層以及陰極層配置于像素區與非像素區。
6.一種顯示面板的制備方法,其特征在于,包括如下步驟:
S10:提供一基板,在所述基板上形成陣列功能層;
S20:在所述陣列功能層上形成像素定義層,包括形成于像素區的陣列排布的多個通孔,且在非像素區,所述像素定義層的表面形成有整面均勻分布的多個凹槽;以及
S30:在所述像素定義層上形成OLED器件層,包括形成陽極層,所述陽極層將所述像素定義層的所述通孔完全填充。
7.如權利要求6所述的顯示面板的制備方法,其特征在于,在所述S20中,所述像素定義層表面的整面均勻分布的多個凹槽通過等離子體表面處理工藝或曝光蝕刻工藝形成。
8.如權利要求6所述的顯示面板的制備方法,其特征在于,在所述S30中,形成所述OLED器件層包括依次形成所述陽極層,空穴傳輸層,發光層,電子傳輸層以及陰極層,其中,所述陽極層的形成步驟為先在所述像素定義層上形成整面的膜層,再通過曝光蝕刻工藝,去除所述通孔以外區域的膜層。
9.一種顯示裝置,其特征在于,包括權利要求1-5任意一項所述的顯示面板。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





