[發明專利]半導體工藝設備及晶片的形變控制方法

有效

• 申請號: 202011163806.4
• 申請日: 2020-10-27
• 公開（公告）號: CN112359338B
• 公開（公告）日: 2023-04-14
• 發明（設計）人: 宋海洋
• 申請（專利權）人: 北京北方華創微電子裝備有限公司
• 主分類號: C23C14/54
• 分類號: C23C14/54;C23C14/34
• 代理公司: 北京薈英捷創知識產權代理事務所(普通合伙) 11726
• 代理人: 陳亞英

1.一種半導體工藝設備，其特征在于，包括反應腔(100)、第一管路(200)、第二管路(300)、晶片承載臺(400)、射頻裝置(500)、測距傳感器(600)和控制模塊，其中：

所述第一管路(200)和所述第二管路(300)均與所述反應腔(100)相連通，所述第一管路(200)用于通入第一氣體，所述第二管路(300)用于通入第二氣體，所述晶片承載臺(400)位于所述反應腔(100)內，所述晶片承載臺(400)的承載面開設有凹槽(410)，所述測距傳感器(600)設置于所述凹槽(410)內，所述測距傳感器(600)用于測量搭接于所述凹槽(410)槽口上的晶片(900)的形變量，所述晶片承載臺(400)與所述射頻裝置(500)電連接，所述控制模塊分別與所述測距傳感器(600)、所述射頻裝置(500)和所述第二管路(300)均控制相連；

所述控制模塊用于：從所述測距傳感器(600)獲得所述形變量，并根據所述形變量控制所述射頻裝置(500)輸出功率，以控制所述射頻裝置(500)對所述晶片承載臺(400)施加射頻偏壓；或者，根據所述形變量控制所述第二氣體和所述第一氣體的流量比值。

2.根據權利要求1所述的半導體工藝設備，其特征在于，所述測距傳感器(600)的外表面設置有屏蔽罩，所述屏蔽罩用于屏蔽所述射頻偏壓對所述測距傳感器(600)的干擾。

3.根據權利要求1所述的半導體工藝設備，其特征在于，所述測距傳感器(600)的數量為多個，多個所述測距傳感器(600)間隔設置于所述凹槽(410)內。

4.根據權利要求1所述的半導體工藝設備，其特征在于，所述凹槽(410)的底壁開設有安裝槽(420)，所述測距傳感器(600)位于所述安裝槽(420)內，所述測距傳感器(600)的頂面與所述凹槽(410)的槽底相平齊。

5.根據權利要求1所述的半導體工藝設備，其特征在于，所述控制模塊，具體用于：

若所述形變量大于第一預設閾值，則控制所述第二管路(300)通入第一預設流量的第二氣體，以使所述形變量位于預設的第一形變量范圍內；

若所述形變量小于第二預設閾值，則控制所述射頻裝置(500)輸出第一預設功率，以使所述形變量位于預設的第二形變量范圍內。

6.根據權利要求5所述的半導體工藝設備，其特征在于，所述控制模塊，具體用于：控制所述測距傳感器以預設測量時間間隔獲取所述形變量。

7.根據權利要求6所述的半導體工藝設備，其特征在于，所述控制模塊，具體用于：根據至少兩組所述形變量及其所對應的所述預設測量時間間隔獲得形變速率；

在所述形變速率大于第一預設形變速率的情況下，控制所述第二管路(300)通入第二預設流量的所述的第二氣體，所述第二預設流量大于所述第一預設流量；

在所述形變速率小于所述第一預設形變速率的情況下，控制所述第二管路(300)通入第三預設流量的所述第二氣體，所述第三預設流量小于所述第一預設流量。

8.根據權利要求6所述的半導體工藝設備，其特征在于，所述控制模塊，具體用于：根據至少兩組所述形變量及其所對應的所述預設測量時間獲得形變速率；

在所述形變速率大于第二預設形變速率的情況下，控制所述射頻裝置(500)的功率為第二預設功率，所述第二預設功率小于所述第一預設功率；

在所述形變速率小于所述第二預設形變速率的情況下，控制所述射頻裝置的功率為第三預設功率，所述第三預設功率大于所述第一預設功率。

9.根據權利要求1所述的半導體工藝設備，其特征在于，所述第一氣體為氬氣，所述第二氣體為氮氣。

10.一種晶片的形變控制方法，其特征在于，應用于權利要求1至9中任一項所述的半導體工藝設備，所述晶片的形變控制方法包括：

控制所述測距傳感器(600)測得所述晶片(900)的形變量；

若所述形變量大于第一預設閾值，則控制所述第二氣體和所述第一氣體的流量比值，以使所述形變量位于預設的第一形變量范圍內；

若所述形變量小于第二預設閾值，則控制所述射頻裝置(500)輸出功率，以使所述形變量位于預設的第二形變量范圍內。