[發(fā)明專利]半導(dǎo)體工藝設(shè)備及晶片的形變控制方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011163806.4
• 申請(qǐng)日: 2020-10-27
• 公開（公告）號(hào): CN112359338B
• 公開（公告）日: 2023-04-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 宋海洋
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司
• 主分類號(hào): C23C14/54
• 分類號(hào): C23C14/54;C23C14/34
• 代理公司: 北京薈英捷創(chuàng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11726
• 代理人: 陳亞英

本發(fā)明公開一種半導(dǎo)體工藝設(shè)備，包括反應(yīng)腔、第一管路、第二管路、晶片承載臺(tái)、射頻裝置、測(cè)距傳感器和控制模塊，其中：第一管路和第二管路均與反應(yīng)腔相連通，第二管路用于通入第二氣體，晶片承載臺(tái)位于反應(yīng)腔內(nèi)，晶片承載臺(tái)的承載面開設(shè)有凹槽，測(cè)距傳感器設(shè)置于凹槽內(nèi)，測(cè)距傳感器用于測(cè)量搭接于凹槽槽口上的晶片的形變量，晶片承載臺(tái)與射頻裝置電連接，控制模塊與測(cè)距傳感器控制相連；控制模塊用于：從測(cè)距傳感器獲得形變量，并根據(jù)形變量控制射頻裝置輸出功率，以控制射頻裝置對(duì)晶片承載臺(tái)施加射頻偏壓；或者，根據(jù)形變量控制第二氣體和第一氣體的流量比值。上述方案能夠解決晶片的良品率較低的問題。本發(fā)明還公開一種晶片的形變控制方法。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體芯片制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種半導(dǎo)體工藝設(shè)備及晶片的形變控制方法。

背景技術(shù)

物理氣相沉積技術(shù)在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域被廣泛應(yīng)用，該方法包括真空蒸鍍、濺射鍍膜、分子束外延等，其中，濺射鍍膜被廣泛應(yīng)用于金屬薄膜制程。濺射鍍膜的基本原理是在高真空的環(huán)境下，導(dǎo)入工藝氣體并在電極兩端加上電壓、使氣體產(chǎn)生輝光放電，此時(shí)等離子體中的正離子在強(qiáng)電場(chǎng)的作用下撞擊靶材，濺射出靶材金屬原子而沉積到晶片的表面。

然而，晶片在反應(yīng)腔內(nèi)進(jìn)行濺射鍍膜時(shí)，由于晶片表面沉積的粒子在生長(zhǎng)的過程中，晶粒之間擠壓容易產(chǎn)生應(yīng)力，從而使得晶片發(fā)生翹曲變形，當(dāng)晶片的變形量較大時(shí)，容易導(dǎo)致晶片發(fā)生碎片的風(fēng)險(xiǎn)，進(jìn)而使得晶片的良品率較低。此種現(xiàn)象在晶片的厚度減薄時(shí)尤為明顯。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明公開一種半導(dǎo)體工藝設(shè)備及晶片的形變控制方法，以解決晶片的良品率較低的問題。

為了解決上述問題，本發(fā)明采用下述技術(shù)方案：

一種半導(dǎo)體工藝設(shè)備，包括反應(yīng)腔、第一管路、第二管路、晶片承載臺(tái)、射頻裝置、測(cè)距傳感器和控制模塊，其中：

所述第一管路和所述第二管路均與所述反應(yīng)腔相連通，所述第一管路用于通入第一氣體，所述第二管路用于通入第二氣體，所述晶片承載臺(tái)位于所述反應(yīng)腔內(nèi)，所述晶片承載臺(tái)的承載面開設(shè)有凹槽，所述測(cè)距傳感器設(shè)置于所述凹槽內(nèi)，所述測(cè)距傳感器用于測(cè)量搭接于所述凹槽槽口上的晶片的形變量，所述晶片承載臺(tái)與所述射頻裝置電連接，所述控制模塊與所述測(cè)距傳感器控制相連；

所述控制模塊用于：從所述測(cè)距傳感器獲得所述形變量，并根據(jù)所述形變量控制所述射頻裝置輸出功率，以控制所述射頻裝置對(duì)所述晶片承載臺(tái)施加射頻偏壓；或者，根據(jù)所述形變量控制所述第二氣體和所述第一氣體的流量比值。

一種晶片的形變控制方法，應(yīng)用于上述的半導(dǎo)體工藝設(shè)備，所述晶片的形變控制方法包括：

控制所述測(cè)距傳感器測(cè)得所述晶片的形變量；

若所述形變量大于第一預(yù)設(shè)閾值，則控制所述第二氣體和所述第一氣體的流量比值，以使所述形變量位于預(yù)設(shè)的第一形變量范圍內(nèi)；

若所述形變量小于第二預(yù)設(shè)閾值，則控制所述射頻裝置輸出功率，以使所述形變量位于預(yù)設(shè)的第二形變量范圍內(nèi)。

本發(fā)明采用的技術(shù)方案能夠達(dá)到以下有益效果：