[發明專利]一種高壓LED芯片的深刻蝕方法

有效

• 申請號: 202011163378.5
• 申請日: 2020-10-27
• 公開（公告）號: CN112349818B
• 公開（公告）日: 2022-02-22
• 發明（設計）人: 黃斌斌;羅坤;李永同;李運軍;劉兆
• 申請（專利權）人: 江西乾照光電有限公司
• 主分類號: H01L33/08
• 分類號: H01L33/08;H01L33/06;H01L33/00
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 李曉光

本發明提供了一種高壓LED芯片的深刻蝕方法，采用兩次勻膠兩次曝光兩次顯影等操作之后，以具有所述預設角度斜面的正性光刻膠為掩膜，對所述高壓LED芯片的橋接處和所述切割道進行深刻蝕處理，以及以具有垂直面的負性光刻膠為掩膜，對所述高壓LED芯片的非橋接處同時進行深刻蝕處理。實現了一次深刻蝕出不同角度和不同線寬的隔離溝槽，以及在不改變切割道寬度的情況下實現全刻開處理，且具有一定的倒角，從而有效增加了高壓LED芯片的發光面積占比，增加芯片的出光效率以及COW無需設置特殊測試芯片。

技術領域

本發明涉及LED技術領域，更具體地說，涉及一種高壓LED芯片的深刻蝕方法。

背景技術

發光二極管(Light Emitting Diode，簡稱LED)是一種半導體發光器件，利用半導體P-N結電致發光原理能夠將電能轉化為光能，其具有體積小、功耗低和壽命長等優點，現已廣泛應用于各種場景照明、背光和車燈等領域。

隨著行業的不斷發展，一種新型的高壓(High Voltage，簡稱HV)LED芯片備受關注，與普通的LED相比，集成高壓LED能減小封裝成本，減少元件數和焊點數，可靠性較高，并且，其電流小，電壓高，無需大幅度的進行電壓轉換，變壓損耗小，驅動設計簡單，散熱要求低。

但是，目前高壓LED芯片的發光面積占比較低，導致其發光效率較低。

發明內容

有鑒于此，為解決上述問題，本發明提供一種高壓LED芯片的深刻蝕方法，技術方案如下：

一種高壓LED芯片的深刻蝕方法，所述深刻蝕方法包括：

提供一襯底，所述襯底上設置有外延層，所述外延層在第一方向上至少包括N型半導體層、多量子阱層和P型半導體層，所述第一方向垂直于所述襯底，且由所述襯底指向所述外延層；

基于高壓LED芯片的串聯級數要求，對所述外延層進行刻蝕，用于暴露出所述N型半導體層，并形成切割道和隔離溝槽；

在所述外延層背離所述襯底的一側旋涂正性光刻膠，并對所述正性光刻膠至少進行曝光、顯影和堅膜操作，以使所述正性光刻膠位于所述切割道和所述隔離溝槽的區域為具有預設角度的斜面，且暴露出部分所述切割道和部分所述隔離溝槽；

在所述正性光刻膠背離所述襯底的一側旋涂負性光刻膠，并對所述負性光刻膠至少進行曝光、顯影和堅膜操作，以使所述負性光刻膠位于所述高壓LED芯片非橋接處的區域為具有垂直面的溝槽，位于所述高壓LED芯片的橋接處和所述切割道的區域暴露出具有所述預設角度斜面的正性光刻膠；

以具有所述預設角度斜面的正性光刻膠為掩膜，對所述高壓LED芯片的橋接處和所述切割道進行深刻蝕處理，以及以具有垂直面的負性光刻膠為掩膜，對所述高壓LED芯片的非橋接處同時進行深刻蝕處理。

可選的，在上述深刻蝕方法中，所述正性光刻膠的厚度為10um-18um。

可選的，在上述深刻蝕方法中，所述深刻蝕方法還包括：

在對所述正性光刻膠進行曝光之前，對所述正性光刻膠進行軟烤處理；

其中，軟烤溫度為90℃-100℃，軟烤時間為100s-300s。

可選的，在上述深刻蝕方法中，對所述正性光刻膠的曝光量為270mj-400mj；

對所述正性光刻膠的顯影時間為20s-160s；

對所述正性光刻膠的堅膜溫度為100℃-140℃，堅膜時間為15min-40min。

可選的，在上述深刻蝕方法中，所述深刻蝕方法還包括：

在對所述負性光刻膠曝光之后，對所述負性光刻膠進行烘烤處理；