[發(fā)明專利]一種高壓LED芯片的深刻蝕方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011163378.5
• 申請日: 2020-10-27
• 公開（公告）號: CN112349818B
• 公開（公告）日: 2022-02-22
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 黃斌斌;羅坤;李永同;李運(yùn)軍;劉兆
• 申請（專利權(quán)）人: 江西乾照光電有限公司
• 主分類號: H01L33/08
• 分類號: H01L33/08;H01L33/06;H01L33/00
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 李曉光

1.一種高壓LED芯片的深刻蝕方法，其特征在于，所述深刻蝕方法包括：

提供一襯底，所述襯底上設(shè)置有外延層，所述外延層在第一方向上至少包括N型半導(dǎo)體層、多量子阱層和P型半導(dǎo)體層，所述第一方向垂直于所述襯底，且由所述襯底指向所述外延層；

基于高壓LED芯片的串聯(lián)級數(shù)要求，對所述外延層進(jìn)行刻蝕，用于暴露出所述N型半導(dǎo)體層，并形成切割道和隔離溝槽；

在所述外延層背離所述襯底的一側(cè)旋涂正性光刻膠，并對所述正性光刻膠至少進(jìn)行曝光、顯影和堅膜操作，以使所述正性光刻膠位于所述切割道和所述隔離溝槽的區(qū)域為具有預(yù)設(shè)角度的斜面，且暴露出部分所述切割道和部分所述隔離溝槽，所述預(yù)設(shè)角度為40°-60°，且所述外延層的厚度與所述預(yù)設(shè)角度具有映射關(guān)系；

在所述正性光刻膠背離所述襯底的一側(cè)旋涂負(fù)性光刻膠，并對所述負(fù)性光刻膠至少進(jìn)行曝光、顯影和堅膜操作，以使所述負(fù)性光刻膠位于所述高壓LED芯片非橋接處的區(qū)域為具有垂直面的溝槽，位于所述高壓LED芯片的橋接處和所述切割道的區(qū)域暴露出具有所述預(yù)設(shè)角度斜面的正性光刻膠；

以具有所述預(yù)設(shè)角度斜面的正性光刻膠為掩膜，對所述高壓LED芯片的橋接處和所述切割道進(jìn)行深刻蝕處理，以及以具有垂直面的負(fù)性光刻膠為掩膜，對所述高壓LED芯片的非橋接處同時進(jìn)行深刻蝕處理。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的深刻蝕方法，其特征在于，所述正性光刻膠的厚度為10um-18um。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的深刻蝕方法，其特征在于，所述深刻蝕方法還包括：

在對所述正性光刻膠進(jìn)行曝光之前，對所述正性光刻膠進(jìn)行軟烤處理；

其中，軟烤溫度為90℃-100℃，軟烤時間為100s-300s。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的深刻蝕方法，其特征在于，對所述正性光刻膠的曝光量為270mj-400mj；

對所述正性光刻膠的顯影時間為20s-160s；

對所述正性光刻膠的堅膜溫度為100℃-140℃，堅膜時間為15min-40min。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的深刻蝕方法，其特征在于，所述深刻蝕方法還包括：

在對所述負(fù)性光刻膠曝光之后，對所述負(fù)性光刻膠進(jìn)行烘烤處理；

其中，烘烤溫度為90℃-100℃，烘烤時間為100s-300s。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的深刻蝕方法，其特征在于，對所述負(fù)性光刻膠的曝光量為100mj-200mj；

對所述負(fù)性光刻膠的顯影時間為60s-100s。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的深刻蝕方法，其特征在于，在完成深刻蝕處理之后，所述高壓LED芯片橋接處的上底寬為15um-25um，下底寬為6um-12um。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的深刻蝕方法，其特征在于，在完成深刻蝕處理之后，所述高壓LED芯片非橋接處的上底寬為4um-6um，下底寬為4um-6um。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的深刻蝕方法，其特征在于，在完成深刻蝕處理之后，所述高壓LED芯片切割道的上底寬為10μm-16μm，下底寬為3μm-6μm。