[發明專利]切割帶及半導體部件的制造方法在審
| 申請號: | 202011162046.5 | 申請日: | 2020-10-27 |
| 公開(公告)號: | CN112736009A | 公開(公告)日: | 2021-04-30 |
| 發明(設計)人: | 鈴木佑奈;千嶋憲治;野村直宏 | 申請(專利權)人: | 藤森工業株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286 | 代理人: | 周爽;金玉蘭 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 切割 半導體 部件 制造 方法 | ||
本發明提供一種切割帶及半導體部件的制造方法。切割帶(10)具有切割帶主體(15)和保護切割帶主體(15)的保護層(16),切割帶主體(15)具有粘著劑層(11)和支撐粘著劑層(11)的第一基材膜(12),保護層(16)具有第二基材膜(14)和將第二基材膜(14)接合于第一基材膜(12)的粘合劑層(13)。
技術領域
本發明涉及切割帶及半導體部件的制造方法。
本申請基于2019年10月28日在日本申請的特愿2019-195485號主張優先權,并將其內容援引于此。
背景技術
切割帶用于半導體部件的制造工序。具體而言,如專利文獻1~3所記載,在將粘貼于切割帶上的半導體晶片切斷(切割)為半導體芯片后,將半導體芯片從切割帶剝離(拾取)。在專利文獻4所記載的切割固晶片的情況下,在片材上切割半導體晶片后,將半導體芯片與膜狀粘合劑一起從基材上的粘著劑層剝離(拾取)。
在日本特開2003-105292號公報中記載有在基材膜的一面具有光交聯型抗靜電粘著劑層的切割帶。
在日本特開2010-225753號公報中記載有在環剛度為預定的范圍內的基材膜上具有粘著劑層的切割帶。
在日本特開2010-251722號公報中記載有在紫外線透過性的基材膜上具有含有聚硫醇的紫外線固化型粘著劑層的切割帶。
在國際公開第2017/154619號中記載有在基材上具備粘著劑層和膜狀粘合劑的切割固晶片。
發明內容
技術問題
在切割帶上將半導體晶片切割后,在拾取半導體芯片時,進行通過紫外線照射等使粘著劑層的粘著力降低的工序、對切割帶沿長邊方向拉伸的工序(擴展)。另外,進行用銷從切割帶的背面(基材側)向上推的工序等。切割后的半導體芯片需要被保持在切割帶上經過上述預定的工序直到拾取為止。然而,如果在切割時切割帶發生劣化,則有時切割帶無法耐受擴展的張力而斷裂或半導體芯片會意外地從切割帶脫落。
本發明是鑒于上述情況而作出的,其課題在于提供一種能夠維持切割后的切割帶的強度的切割帶和半導體部件的制造方法。
技術方案
為了解決上述課題,本方式提供一種切割帶,其特征在于,上述切割帶具有切割帶主體和保護上述切割帶主體的保護層,上述切割帶主體具有粘著劑層和支撐上述粘著劑層的第一基材膜,上述保護層具有第二基材膜和將上述第二基材膜接合于上述第一基材膜的粘合劑層。
在本方式的切割帶中,也可以構成為上述粘著劑層能夠因照射能量射線而發生固化,從而使粘著力降低,上述第一基材膜、上述第二基材膜和上述粘合劑層能夠使上述能量射線透過,即使在照射上述能量射線后,上述粘合劑層也將上述第二基材膜接合于上述第一基材膜。
在本方式的切割帶中,也可以構成為上述切割帶的延伸率為80%以上,上述粘合劑層的延伸率比上述第一基材膜的延伸率大并且比上述第二基材膜的延伸率大。
在本方式的切割帶中,也可以構成為上述第一基材膜和上述第二基材膜包括選自聚酰亞胺(PI)樹脂、聚醚砜(PES)樹脂、聚苯硫醚(PPS)樹脂、聚醚醚酮(PEEK)樹脂、聚酰胺酰亞胺(PAI)樹脂、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)樹脂、環氧樹脂、氟樹脂的樹脂膜。
在本方式的切割帶中,也可以構成為在上述粘著劑層的與上述第一基材膜相反一側的粘著面具有剝離膜。
另外,本方式的半導體部件的制造方法的特征在于,上述半導體部件的制造方法至少包括:將粘貼有上述任意一種切割帶的半導體晶片切斷成半導體芯片的工序;以及將上述半導體芯片從上述切割帶剝離的工序。
技術效果
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





