[發明專利]切割帶及半導體部件的制造方法

在審

• 申請號: 202011162046.5
• 申請日: 2020-10-27
• 公開（公告）號: CN112736009A
• 公開（公告）日: 2021-04-30
• 發明（設計）人: 鈴木佑奈;千嶋憲治;野村直宏
• 申請（專利權）人: 藤森工業株式會社
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 周爽;金玉蘭

1.一種切割帶，其特征在于，所述切割帶具有切割帶主體和保護所述切割帶主體的保護層，所述切割帶主體具有粘著劑層和支撐所述粘著劑層的第一基材膜，

所述保護層具有第二基材膜和將所述第二基材膜接合于所述第一基材膜的粘合劑層。

2.根據權利要求1所述的切割帶，其特征在于，所述粘著劑層能夠因照射能量射線而發生固化，從而使粘著力降低，所述第一基材膜、所述第二基材膜和所述粘合劑層能夠使所述能量射線透過，即使在照射所述能量射線后，所述粘合劑層也將所述第二基材膜接合于所述第一基材膜。

3.根據權利要求1或2所述的切割帶，其特征在于，所述切割帶的延伸率為80％以上，所述粘合劑層的延伸率比所述第一基材膜的延伸率大并且比所述第二基材膜的延伸率大。

4.根據權利要求1或2所述的切割帶，其特征在于，所述第一基材膜和所述第二基材膜包括樹脂膜，所述樹脂膜包括聚酰亞胺樹脂、聚醚砜樹脂、聚苯硫醚樹脂、聚醚醚酮樹脂、聚酰胺酰亞胺樹脂、聚萘二甲酸乙二醇酯樹脂、環氧樹脂、氟樹脂中的任意樹脂。

5.根據權利要求3所述的切割帶，其特征在于，所述第一基材膜和所述第二基材膜包括樹脂膜，所述樹脂膜包括聚酰亞胺樹脂、聚醚砜樹脂、聚苯硫醚樹脂、聚醚醚酮樹脂、聚酰胺酰亞胺樹脂、聚萘二甲酸乙二醇酯樹脂、環氧樹脂、氟樹脂中的任意樹脂。

6.根據權利要求1或2所述的切割帶，其特征在于，所述切割帶在所述粘著劑層的與所述第一基材膜相反一側的粘著面具有剝離膜。

7.根據權利要求3所述的切割帶，其特征在于，所述切割帶在所述粘著劑層的與所述第一基材膜相反一側的粘著面具有剝離膜。

8.根據權利要求4所述的切割帶，其特征在于，所述切割帶在所述粘著劑層的與所述第一基材膜相反一側的粘著面具有剝離膜。

9.一種半導體部件的制造方法，其特征在于，至少包括：

將粘貼有權利要求1～8中任一項所述的切割帶的半導體晶片切斷成半導體芯片的工序；以及

將所述半導體芯片從所述切割帶剝離的工序。