[發明專利]一種自組裝釩修飾的NiSe/Ni3 在審
| 申請號: | 202011160489.0 | 申請日: | 2020-10-27 |
| 公開(公告)號: | CN112301374A | 公開(公告)日: | 2021-02-02 |
| 發明(設計)人: | 曹麗云;韓瑞雪;何丹陽;馮亮亮;黃劍鋒;黃青青 | 申請(專利權)人: | 陜西科技大學 |
| 主分類號: | C25B11/031 | 分類號: | C25B11/031;C25B11/091;C25B11/052;C25B1/04 |
| 代理公司: | 西安眾和至成知識產權代理事務所(普通合伙) 61249 | 代理人: | 艾慧康 |
| 地址: | 710021*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 組裝 修飾 nise ni base sub | ||
1.一種自組裝釩修飾的NiSe/Ni3Se2自支撐電極的合成方法,其特征在于,包括以下步驟:
1)取泡沫鎳清洗干燥后備用;
2)稱取質量為77.96~79.96mg的硒粉,并加入1.8~2.2ml的水合肼攪拌均勻,得到溶液A;
3)稱取質量為34.817~34.837mg的偏釩酸鈉和25~30mg的聚烯丙基胺鹽酸鹽;
4)在高溫高壓反應釜中加入18~22mL的超純水,再將步驟2)的溶液A和步驟3)的偏釩酸鈉和聚烯丙基胺鹽酸鹽加入高溫高壓反應釜中攪拌均勻,得到溶液B;
5)取步驟1)中220~225mg的泡沫鎳放入裝有溶液B的高溫高壓反應釜中,在175~185℃下反應10~15h,待反應結束后,自然冷卻至室溫取出泡沫鎳進行清洗干燥,即得到自組裝釩修飾的NiSe/Ni3Se2自支撐電極。
2.根據權利要求1所述的一種自組裝釩修飾的NiSe/Ni3Se2自支撐電極的合成方法,其特征在于,所述步驟1)中采用丙酮、鹽酸、去離子水和無水乙醇依次超聲清洗泡沫鎳,除去泡沫鎳表面的雜質和氧化層,洗滌至中性,并在常溫下干燥。
3.根據權利要求2所述的一種自組裝釩修飾的NiSe/Ni3Se2自支撐電極的合成方法,其特征在于,所述鹽酸濃度為2.8~3.2mol L-1,丙酮超聲處理時間為10~15min,鹽酸、去離子水和無水乙醇超聲處理時間各為5~10min。
4.根據權利要求1所述的一種自組裝釩修飾的NiSe/Ni3Se2自支撐電極的合成方法,其特征在于,所述步驟2)中攪拌為在45~55℃下磁力攪拌1~1.2h。
5.根據權利要求1所述的一種自組裝釩修飾的NiSe/Ni3Se2自支撐電極的合成方法,其特征在于,所述步驟4)中攪拌為在常溫下磁力攪拌。
6.根據權利要求1所述的一種自組裝釩修飾的NiSe/Ni3Se2自支撐電極的合成方法,其特征在于,所述高溫高壓反應釜包括對位聚苯內襯,所述步驟5)中控制高溫高壓反應釜的填充比為40%~48%。
7.根據權利要求1所述的一種自組裝釩修飾的NiSe/Ni3Se2自支撐電極的合成方法,其特征在于,所述步驟5)中反應后的泡沫鎳分別用超純水和無水乙醇反復沖洗多次后,進行真空干燥,干燥溫度為50~60℃,干燥時間為4~5h。
8.一種自組裝釩修飾的NiSe/Ni3Se2自支撐電極,其特征在于,采用權利要求1至7任一項所述的一種自組裝釩修飾的NiSe/Ni3Se2自支撐電極的合成方法制備得到。
9.根據權利要求8所述的一種自組裝釩修飾的NiSe/Ni3Se2自支撐電極,其特征在于,在1M KOH溶液中進行電解水,在100mA cm-2電流密度下的產氫過電勢為280~290mV,產氧過電勢為0.3~0.4mV。
10.一種如權利要求8或9所述的一種自組裝釩修飾的NiSe/Ni3Se2自支撐電極,應用于在堿性條件下的電解水反應。
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