[發(fā)明專利]一種多模式調(diào)制的柔性鈣鈦礦神經(jīng)突觸器件及其制備方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202011160333.2 | 申請(qǐng)日: | 2020-10-27 |
| 公開(公告)號(hào): | CN112349838A | 公開(公告)日: | 2021-02-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 陳琳;孟佳琳;王天宇;孫清清;張衛(wèi) | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 復(fù)旦大學(xué) |
| 主分類號(hào): | H01L51/05 | 分類號(hào): | H01L51/05;H01L51/30;H01L51/42;H01L51/46;G06N3/063 |
| 代理公司: | 北京得信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11511 | 代理人: | 孟海娟;阿蘇娜 |
| 地址: | 200433 *** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說(shuō)明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 模式 調(diào)制 柔性 鈣鈦礦 神經(jīng) 突觸 器件 及其 制備 方法 | ||
本發(fā)明公開一種多模式調(diào)制的柔性鈣鈦礦神經(jīng)突觸器件及其制備方法。該多模式調(diào)制的柔性鈣鈦礦神經(jīng)突觸器件包括:柔性襯底;底層電極,形成在所述柔性襯底上;功能層,其為鹵化物鈣鈦礦材料,形成在所述底層電極上;頂層電極,相互隔離分布在所述功能層上,以可見光源與電學(xué)脈沖作為多模式調(diào)節(jié)的不同信號(hào)源,利用鹵化物鈣鈦礦材料的離子效應(yīng),在電學(xué)刺激或者光學(xué)刺激的作用下,通過(guò)離子的移動(dòng)模擬神經(jīng)突觸特性,從而實(shí)現(xiàn)多重調(diào)制效果。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種多模式調(diào)制的柔性鈣鈦礦神經(jīng)突觸器件及其制備方法。
背景技術(shù)
傳統(tǒng)的馮諾依曼式計(jì)算構(gòu)架具有高功耗與效率低下的等問(wèn)題,而人腦在處理信息時(shí)具有高效與低功耗的特性。為了模擬類人腦計(jì)算,構(gòu)架神經(jīng)突觸型器件模擬生物體信息處理與計(jì)算的基本單元神經(jīng)元具有重要意義。
對(duì)于神經(jīng)突觸型電子器件,單一的電學(xué)調(diào)制無(wú)法實(shí)現(xiàn)復(fù)雜的突觸可塑性,同時(shí)限制了器件的工作環(huán)境。多模式調(diào)節(jié)逐漸被研究者采用,利用光電雙調(diào)制可更為靈活有效地實(shí)現(xiàn)神經(jīng)突觸可塑性模擬,在處理復(fù)雜信號(hào)時(shí)更有優(yōu)勢(shì),已成為新的發(fā)展浪潮。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明公開一種多模式調(diào)制的柔性鈣鈦礦神經(jīng)突觸器件,包括:柔性襯底;底層電極,形成在所述柔性襯底上;功能層,其為鹵化物鈣鈦礦材料,形成在所述底層電極上;頂層電極,相互隔離分布在所述功能層上,以可見光源與電學(xué)脈沖作為多模式調(diào)節(jié)的不同信號(hào)源,利用鹵化物鈣鈦礦材料的離子效應(yīng),在電學(xué)刺激或者光學(xué)刺激的作用下,通過(guò)離子的移動(dòng)模擬神經(jīng)突觸特性,從而實(shí)現(xiàn)多重調(diào)制效果。
本發(fā)明的多模式調(diào)制的柔性鈣鈦礦神經(jīng)突觸器件中,優(yōu)選為,所述柔性襯底PET、PI、PDMS或相片紙。
本發(fā)明的多模式調(diào)制的柔性鈣鈦礦神經(jīng)突觸器件中,優(yōu)選為,所述鹵化物鈣鈦礦材料為CH3NH3PbBr3、CH3NH3PbI3或CH3NH3PbCl3。
本發(fā)明的多模式調(diào)制的柔性鈣鈦礦神經(jīng)突觸器件中,優(yōu)選為,所述底層電極為Pt、Au、TiN、Al或ITO。
本發(fā)明的多模式調(diào)制的柔性鈣鈦礦神經(jīng)突觸器件中,優(yōu)選為,所述頂層電極為Al、Au、Ti或Ni。
本發(fā)明還公開一種多模式調(diào)制的柔性鈣鈦礦神經(jīng)突觸器件制備方法,包括以下步驟:在柔性襯底上形成底層電極;在所述底層電極上形成功能層,所述功能層為鹵化物鈣鈦礦材料;在所述功能層上形成相互隔離分布的頂層電極,以可見光源與電學(xué)脈沖作為多模式調(diào)節(jié)的不同信號(hào)源,利用鹵化物鈣鈦礦材料的離子效應(yīng),在電學(xué)刺激或者光學(xué)刺激的作用下,通過(guò)離子的移動(dòng)模擬神經(jīng)突觸特性,從而實(shí)現(xiàn)多重調(diào)制效果。
本發(fā)明的多模式調(diào)制的柔性鈣鈦礦神經(jīng)突觸器件制備方法中,優(yōu)選為,所述鹵化物鈣鈦礦材料為CH3NH3PbBr3、CH3NH3PbI3或CH3NH3PbCl3。
本發(fā)明的多模式調(diào)制的柔性鈣鈦礦神經(jīng)突觸器件制備方法中,優(yōu)選為,利用旋凃法形成所述功能層。
本發(fā)明的多模式調(diào)制的柔性鈣鈦礦神經(jīng)突觸器件制備方法中,優(yōu)選為,形成所述功能層的步驟,具體包括:在所述底層電極上滴涂鹵化物鈣鈦礦溶液,使其鋪滿底層電極;在手套箱中自然晾干,形成功能層。
附圖說(shuō)明
圖1是本發(fā)明的多模式調(diào)制的柔性鈣鈦礦神經(jīng)突觸器件制備方法的流程圖。
圖2~圖4是本發(fā)明的多模式調(diào)制的柔性鈣鈦礦神經(jīng)突觸器件制備方法各步驟的結(jié)構(gòu)示意圖。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于復(fù)旦大學(xué),未經(jīng)復(fù)旦大學(xué)許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202011160333.2/2.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機(jī)材料作有源部分或使用有機(jī)材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的;具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能,或者適用于通過(guò)這樣的輻射進(jìn)行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機(jī)發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇
- 發(fā)射電路裝置
- 基帶調(diào)制方法、系統(tǒng)和線性調(diào)制裝置
- 用于使用低階調(diào)制器來(lái)實(shí)施高階調(diào)制方案的方法和裝置
- 調(diào)制電路和方法
- 載波調(diào)制方法、調(diào)制裝置及調(diào)制系統(tǒng)
- 大功率交流傳動(dòng)系統(tǒng)的SVPWM同步調(diào)制過(guò)調(diào)制方法
- 調(diào)制符號(hào)間相位交錯(cuò)BPSK調(diào)制方法
- 無(wú)線調(diào)制信號(hào)調(diào)制質(zhì)量參數(shù)校準(zhǔn)設(shè)備
- 一種電機(jī)控制器的過(guò)調(diào)制方法及系統(tǒng)
- 在多調(diào)制支持通信系統(tǒng)中解調(diào)信息的方法





