[發明專利]一種多模式調制的柔性鈣鈦礦神經突觸器件及其制備方法

在審

• 申請號: 202011160333.2
• 申請日: 2020-10-27
• 公開（公告）號: CN112349838A
• 公開（公告）日: 2021-02-09
• 發明（設計）人: 陳琳;孟佳琳;王天宇;孫清清;張衛
• 申請（專利權）人: 復旦大學
• 主分類號: H01L51/05
• 分類號: H01L51/05;H01L51/30;H01L51/42;H01L51/46;G06N3/063
• 代理公司: 北京得信知識產權代理有限公司 11511
• 代理人: 孟海娟;阿蘇娜

1.一種多模式調制的柔性鈣鈦礦神經突觸器件，其特征在于，

包括：

柔性襯底；

底層電極，形成在所述柔性襯底上；

功能層，其為鹵化物鈣鈦礦材料，形成在所述底層電極上；

頂層電極，相互隔離分布在所述功能層上，

以可見光源與電學脈沖作為多模式調節的不同信號源，利用鹵化物鈣鈦礦材料的離子效應，在電學刺激或者光學刺激的作用下，通過離子的移動模擬神經突觸特性，從而實現多重調制效果。

2.根據權利要求1所述的多模式調制的柔性鈣鈦礦神經突觸器件，其特征在于，

所述柔性襯底PET、PI、PDMS或相片紙。

3.根據權利要求1所述的多模式調制的柔性鈣鈦礦神經突觸器件，其特征在于，

所述鹵化物鈣鈦礦材料為CH₃NH₃PbBr₃、CH₃NH₃PbI₃或CH₃NH₃PbCl₃。

4.根據權利要求1所述的多模式調制的柔性鈣鈦礦神經突觸器件，其特征在于，

所述底層電極為Pt、Au、TiN、Al或ITO。

5.根據權利要求1所述的多模式調制的柔性鈣鈦礦神經突觸器件，其特征在于，

所述頂層電極為Al、Au、Ti或Ni。

6.一種多模式調制的柔性鈣鈦礦神經突觸器件制備方法，其特征在于，

包括以下步驟：

在柔性襯底上形成底層電極；

在所述底層電極上形成功能層，所述功能層為鹵化物鈣鈦礦材料；

在所述功能層上形成相互隔離分布的頂層電極，

以可見光源與電學脈沖作為多模式調節的不同信號源，利用鹵化物鈣鈦礦材料的離子效應，在電學刺激或者光學刺激的作用下，通過離子的移動模擬神經突觸特性，從而實現多重調制效果。

7.根據權利要求6所述的多模式調制的柔性鈣鈦礦神經突觸器件制備方法，其特征在于，

所述鹵化物鈣鈦礦材料為CH₃NH₃PbBr₃、CH₃NH₃PbI₃或CH₃NH₃PbCl₃。

8.根據權利要求6所述的多模式調制的柔性鈣鈦礦神經突觸器件制備方法，其特征在于，

利用旋凃法形成所述功能層。

9.根據權利要求8所述的多模式調制的柔性鈣鈦礦神經突觸器件制備方法，其特征在于，

形成所述功能層的步驟，具體包括：

在所述底層電極上滴涂鹵化物鈣鈦礦溶液，使其鋪滿底層電極；

在手套箱中自然晾干，形成功能層。