[發(fā)明專利]快閃存儲(chǔ)器及快閃存儲(chǔ)器的形成方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011157488.0
• 申請(qǐng)日: 2020-10-26
• 公開（公告）號(hào): CN112086460B
• 公開（公告）日: 2023-08-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 于濤
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司
• 主分類號(hào): H10B41/30
• 分類號(hào): H10B41/30;H01L29/423;H01L29/40
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 徐文欣

一種快閃存儲(chǔ)器及形成方法，快閃存儲(chǔ)器包括：襯底，所述襯底包括源線浮柵區(qū)和若干個(gè)字線位線區(qū)，所述源線浮柵區(qū)位于相鄰的字線位線區(qū)之間，且所述源線浮柵區(qū)與字線位線區(qū)鄰接；位于源線浮柵區(qū)內(nèi)的第一源摻雜區(qū)；位于第一源摻雜區(qū)內(nèi)和源線浮柵區(qū)內(nèi)的第二源摻雜區(qū)，所述第二源摻雜區(qū)的離子濃度大于所述第一源摻雜區(qū)的離子濃度，且所述第二源摻雜區(qū)的深度大于所述第一源摻雜區(qū)的深度；位于源線浮柵區(qū)上的浮柵結(jié)構(gòu)，所述浮柵結(jié)構(gòu)位于部分第一源摻雜區(qū)上；位于源線浮柵區(qū)上的擦除柵結(jié)構(gòu)，所述擦除柵結(jié)構(gòu)位于第二源摻雜區(qū)上。所述快閃存儲(chǔ)器的性能得到提升。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，尤其涉及一種快閃存儲(chǔ)器及快閃存儲(chǔ)器的形成方法。

背景技術(shù)

快閃存儲(chǔ)器是集成電路產(chǎn)品中一種重要的器件。快閃存儲(chǔ)器的主要特點(diǎn)是在不加電壓的情況下能長期保持存儲(chǔ)的信息。快閃存儲(chǔ)器具有集成度高、較快的存取速度和易于源線等優(yōu)點(diǎn)，因而得到廣泛的應(yīng)用。

然而，隨著半導(dǎo)體技術(shù)節(jié)點(diǎn)的降低，快閃存儲(chǔ)器的尺寸也越來越小。因此，現(xiàn)有的快閃存儲(chǔ)器的性能還需要提升。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明解決的技術(shù)問題是提供一種快閃存儲(chǔ)器及快閃存儲(chǔ)器的形成方法，以提升快閃存儲(chǔ)器的性能。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明技術(shù)方案提供一種快閃存儲(chǔ)器，包括：襯底，所述襯底包括源線浮柵區(qū)和若干個(gè)字線位線區(qū)，所述源線浮柵區(qū)位于相鄰的字線位線區(qū)之間，且所述源線浮柵區(qū)與字線位線區(qū)鄰接；位于源線浮柵區(qū)內(nèi)的第一源摻雜區(qū)；位于第一源摻雜區(qū)內(nèi)和源線浮柵區(qū)內(nèi)的第二源摻雜區(qū)，所述第二源摻雜區(qū)的離子濃度大于所述第一源摻雜區(qū)的離子濃度，且所述第二源摻雜區(qū)的深度大于所述第一源摻雜區(qū)的深度；位于源線浮柵區(qū)上的浮柵結(jié)構(gòu)，所述浮柵結(jié)構(gòu)位于部分第一源摻雜區(qū)上；位于源線浮柵區(qū)上的擦除柵結(jié)構(gòu)，所述擦除柵結(jié)構(gòu)位于第二源摻雜區(qū)上。

可選的，還包括：位于浮柵結(jié)構(gòu)上和擦除柵結(jié)構(gòu)側(cè)壁的第二側(cè)墻以及位于第二側(cè)墻側(cè)壁的第一側(cè)墻。

可選的，還包括：位于擦除柵結(jié)構(gòu)和浮柵結(jié)構(gòu)之間的隧穿氧化層；所述隧穿氧化層還位于第二源摻雜區(qū)上。

可選的，還包括：位于字線位線區(qū)上的字線結(jié)構(gòu)，所述字線結(jié)構(gòu)位于第一側(cè)墻側(cè)壁和浮柵結(jié)構(gòu)側(cè)壁；位于字線結(jié)構(gòu)側(cè)壁的字線位線區(qū)內(nèi)的漏摻雜區(qū)，所述漏摻雜區(qū)與所述字線結(jié)構(gòu)相鄰。

可選的，所述字線結(jié)構(gòu)包括位于第一側(cè)墻側(cè)壁、浮柵結(jié)構(gòu)側(cè)壁和字線位線區(qū)上的字線氧化層、位于字線氧化層上的字線柵極層以及位于字線柵極層側(cè)壁的第三側(cè)墻。

可選的，所述第一源摻雜區(qū)的寬度大于所述第二源摻雜區(qū)的寬度。

可選的，所述第一源摻雜區(qū)的寬度范圍為100納米～300納米；所述第二源摻雜區(qū)的寬度范圍為50納米～150納米。

可選的，所述第一源摻雜區(qū)的深度范圍為10納米～50納米；所述第二源摻雜區(qū)的深度范圍為50納米～150納米。

可選的，所述浮柵結(jié)構(gòu)包括位于源線浮柵區(qū)上和部分第一源摻雜區(qū)上的浮柵氧化層以及位于浮柵氧化層上的浮柵極層。

相應(yīng)地，本發(fā)明技術(shù)方案還提供一種快閃存儲(chǔ)器的形成方法，包括：提供襯底，所述襯底包括源線浮柵區(qū)和若干個(gè)字線位線區(qū)，所述源線浮柵區(qū)位于相鄰的字線位線區(qū)之間，且所述源線浮柵區(qū)與字線位線區(qū)鄰接；在襯底上形成浮柵極結(jié)構(gòu)膜；形成浮柵極結(jié)構(gòu)膜之后，在源線浮柵區(qū)內(nèi)形成第一源摻雜區(qū)；形成第一源摻雜區(qū)之后，在第一源摻雜區(qū)內(nèi)和源線浮柵區(qū)內(nèi)形成第二源摻雜區(qū)，所述第二源摻雜區(qū)的離子濃度大于所述第一源摻雜區(qū)的離子濃度，且所述第二源摻雜區(qū)的深度大于所述第一源摻雜區(qū)的深度；形成第二源摻雜區(qū)之后，在源線浮柵區(qū)上形成擦除柵結(jié)構(gòu)，所述擦除柵結(jié)構(gòu)位于第二源摻雜區(qū)上；形成擦除柵結(jié)構(gòu)之后，刻蝕所述浮柵極結(jié)構(gòu)膜，在源線浮柵區(qū)上形成浮柵結(jié)構(gòu)，所述浮柵結(jié)構(gòu)位于部分第一源摻雜區(qū)上。