[發(fā)明專(zhuān)利]快閃存儲(chǔ)器及快閃存儲(chǔ)器的形成方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011157488.0
• 申請(qǐng)日: 2020-10-26
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112086460B
• 公開(kāi)（公告）日: 2023-08-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 于濤
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H10B41/30
• 分類(lèi)號(hào): H10B41/30;H01L29/423;H01L29/40
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 徐文欣

1.一種快閃存儲(chǔ)器，其特征在于，包括：

襯底，所述襯底包括源線浮柵區(qū)和若干個(gè)字線位線區(qū)，所述源線浮柵區(qū)位于相鄰的字線位線區(qū)之間，且所述源線浮柵區(qū)與字線位線區(qū)鄰接；

位于源線浮柵區(qū)內(nèi)的第一源摻雜區(qū)；

位于第一源摻雜區(qū)內(nèi)和源線浮柵區(qū)內(nèi)的第二源摻雜區(qū)，所述第二源摻雜區(qū)的離子濃度大于所述第一源摻雜區(qū)的離子濃度，且所述第二源摻雜區(qū)的深度大于所述第一源摻雜區(qū)的深度,所述第一源摻雜區(qū)的寬度大于所述第二源摻雜區(qū)的寬度；

位于源線浮柵區(qū)上的浮柵結(jié)構(gòu)，所述浮柵結(jié)構(gòu)位于部分第一源摻雜區(qū)上,所述浮柵結(jié)構(gòu)包括浮柵氧化層以及位于浮柵氧化層上的浮柵極層；

位于源線浮柵區(qū)上的擦除柵結(jié)構(gòu)，所述擦除柵結(jié)構(gòu)位于第二源摻雜區(qū)上。

2.如權(quán)利要求1所述的快閃存儲(chǔ)器，其特征在于，還包括：位于浮柵結(jié)構(gòu)上和擦除柵結(jié)構(gòu)側(cè)壁的第二側(cè)墻以及位于第二側(cè)墻側(cè)壁的第一側(cè)墻。

3.如權(quán)利要求1所述的快閃存儲(chǔ)器，其特征在于，還包括：位于擦除柵結(jié)構(gòu)和浮柵結(jié)構(gòu)之間的隧穿氧化層；所述隧穿氧化層還位于第二源摻雜區(qū)上。

4.如權(quán)利要求2所述的快閃存儲(chǔ)器，其特征在于，還包括：位于字線位線區(qū)上的字線結(jié)構(gòu)，所述字線結(jié)構(gòu)位于第一側(cè)墻側(cè)壁和浮柵結(jié)構(gòu)側(cè)壁；位于字線結(jié)構(gòu)側(cè)壁的字線位線區(qū)內(nèi)的漏摻雜區(qū)，所述漏摻雜區(qū)與所述字線結(jié)構(gòu)相鄰。

5.如權(quán)利要求4所述的快閃存儲(chǔ)器，其特征在于，所述字線結(jié)構(gòu)包括位于第一側(cè)墻側(cè)壁、浮柵結(jié)構(gòu)側(cè)壁和字線位線區(qū)上的字線氧化層、位于字線氧化層上的字線柵極層以及位于字線柵極層側(cè)壁的第三側(cè)墻。

6.如權(quán)利要求1所述的快閃存儲(chǔ)器，其特征在于，所述第一源摻雜區(qū)的寬度范圍為100納米～300納米；所述第二源摻雜區(qū)的寬度范圍為50納米～150納米。

7.如權(quán)利要求1所述的快閃存儲(chǔ)器，其特征在于，所述第一源摻雜區(qū)的深度范圍為10納米～50納米；所述第二源摻雜區(qū)的深度范圍為50納米～150納米。

8.如權(quán)利要求1所述的快閃存儲(chǔ)器，其特征在于，所述浮柵結(jié)構(gòu)包括位于源線浮柵區(qū)上和部分第一源摻雜區(qū)上的浮柵氧化層以及位于浮柵氧化層上的浮柵極層。

9.一種快閃存儲(chǔ)器的形成方法，其特征在于，包括：

提供襯底，所述襯底包括源線浮柵區(qū)和若干個(gè)字線位線區(qū)，所述源線浮柵區(qū)位于相鄰的字線位線區(qū)之間，且所述源線浮柵區(qū)與字線位線區(qū)鄰接；

在襯底上形成浮柵結(jié)構(gòu)膜；

在浮柵結(jié)構(gòu)膜上形成犧牲層，所述犧牲層內(nèi)具有第一開(kāi)口，所述第一開(kāi)口暴露出源線浮柵區(qū)上的浮柵結(jié)構(gòu)膜表面；

在所述第一開(kāi)口側(cè)壁形成第一側(cè)墻；

以所述第一側(cè)墻為掩膜對(duì)所述源線浮柵區(qū)進(jìn)行第一離子注入，在源線浮柵區(qū)內(nèi)形成第一源摻雜區(qū)；

形成第一源摻雜區(qū)之后，在第一側(cè)墻側(cè)壁形成第二側(cè)墻，或者，在第一開(kāi)口側(cè)壁形成第二側(cè)墻；

以所述第二側(cè)墻為掩膜，對(duì)所述第一源摻雜區(qū)和源線浮柵區(qū)進(jìn)行第二離子注入，在第一源摻雜區(qū)內(nèi)和源線浮柵區(qū)內(nèi)形成第二源摻雜區(qū)，所述第二源摻雜區(qū)的離子濃度大于所述第一源摻雜區(qū)的離子濃度，且所述第二源摻雜區(qū)的深度大于所述第一源摻雜區(qū)的深度,所述第一源摻雜區(qū)的寬度大于所述第二源摻雜區(qū)的寬度；

形成第二源摻雜區(qū)之后，在源線浮柵區(qū)上形成擦除柵結(jié)構(gòu)，所述擦除柵結(jié)構(gòu)位于第二源摻雜區(qū)上；

形成擦除柵結(jié)構(gòu)之后，刻蝕所述浮柵結(jié)構(gòu)膜，在源線浮柵區(qū)上形成浮柵結(jié)構(gòu)，所述浮柵結(jié)構(gòu)位于部分第一源摻雜區(qū)上,所述浮柵結(jié)構(gòu)包括浮柵氧化層以及位于浮柵氧化層上的浮柵極層。

10.如權(quán)利要求9所述的快閃存儲(chǔ)器的形成方法，其特征在于，所述第一離子注入的工藝參數(shù)包括：注入離子包括P型離子，所述P型離子包括磷離子；注入能量范圍為20千電子伏～50千電子伏；注入劑量范圍為1E13原子每平方厘米～1E15原子每平方厘米。