[發明專利]微型發光二極管顯示器

有效

• 申請號: 202011157359.1
• 申請日: 2020-10-26
• 公開（公告）號: CN112259572B
• 公開（公告）日: 2022-11-08
• 發明（設計）人: 陳彥燁;吳志凌;陳國瑋
• 申請（專利權）人: 錼創顯示科技股份有限公司
• 主分類號: H01L27/15
• 分類號: H01L27/15
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 張娜;劉芳

本發明提供一種微型發光二極管顯示器，包括至少一第一型半導體基底層、多個半導體發光平臺以及導電層。多個半導體發光平臺分散地配置于至少一第一型半導體基底層上，其中至少一第一型半導體基底層具有被這些半導體發光平臺暴露出的表面。導電層配置于至少一第一型半導體基底層的表面上并與這些半導體發光平臺交錯分布，導電層與此表面接觸的面積與此表面的面積的比例大于等于0.2。

技術領域

本發明涉及一種顯示器，尤其涉及一種微型發光二極管顯示器。

背景技術

隨著光電科技的進步，許多光電組件的體積逐漸往小型化發展。近年來，由于制造尺寸上的突破，發光二極管不僅應用于照明技術，還應用于制造顯示面板。發光二極管顯示器屬于主動式發光顯示器，相較于有機發光二極管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)顯示器，發光二極管顯示器更為省電，也具備更加優異的對比度表現，而且可以在陽光下具有可視性。此外，由于發光二極管顯示器采用無機材料，其相較于有機發光二極管顯示器而言具備更加優良的可靠性以及更長的使用壽命。

在發光二極管顯示器中，尺寸縮小至微米等級的微型發光二極管以陣列形式排列，不同的微型發光二極管之間可以第一型半導體基底層作為共電極，第一型半導體基底層電性連接電路基板(例如TFT顯示基板)上對應的電極，然而，半導體電阻值高，較靠近上述對應的電極的微型發光二極管相較于較遠離上述對應的電極的微型發光二極管會具有較多的電子空穴對，因為具有較多的電子空穴對發生復合(recombination)，較靠近上述對應的電極的微型發光二極管的發光亮度會高于較遠離上述對應的電極的微型發光二極管的發光亮度，使得微型發光二極管顯示器亮度不均勻。

發明內容

本發明提供一種微型發光二極管顯示器，發光亮度均勻。

根據本發明一實施例，提供一種微型發光二極管顯示器，包括至少一第一型半導體基底層、多個半導體發光平臺以及導電層。多個半導體發光平臺分散地配置于至少一第一型半導體基底層上，其中至少一第一型半導體基底層具有被這些半導體發光平臺暴露出的表面。導電層配置于至少一第一型半導體基底層的表面上并與這些半導體發光平臺交錯分布，導電層與此表面接觸的面積與此表面的面積的比例大于等于0.2。

基于上述，本發明實施例提供的微型發光二極管顯示器以導電層接觸至少一第一型半導體基底層，導電層做為共電極，利用導電層的電阻小于至少一第一型半導體基底層的電阻的特性，使得不同的微型發光二極管不會因其所設置的位置不同而有電子空穴對數量不一致的狀況，避免了微型發光二極管顯示器亮度不均勻的問題。

為讓本發明的上述特征和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，并配合附圖作詳細說明如下。

附圖說明

圖1A示出了根據本發明實施例的微型發光二極管顯示器的平面示意圖；

圖1B示出了圖1A的微型發光二極管顯示器沿著線I-I’的剖面圖；

圖2A示出了根據本發明一實施例的微型發光二極管顯示器的平面示意圖；

圖2B示出了圖2A的微型發光二極管顯示器沿著線II-II’的剖面圖；

圖3示出了根據本發明一實施例的微型發光二極管顯示器的剖面圖；

圖4示出了根據本發明一實施例的微型發光二極管顯示器的剖面圖。

附圖標號說明：

100、200、300、400:微型發光二極管顯示器；

101、201:第一型半導體基底層；

201T:出光面；

101S、201S:第一型半導體基底層表面；

102:半導體發光平臺；