[發明專利]微型發光二極管顯示器

有效

• 申請號: 202011157359.1
• 申請日: 2020-10-26
• 公開（公告）號: CN112259572B
• 公開（公告）日: 2022-11-08
• 發明（設計）人: 陳彥燁;吳志凌;陳國瑋
• 申請（專利權）人: 錼創顯示科技股份有限公司
• 主分類號: H01L27/15
• 分類號: H01L27/15
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 張娜;劉芳

1.一種微型發光二極管顯示器，其特征在于，包括：

至少一第一型半導體基底層；

多個半導體發光平臺，分散地配置于所述至少一第一型半導體基底層上，其中所述至少一第一型半導體基底層具有被所述多個半導體發光平臺暴露出的表面；以及

導電層，配置于所述至少一第一型半導體基底層的所述表面上并與所述多個半導體發光平臺交錯分布，所述導電層與所述表面接觸的面積與所述表面的面積的比例大于等于0.2，其中所述導電層的電阻小于所述至少一第一型半導體基底層的電阻。

2.根據權利要求1所述的微型發光二極管顯示器，其特征在于，每一半導體發光平臺包括：

第一型半導體層；

第二型半導體層，其中所述第一型半導體層位于所述第二型半導體層以及所述至少一第一型半導體基底層之間；以及

主動層，位于所述第一型半導體層與所述第二型半導體層之間。

3.根據權利要求2所述的微型發光二極管顯示器，其特征在于，所述至少一第一型半導體基底層的厚度大于所述第一型半導體層的厚度。

4.根據權利要求2所述的微型發光二極管顯示器，其特征在于，還包括反射層以及絕緣層，所述反射層設置于所述主動層的側面以及所述第二型半導體層的側面，且所述絕緣層設置于所述主動層的所述側面以及所述第二型半導體層的所述側面與所述反射層之間。

5.根據權利要求4所述的微型發光二極管顯示器，其特征在于，所述絕緣層還設置于所述導電層以及所述反射層之間。

6.根據權利要求4所述的微型發光二極管顯示器，其特征在于，所述反射層包括金屬，且所述反射層還設置于每一半導體發光平臺背對所述至少一第一型半導體基底層的第一頂面。

7.根據權利要求1所述的微型發光二極管顯示器，其特征在于，所述導電層還電性連接于所述至少一第一型半導體基底層中的兩個第一型半導體基底層之間。

8.根據權利要求7所述的微型發光二極管顯示器，其特征在于，所述導電層與所述至少一第一型半導體基底層的出光面在所述出光面的法線方向上的距離大于0.01微米且小于等于5微米。

9.根據權利要求8所述的微型發光二極管顯示器，其特征在于，還包括填充層，配置于所述出光面以及所述導電層之間。

10.根據權利要求8所述的微型發光二極管顯示器，其特征在于，還包括填充層，所述填充層為絕緣材料。

11.根據權利要求8所述的微型發光二極管顯示器，其特征在于，還包括填充層，所述填充層為導電材料，且所述填充層的電阻小于所述導電層的電阻。

12.根據權利要求1所述的微型發光二極管顯示器，其特征在于，所述導電層的厚度大于0.01微米且小于等于5微米。

13.根據權利要求1所述的微型發光二極管顯示器，其特征在于，所述導電層在所述多個半導體發光平臺之間的區域內的寬度大于0.05微米且小于等于10微米。

14.根據權利要求1所述的微型發光二極管顯示器，其特征在于，還包括：

墊高部，配置于所述至少一第一型半導體基底層上，其中所述墊高部背對所述至少一第一型半導體基底層的第一頂面與每一半導體發光平臺背對所述至少一第一型半導體基底層的第二頂面為共平面；

第一接合金屬層，配置于所述第一頂面；以及

多個第二接合金屬層，分別配置于多個所述第二頂面。

15.根據權利要求14所述的微型發光二極管顯示器，其特征在于，所述導電層的電阻小于所述墊高部的電阻。