[發明專利]半導體工藝設備

在審

• 申請號: 202011156384.8
• 申請日: 2020-10-26
• 公開（公告）號: CN112331548A
• 公開（公告）日: 2021-02-05
• 發明（設計）人: 宋瑞智
• 申請（專利權）人: 北京北方華創微電子裝備有限公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;H01L21/67
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 彭瑞欣;王婷

1.一種半導體工藝設備，其特征在于，包括：工藝腔室、負載腔室及傳輸腔室；

所述工藝腔室內設置有基座及聚焦環，所述聚焦環設置于所述基座上，所述基座用于承載待加工件；

所述負載腔室內設置有支撐組件，所述支撐組件用于承載所述待加工件及所述聚焦環；

所述傳輸腔室與所述工藝腔室及所述負載腔室均連通，所述傳輸腔室內設置有機械手，所述機械手用于在所述負載腔室及所述工藝腔室之間傳送所述待加工件或所述聚焦環。

2.如權利要求1所述的半導體工藝設備，其特征在于，所述工藝腔室還包括升降針及驅動結構，多個所述升降針均穿設于所述基座上，所述升降針的頂端用于承載并帶動所述聚焦環升降，所述升降針的底端與所述驅動結構連接，所述驅動結構用于驅動所述升降針相對所述基座升降。

3.如權利要求1所述的半導體工藝設備，其特征在于，所述支撐組件包括第一支撐件及第二支撐件，多個所述第一支撐件沿圓周方向排布，并且任意兩相鄰的所述第一支撐件之間具有用于避讓所述機械手的開口；多個所述第二支撐件對應的排布于多個所述第一支撐件外側，并且所述第二支撐件的高度大于所述第一支撐件的高度。

4.如權利要求3所述的半導體工藝設備，其特征在于，所述第一支撐件及所述第二支撐件均包括支撐桿及至少一個支撐墊，所述支撐桿設置于所述負載腔室的底部，至少一個所述支撐墊設置于所述支撐桿上，并且至少一個所述支撐墊與所述支撐桿偏心設置。

5.如權利要求4所述的半導體工藝設備，其特征在于，各所述支撐墊包括連接部、承載部及限位部，所述連接部與所述支撐桿的頂端連接，所述承載部的頂面低于所述連接部的頂面，所述限位部為形成于所述連接部及所述承載部之間的斜面，用于限定所述待加工件或所述聚焦環的位置。

6.如權利要求1所述的半導體工藝設備，其特征在于，所述機械手包括機械手本體、手指、第一支撐塊及第二支撐塊，所述手指與所述機械手本體連接；多個所述第一支撐塊分別設置于所述機械手本體及所述手指上，用于承載所述待加工件；多個所述第二支撐塊分別設置于所述機械手本體及所述手指上，并且位于所述第一支撐塊的外側，多個所述第二支撐塊的高度大于所述第一支撐塊的高度，用于承載所述聚焦環。

7.如權利要求6所述的半導體工藝設備，其特征在于，兩個所述手指并列設置于所述機械手本體上，至少兩個所述第一支撐塊及至少兩個所述第二支撐塊均分別設置于兩個所述手指上，至少一個所述第一支撐塊及至少一個所述第二支撐塊依次設置于所述機械手本體上。

8.如權利要求6所述的半導體工藝設備，其特征在于，所述機械手為陶瓷材質或者金屬材質制成，并且所述第一支撐塊及所述第二支撐塊均一體形成于所述機械手本體及手指上。

9.如權利要求3至5的任一所述的半導體工藝設備，其特征在于，所述第一支撐件及所述第二支撐件均采用金屬材質制成，并且所述第一支撐件及所述第二支撐件的外表面均設置有抗蝕層。

10.如權利要求9所述的半導體工藝設備，其特征在于，所述抗蝕層為陽極氧化鋁材質。