[發明專利]太陽能電池的制作方法以及制作設備有效
| 申請號: | 202011156273.7 | 申請日: | 2020-10-26 |
| 公開(公告)號: | CN112359332B | 公開(公告)日: | 2023-01-06 |
| 發明(設計)人: | 齊慶 | 申請(專利權)人: | 蘇州聯諾太陽能科技有限公司 |
| 主分類號: | C23C14/34 | 分類號: | C23C14/34;C23C14/56;C23C14/54;C23C14/08;H01L31/18;H01L31/20 |
| 代理公司: | 華進聯合專利商標代理有限公司 44224 | 代理人: | 郭鳳杰 |
| 地址: | 215000 *** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 太陽能電池 制作方法 以及 制作 設備 | ||
本申請涉及一種太陽能電池的制作方法以及制作設備。其中,太陽能電池的制作方法,用于提高太陽能電池的抗水性能,包括:提供基片;將基片傳輸至工藝腔室;對基片進行鍍膜,以形成具有多晶結構的透明導電薄膜。本申請可以有效提高太陽能電池的抗水性能。
技術領域
本申請涉及光伏技術領域,特別是涉及一種太陽能電池的制作方法以及制作設備。
背景技術
太陽能是自然界取之不盡用之不竭的清潔能源。近年來,光電轉換太陽能利用取得了長足的發展,技術不斷進步,市場迅速拓展。其中,異質結太陽能電池,又稱HJT電池,是一種混合型太陽能電池。該類電池具有制備工藝溫度低、開路電壓高,轉換效率高,溫度系數低等諸多優點,是目前應用最廣的一種高效太陽能電池。
異質結太陽能電池通常包括襯底以及分別形成在所述襯底兩側的P型半導體層以及N型半導體層,且在P型半導體層的遠離所述襯底的表面和/或所述N型半導體層的遠離所述襯底的表面形成透明導電薄膜。透明導電薄膜具有收集和傳輸電流以及減反膜等重要作用。
太陽能電池形成的光伏電池組件通常是直接暴露于大氣中而使用。因此,需要其對溫度變化、紫外線照射及水汽侵蝕等環境因素具有一定的抵抗能力,從而防止光電轉換性能衰減,而影響實用價值。然而,現有技術中的異質結太陽能電池,透明導電薄膜抗水性能差,嚴重影響其在戶外條件下的可靠性。
發明內容
基于此,有必要針對現有技術中的透明導電薄膜抗水性能差的問題提供一種透明導電薄膜的制作方法、透明導電薄膜制作設備以及太陽能能電池。
一種太陽能電池的制作方法,用于提高所述太陽能電池及其組件的抗水性能,在其中一個實施例中,包括:
提供基片;
將所述基片傳輸至工藝腔室;
對所述基片進行鍍膜,以形成具有多晶結構的透明導電薄膜。
在其中一個實施例中,所述將所述基片傳輸至工藝腔室,包括:
將所述基片由外部傳輸至預處理腔室;
對所述預處理腔室進行除水處理;
將所述基片由所述預處理腔室傳輸至所述工藝腔室。
在其中一個實施例中,所述將所述基片由所述預處理腔室傳輸至所述工藝腔室之后,還包括:
向所述工藝腔室內通入水汽,且控制工藝腔室內的水分含量小于第一預設含量。
在其中一個實施例中,所述第一預設含量為1E-6mbar,所述對所述基片進行鍍膜,以形成具有多晶結構的透明導電薄膜,包括:
基于摻錫氧化銦靶材于所述基片表面形成所述透明導電薄膜,所述摻錫氧化銦靶材中氧化銦與氧化錫的含量比為80:20~99:1。
在其中一個實施例中,
所述將所述基片傳輸至工藝腔室,包括:
將所述基片由外部傳輸至加熱后的工藝腔室;
將所述工藝腔室加熱至100~180℃;
所述對所述基片進行鍍膜,以形成具有多晶結構的透明導電薄膜,包括:
基于摻錫氧化銦靶材于所述基片表面形成所述透明導電薄膜,所述摻錫氧化銦靶材中氧化銦與氧化錫的含量比為80:20~99:1。
在其中一個實施例中,
所述對所述基片進行鍍膜,以形成具有多晶結構的透明導電薄膜,包括:
基于摻錫氧化銦靶材于所述基片表面形成所述透明導電薄膜,所述摻錫氧化銦靶材中氧化銦與氧化錫的含量比為97:3~99:1。
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