[發明專利]太陽能電池的制作方法以及制作設備

有效

• 申請號: 202011156273.7
• 申請日: 2020-10-26
• 公開（公告）號: CN112359332B
• 公開（公告）日: 2023-01-06
• 發明（設計）人: 齊慶
• 申請（專利權）人: 蘇州聯諾太陽能科技有限公司
• 主分類號: C23C14/34
• 分類號: C23C14/34;C23C14/56;C23C14/54;C23C14/08;H01L31/18;H01L31/20
• 代理公司: 華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 郭鳳杰

1.一種太陽能電池的制作方法，用于提高所述太陽能電池及其組件的抗水性能，其特征在于，包括：

提供基片；將所述基片傳輸至工藝腔室；

對所述基片進行鍍膜，以在P型半導體層和/或N型半導體層的表面形成具有多晶結構的透明導電薄膜，所述多晶結構的透明導電薄膜相對于非晶結構的透明導電膜具有更高的抗水性，從而提高所述太陽能電池的抗水性能；

所述將所述基片傳輸至工藝腔室，包括：

將所述基片由外部傳輸至預處理腔室；

對所述預處理腔室進行除水處理，去除所述基片表面水分，且對所述預處理腔室對水分含量進行實時監控；

將所述基片由所述預處理腔室傳輸至所述工藝腔室；

檢測所述工藝腔室內的水分含量；

當檢測到水分含量在小于1 ×

10 ^-6mbar范圍內時，鍍膜工作開始，形成所述多晶結構的透明導電薄膜。

2.根據權利要求1所述的太陽能電池的制作方法，其特征在于，還包括：

向所述工藝腔室內通入水汽。

3.根據權利要求1所述的太陽能電池的制作方法，其特征在于，所述對所述基片進行鍍膜，以形成具有多晶結構的透明導電薄膜，包括：

基于摻錫氧化銦靶材于所述基片表面形成所述透明導電薄膜，所述摻錫氧化銦靶材中氧化銦與氧化錫的含量比為80:20 ~ 99:1。

4.根據權利要求1所述的太陽能電池的制作方法，其特征在于，

所述對所述基片進行鍍膜，以形成具有多晶結構的透明導電薄膜，包括：

基于摻錫氧化銦靶材于所述基片表面形成所述透明導電薄膜，所述摻錫氧化銦靶材中氧化銦與氧化錫的含量比為97:3 ~ 99:1。

5.根據權利要求1-4任一項所述的太陽能電池的制作方法，其特征在于，所述基片包括襯底以及分別形成在所述襯底兩側的P型半導體層以及N型半導體層，所述透明導電薄膜形成在所述P型半導體層的遠離所述襯底的表面和/或所述N型半導體層的遠離所述襯底的表面。