[發明專利]半導體設備中的卡盤組件及半導體工藝設備

在審

• 申請號: 202011155472.6
• 申請日: 2020-10-26
• 公開（公告）號: CN112331588A
• 公開（公告）日: 2021-02-05
• 發明（設計）人: 俞振鐸
• 申請（專利權）人: 北京北方華創微電子裝備有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/683;C23C14/50
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 彭瑞欣;王婷

本發明提供一種半導體設備中的卡盤組件及半導體工藝設備，其中，卡盤組件包括卡盤和遮擋部件，卡盤包括用于承載待加工件的承載面，遮擋部件包括與承載面相對的遮擋面，遮擋部件的遮擋面上設置有導流結構，卡盤內設置有進氣部件，其中，進氣部件用于在遮擋部件遮擋承載面時，向導流結構中輸送吹掃氣體；導流結構用于對輸送至其中的吹掃氣體進行導流，使吹掃氣體對承載面進行吹掃。本發明提供的半導體設備中的卡盤組件及半導體工藝設備，無需打開工藝腔室即可對卡盤上的污染物進行清理，以能夠快捷的對卡盤上的污染物進行清理，并縮短污染物清理所需時間，從而提高半導體工藝設備的利用率。

技術領域

本發明涉及半導體設備技術領域，具體地，涉及一種半導體設備中的卡盤組件及半導體工藝設備。

背景技術

物理氣相沉積(Physical Vapor Deposition，簡稱PVD)工藝，是利用等離子體對靶材進行轟擊，使金屬原子從靶材中逸出并沉積在晶片上，從而在晶片上形成薄膜。

在實際應用中，從靶材中逸出的金屬原子，不僅會沉積到晶片上，還會沉積到工藝腔室的內壁以及工藝腔室內的其它部件上形成顆粒污染物，當顆粒污染物掉落至工藝中用于吸附晶片的靜電卡盤上時，會使得晶片與靜電卡盤無法完全貼合，導致靜電卡盤無法完全吸附晶片。因此，在物理氣相沉積工藝的工藝腔室中，通常還會設置有遮擋盤，遮擋盤用于在工藝腔室完全不工作時，對靜電卡盤進行遮擋，以防止顆粒污染物掉落至靜電卡盤上。并且，為了節省晶片的消耗，在對新靶材進行轟擊或者對工藝腔室進行預熱時，通常會使用遮擋盤替代晶片，即，將遮擋盤放置在靜電卡盤上方，以使從靶材中逸出的金屬原子，沉積到遮擋盤上。

但是，由于在取放晶片的過程中，即，在將晶片從靜電卡盤上移走并移出工藝腔室，以及將晶片傳送至工藝腔室內并放置在靜電卡盤上的過程中，為了避免遮擋盤與晶片產生干涉，遮擋盤并不會移動至靜電卡盤上，并且，通常只有在工藝腔室空閑時間達到二十分鐘以上，確保工藝腔室完全不工作時，遮擋盤才會對靜電卡盤進行遮擋，因此，雖然工藝腔室中設置有遮擋盤對靜電卡盤進行遮擋，但是沉積在工藝腔室內的顆粒污染物，仍然會掉落至靜電卡盤上，而一旦靜電卡盤上掉落有顆粒污染物，只能打開工藝腔室對靜電卡盤進行擦拭，而每一次打開工藝腔室都需要十幾個小時的時間對工藝腔室進行恢復，導致工藝腔室的正常使用受到非常嚴重的影響。

發明內容

本發明旨在至少解決現有技術中存在的技術問題之一，提出了一種半導體設備中的卡盤組件及半導體工藝設備，其無需打開工藝腔室即可對卡盤上的污染物進行清理，以能夠快捷的對卡盤上的污染物進行清理，并縮短污染物清理所需時間，從而提高半導體工藝設備的利用率。

為實現本發明的目的而提供一種半導體設備中的卡盤組件，包括卡盤和遮擋部件，所述卡盤包括用于承載待加工件的承載面，所述遮擋部件包括與所述承載面相對的遮擋面，所述遮擋部件的所述遮擋面上設置有導流結構，所述卡盤內設置有進氣部件，其中，所述進氣部件用于在所述遮擋部件遮擋所述承載面時，向所述導流結構中輸送吹掃氣體；所述導流結構用于對輸送至其中的所述吹掃氣體進行導流，使所述吹掃氣體對所述承載面進行吹掃。

優選的，所述導流結構包括多個徑向尺寸不同的環形導流部，多個所述環形導流部相互間隔環繞設置，并均相對于所述遮擋面朝向所述承載面凸出；

且各所述環形導流部上均開設有通氣口，所述通氣口沿所述環形導流部的徑向貫穿所述環形導流部，并貫通至所述環形導流部朝向所述承載面的一側面，所述通氣口用于使各所述環形導流部之間的空間連通，以形成供所述吹掃氣體流過的氣體通道。

優選的，各所述環形導流部上均開設有多個所述通氣口，多個所述通氣口沿所述環形導流部的周向間隔設置。

優選的，相鄰的兩個所述環形導流部上的所述通氣口交錯設置。

優選的，所述進氣部件包括在所述卡盤中開設的通孔，且所述通孔貫通至所述承載面。