[發(fā)明專利]半導體工藝設(shè)備中的加熱基座及半導體工藝設(shè)備

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011155207.8
• 申請日: 2020-10-26
• 公開（公告）號: CN112331609A
• 公開（公告）日: 2021-02-05
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 陳顯望
• 申請（專利權(quán)）人: 北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司
• 主分類號: H01L21/687
• 分類號: H01L21/687;H01L21/67;C23C16/458;C23C16/46
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 彭瑞欣;王婷

本申請?zhí)峁┮环N半導體工藝設(shè)備中的加熱基座及半導體工藝設(shè)備，該加熱基座用于支撐被加工工件，包括基座主體，還包括設(shè)置在基座主體上的邊緣支撐件和彈性支撐件，其中：邊緣支撐件呈環(huán)狀，設(shè)置在所述基座主體的邊緣處，邊緣支撐件的內(nèi)徑小于被加工工件的直徑，邊緣支撐件的上表面高于基座主體的上表面；彈性支撐件位于邊緣支撐件的內(nèi)側(cè)，彈性支撐件的上端在處于原始狀態(tài)時高于邊緣支撐件的上表面，在被加工工件的壓力作用下能夠產(chǎn)生彈性形變，使被加工工件與邊緣支撐件的上表面相接觸；并且，彈性支撐件被設(shè)置為與被加工工件點接觸或線接觸。應用本申請可以在對晶片穩(wěn)定支撐的基礎(chǔ)上，減少晶片與基座的接觸面積，提高晶片加熱過程中的熱均勻性。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導體技術(shù)領(lǐng)域，具體地，涉及一種的半導體工藝設(shè)備中的加熱基座及半導體工藝設(shè)備。

背景技術(shù)

鎢塞(W-plug)是當代半導體行業(yè)中廣泛應用的一道工藝，它將金屬鎢填充于孔洞(Via)或溝槽(Trench)中，利用金屬鎢的良好導電性和抗電遷移特性，最終實現(xiàn)了前道器件與后道金屬互聯(lián)之間可靠電導通的工藝需求。

目前，主要通過CVD(Chemical Vapor Deposition，化學氣相沉積)工藝沉積一定厚度的鎢，在CVD工藝過程中，通常采用背吹吸附的方式將晶片固定在基座上。現(xiàn)有技術(shù)中，在基座中心位置設(shè)置基座的背吹孔，在基座上表面圍繞基座中心開設(shè)多個凹槽，所有凹槽與背吹孔連通。使用該基座給晶片進行加熱時，兩個相鄰凹槽之間的部位作為固體傳熱介質(zhì)對晶片進行加熱，凹槽部位則是氣體對晶片進行加熱，所以，在晶片加熱過程中，固體與固體傳熱和氣體與固體傳熱同時存在，可能會導致晶片下表面出現(xiàn)受熱不均，影響工藝效果等，并且該基座的結(jié)構(gòu)復雜，加工難度大，成本高。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明旨在至少解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問題之一，提出了一種的半導體工藝設(shè)備中的加熱基座及半導體工藝設(shè)備，其可以在對晶片穩(wěn)定支撐的基礎(chǔ)上，減少晶片與加熱基座的接觸面積，提高晶片加熱過程中的熱均勻性。

為實現(xiàn)本發(fā)明的目的，第一方面提供一種半導體工藝設(shè)備中的加熱基座，用于支撐被加工工件，所述加熱基座包括基座主體，還包括設(shè)置在所述基座主體上的邊緣支撐件和彈性支撐件，其中：

所述邊緣支撐件呈環(huán)狀，設(shè)置在所述基座主體的邊緣處，所述邊緣支撐件的內(nèi)徑小于被加工工件的直徑，所述邊緣支撐件的上表面高于所述基座主體的上表面；

所述彈性支撐件位于所述邊緣支撐件的內(nèi)側(cè)，且所述彈性支撐件的上端在處于原始狀態(tài)時高于所述邊緣支撐件的上表面，所述彈性支撐件在所述被加工工件的壓力作用下能夠產(chǎn)生彈性形變，使所述被加工工件與所述邊緣支撐件的上表面相接觸；并且，所述彈性支撐件被設(shè)置為與所述被加工工件點接觸或線接觸。

可選地，所述彈性支撐件與所述被加工工件接觸的接觸面為弧面，所述弧面被設(shè)置為與所述被加工工件點接觸或線接觸。

可選地，所述彈性支撐件包括間隔設(shè)置的多個支撐片，各個所述支撐片均呈弧狀。

可選地，在所述基座主體的上表面上設(shè)置有多個限位槽，多個個所述支撐片一一對應地設(shè)置在多個所述限位槽中。

可選地，多個所述限位槽相對于所述基座主體上表面的中心均勻分布。

可選地，所述基座主體的上表面呈圓形，所述限位槽的中心與所述基座主體上表面的中心之間的距離為所述基座主體上表面半徑的三分之一至二分之一；所述限位槽為矩形槽，且所述限位槽的長度方向沿所述基座主體的上表面的徑向設(shè)置，且所述限位槽的長度為所述基座主體上表面半徑的四分之一至三分之一。

可選地，所述支撐片的橫截面形狀為半圓形、圓弧形或者半橢圓形；并且，所述支撐片設(shè)置在所述限位槽的中部，所述支撐片的長度小于所述限位槽的長度，所述支撐片的寬度小于所述限位槽的寬度。

可選地，所述基座主體中設(shè)置有可升降的傳片組件，用于帶動所述被加工工件升降。