[發明專利]半導體工藝設備中的加熱基座及半導體工藝設備

在審

• 申請號: 202011155207.8
• 申請日: 2020-10-26
• 公開（公告）號: CN112331609A
• 公開（公告）日: 2021-02-05
• 發明（設計）人: 陳顯望
• 申請（專利權）人: 北京北方華創微電子裝備有限公司
• 主分類號: H01L21/687
• 分類號: H01L21/687;H01L21/67;C23C16/458;C23C16/46
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 彭瑞欣;王婷

1.一種半導體工藝設備中的加熱基座，用于支撐被加工工件，所述加熱基座包括基座主體，其特征在于，還包括設置在所述基座主體上的邊緣支撐件和彈性支撐件，其中：

所述邊緣支撐件呈環狀，設置在所述基座主體的邊緣處，所述邊緣支撐件的內徑小于所述被加工工件的直徑，所述邊緣支撐件的上表面高于所述基座主體的上表面；

所述彈性支撐件位于所述邊緣支撐件的內側，且所述彈性支撐件的上端在處于原始狀態時高于所述邊緣支撐件的上表面，所述彈性支撐件在所述被加工工件的壓力作用下能夠產生彈性形變，使所述被加工工件與所述邊緣支撐件的上表面相接觸；并且，所述彈性支撐件被設置為與所述被加工工件點接觸或線接觸。

2.根據權利要求1所述的加熱基座，其特征在于，所述彈性支撐件與所述被加工工件接觸的接觸面為弧面，所述弧面被設置為與所述被加工工件點接觸或線接觸。

3.根據權利要求2所述的加熱基座，其特征在于，所述彈性支撐件包括間隔設置的多個支撐片，各個所述支撐片均呈弧狀。

4.根據權利要求3所述的加熱基座，其特征在于，在所述基座主體的上表面上設置有多個限位槽，多個所述支撐片一一對應地設置在多個所述限位槽中。

5.根據權利要求4所述的加熱基座，其特征在于，多個所述限位槽相對于所述基座主體上表面的中心均勻分布。

6.根據權利要求5所述的加熱基座，其特征在于，所述基座主體的上表面呈圓形，所述限位槽的中心與所述基座主體上表面的中心之間的距離為所述基座主體上表面半徑的三分之一至二分之一；所述限位槽為矩形槽，且所述限位槽的長度方向沿所述基座主體的上表面的徑向設置，且所述限位槽的長度為所述基座主體上表面半徑的四分之一至三分之一。

7.根據權利要求6所述的加熱基座，其特征在于，所述支撐片的橫截面形狀為半圓形、圓弧形或者半橢圓形；并且，所述支撐片設置在所述限位槽的中部，所述支撐片的長度小于所述限位槽的長度，所述支撐片的寬度小于所述限位槽的寬度。

8.根據權利要求1-7任一項所述的加熱基座，其特征在于，所述基座主體中設置有可升降的傳片組件，用于帶動所述被加工工件升降。

9.根據權利要求1-7任一項所述的加熱基座，其特征在于，所述邊緣支撐件與所述基座主體一體成型，且所述邊緣支撐件的內徑比被加工工件的直徑小20mm～40mm。

10.一種半導體工藝設備，包括工藝腔室和設置在所述工藝腔室內的加熱基座和背吹管路，其特征在于，所述加熱基座采用權利要求1-9任一項所述的加熱基座；所述背吹管路的一端設置在所述基座主體的上表面，且位于所述邊緣支撐件的內側，用以使所述被加工工件被吸附固定在所述邊緣支撐件的上表面。