[發明專利]一種改善拋光頭研磨液結晶的方法有效
| 申請號: | 202011155005.3 | 申請日: | 2020-10-26 |
| 公開(公告)號: | CN112405352B | 公開(公告)日: | 2021-11-05 |
| 發明(設計)人: | 尚散散;賀賢漢 | 申請(專利權)人: | 上海中欣晶圓半導體科技有限公司 |
| 主分類號: | B24B55/00 | 分類號: | B24B55/00 |
| 代理公司: | 上海申浩律師事務所 31280 | 代理人: | 趙建敏 |
| 地址: | 200444 上*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 改善 拋光 研磨 結晶 方法 | ||
本發明涉及半導體硅片加工技術領域。一種改善拋光頭研磨液結晶的方法,其特征在于,包括如下步驟:步驟一,剪裁精拋研磨布,以精拋研磨布作為拋光頭保護墊;步驟二,拋光頭表面擦拭干凈;步驟三,將剪裁好的拋光頭保護墊粘附在所述拋光頭的上表面。本專利解決了拋光頭結晶造成機械傷不良。解決了拋光頭停機保養困難.提高產能工作效率。
技術領域
本發明涉及半導體硅片加工技術領域,具體涉及一種改善拋光頭研磨液結晶的方法。
背景技術
在半導體硅片鏡面拋光過程中,顆粒的落入無疑是造成機械傷的主要原因,對于鏡面拋光工序來說最易產生大顆粒區域為拋光頭上研磨液結晶。拋光頭結晶長時間堆積,達到一定的厚度在加工產品過程中自然脫落造成機械傷。
傳統研磨頭的保養方法為1)拋光頭停止定盤上鋪上塑料薄膜;2)拆去拋光頭外罩;3)拋光頭涂NaOH藥液腐蝕4小時;4)腐蝕結束后使用純水沖洗拋光頭;5)待拋光頭NaOH藥液沖洗干凈使用刀片刮去未腐蝕掉的研磨劑結晶;6)刀片刮干凈后在使用純水沖洗拋光頭。
通過上述保養方法對拋光頭結晶的清除,常需要大量的人力物力時間停機進行拋光頭結晶清除。
發明內容
針對現有技術存在的問題,本發明提供一種改善拋光頭研磨液結晶的方法,以解決拋光頭上存有研磨液結晶的問題。
本發明的技術方案是:一種改善拋光頭研磨液結晶的方法,其特征在于,包括如下步驟:
步驟一,剪裁精拋研磨布,以精拋研磨布作為拋光頭保護墊;
步驟二,拋光頭表面擦拭干凈;
步驟三,將剪裁好的拋光頭保護墊粘附在所述拋光頭的上表面。
本專利解決了拋光頭結晶造成機械傷不良。解決了拋光頭停機保養困難.提高產能工作效率。改善后拋光頭保養無需每月停機一天做保養,只需要在平時工作中拋光頭保護墊破損污跡更換大約6個月/次。保養方便更換一枚拋光頭保護墊3-5分鐘完成簡單方便。靈活多樣可以適應不同拋光設備拋光頭,靈活裁剪拋光頭大小的保護墊制作防護墊。
進一步優選地,步驟三之后,黏貼完成壓去拋光頭保護墊上氣泡沖洗干凈。
進一步優選地,拋光頭保護墊通過純水沖洗干凈。避免引入雜質。
進一步優選地,所述拋光頭保護墊是一內開圓孔的圓形保護墊。便于匹配拋光頭的結構。
進一步優選地,所述拋光頭保護墊的外徑大于拋光頭外徑,且差值為28mm-32mm。
進一步優選地,所述拋光頭保護墊的內徑與傳動主軸的外徑之間差值為0mm-1mm。
進一步優選地,所述拋光頭保護墊的圓孔的內徑為130mm,所述圓形保護墊的外徑為390mm。
該尺寸適用于拋光頭的外徑為360mm,拋光頭的傳動主軸的外徑為130mm。
進一步優選地,所述拋光頭保護墊上開設有一徑向延伸的割痕。
便于拋光頭保護墊安裝至拋光頭上。
進一步優選地,每5-6個月替換一次拋光頭保護墊。
進一步優選地,步驟二,通過酒精對拋光頭表面擦拭干凈。
附圖說明
圖1為本發明的局部結構示意圖。
圖中,1為拋光頭保護墊,2為拋光頭,3為傳動主軸。
具體實施方式
下面結合附圖對本發明做進一步的說明。
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