[發(fā)明專利]一種提高光阻圖形線寬量測(cè)精度的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011154107.3
• 申請(qǐng)日: 2020-10-26
• 公開（公告）號(hào): CN112230516B
• 公開（公告）日: 2023-06-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 高松;郭曉波;張聰
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海華力集成電路制造有限公司
• 主分類號(hào): G03F7/20
• 分類號(hào): G03F7/20;G03F1/44
• 代理公司: 上海浦一知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211
• 代理人: 戴廣志

1.一種提高光阻圖形線寬量測(cè)精度的方法，其特征在于，該方法至少包括以下步驟：

步驟一、提供光罩，所述光罩上設(shè)有測(cè)試圖形區(qū)，在所述光罩上距離所述測(cè)試圖形區(qū)邊界1～30μm處擺放圖形輔助區(qū)；所述圖形輔助區(qū)為非圖形區(qū)域；

步驟二、利用所述光罩對(duì)晶圓進(jìn)行曝光和顯影，將所述光罩上的所述測(cè)試圖形區(qū)和圖形輔助區(qū)轉(zhuǎn)移至所述晶圓上，所述晶圓上的所述測(cè)試圖形區(qū)與所述圖形輔助區(qū)的位置在光阻以下具有相同的薄膜堆疊；曝光顯影后所述晶圓上的測(cè)試圖形區(qū)由光阻圖形構(gòu)成，所述晶圓上的圖形輔助區(qū)無光阻形成；

步驟三、利用光學(xué)測(cè)量機(jī)臺(tái)對(duì)所述晶圓上的所述測(cè)試圖形區(qū)以及所述圖形輔助區(qū)進(jìn)行量測(cè)，收集所述測(cè)試圖形區(qū)以及所述圖形輔助區(qū)的光譜數(shù)據(jù)；

步驟四、將收集的所述測(cè)試圖形區(qū)以及所述圖形輔助區(qū)的光譜數(shù)據(jù)進(jìn)行差分處理，解析只包含所述光阻圖形的光譜，輸出只包含所述光阻圖形的線寬數(shù)據(jù)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高光阻圖形線寬量測(cè)精度的方法，其特征在于：步驟一中的所述測(cè)試圖形區(qū)作為曝光形成晶圓上的測(cè)試器件所用。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高光阻圖形線寬量測(cè)精度的方法，其特征在于：步驟一中所述光罩上分別設(shè)有兩個(gè)所述測(cè)試圖形區(qū)和兩個(gè)所述圖形輔助區(qū)，其中兩個(gè)所述測(cè)試圖形區(qū)為第一、第二測(cè)試圖形區(qū)；兩個(gè)所述圖形輔助區(qū)為第一、第二圖形輔助區(qū)。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的提高光阻圖形線寬量測(cè)精度的方法，其特征在于：步驟一中的兩個(gè)測(cè)試圖形區(qū)和兩個(gè)圖形輔助區(qū)的形狀都為矩形。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的提高光阻圖形線寬量測(cè)精度的方法，其特征在于：步驟一中的所述第一、第二測(cè)試圖形區(qū)和所述第一、第二圖形輔助區(qū)的位置關(guān)系為：所述第一圖形輔助區(qū)位于所述第一測(cè)試圖形區(qū)的右側(cè)；所述第二圖形輔助區(qū)位于所述第一測(cè)試圖形區(qū)的下方；所述第二測(cè)試圖形區(qū)位于所述第一圖形輔助區(qū)下方、第二圖形輔助區(qū)的右側(cè)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高光阻圖形線寬量測(cè)精度的方法，其特征在于：步驟二中所述晶圓上的所述測(cè)試圖形區(qū)與所述圖形輔助區(qū)的位置在光阻以下具有相同的薄膜堆疊包括：所述晶圓上的所述測(cè)試圖形區(qū)的位置與所述晶圓上的所述圖形輔助區(qū)的位置二者在所述晶圓上具有相同的薄膜層數(shù)、相同的薄膜材料，并且相同材料的薄膜具有相同的膜厚。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高光阻圖形線寬量測(cè)精度的方法，其特征在于：步驟二中的所述光阻圖形由多個(gè)尺寸相同的條形結(jié)構(gòu)間隔排列構(gòu)成。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高光阻圖形線寬量測(cè)精度的方法，其特征在于：步驟四中將收集的所述測(cè)試圖形區(qū)以及所述圖形輔助區(qū)的光譜數(shù)據(jù)進(jìn)行差分處理的方法為二者的差異化比對(duì)。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高光阻圖形線寬量測(cè)精度的方法，其特征在于：步驟三中收集的所述光譜數(shù)據(jù)為光強(qiáng)隨波長的變化曲線。