[發明專利]只讀式存儲單元及其相關的存儲單元陣列

在審

• 申請號: 202011154014.0
• 申請日: 2020-10-26
• 公開（公告）號: CN112802523A
• 公開（公告）日: 2021-05-14
• 發明（設計）人: 孫文堂
• 申請（專利權）人: 力旺電子股份有限公司
• 主分類號: G11C16/04
• 分類號: G11C16/04;G11C17/18;H01L27/11521;H01L27/11531;H01L27/11548
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種只讀式存儲單元的存儲單元陣列，其特征在于，該存儲單元陣列中包括第一存儲狀態存儲單元與第二存儲狀態存儲單元，其中該第一存儲狀態存儲單元包括：

第一晶體管，該第一晶體管的第一端連接至源極線，該第一晶體管的柵極端連接至字符線；以及

第二晶體管，該第二晶體管的第一端連接至該第一晶體管的第二端，該第二晶體管的第二端連接至第一位線，其中該第二晶體管為浮動柵晶體管；

其中，該第二存儲狀態存儲單元包括：

第三晶體管，該第三晶體管的第一端連接至該源極線，該第三晶體管的柵極端連接至該字符線；以及

第四晶體管，該第四晶體管的第一端連接至該第三晶體管的第二端，該第四晶體管的第二端連接至第二位線，該第四晶體管的柵極端連接至該第三晶體管的該柵極端。

2.如權利要求1所述的只讀式存儲單元的存儲單元陣列，其中該第二晶體管的通道長度大于該第四晶體管的通道長度。

3.如權利要求1所述的只讀式存儲單元的存儲單元陣列，其中該存儲單元陣列包括：

N型阱區；

第一p型摻雜區域、第二p型摻雜區域、第三p型摻雜區域、第四p型摻雜區域、第五p型摻雜區域、第六p型摻雜區域，形成于該N型阱區中，其中該第一p型摻雜區域連接至該源極線，該第三p型摻雜區域連接至該第一位線，該第四p型摻雜區域連接至該源極線，該第六p型摻雜區域連接至該第二位線；

第一多晶硅柵極，其中該第一多晶硅柵極位于該第一p型摻雜區域與該第二p型摻雜區域之間的表面上方，該第一多晶硅柵極位于該第四p型摻雜區域與該第五p型摻雜區域之間的表面上方，該第一多晶硅柵極位于該第五p型摻雜區域與該第六p型摻雜區域之間的表面上方，且該第一多晶硅柵極連接至該字符線；以及

第二多晶硅柵極，位于該第二p型摻雜區域與該第三p型摻雜區域之間的表面上方；

其中，該第一多晶硅柵極、該第一p型摻雜區域與該第二p型摻雜區域形成該第一晶體管，該第二多晶硅柵極、該第二p型摻雜區域與該第三p型摻雜區域形成該第二晶體管，該第一多晶硅柵極、該第四p型摻雜區域與該第五p型摻雜區域形成該第三晶體管，該第一多晶硅柵極、該第五p型摻雜區域與該第六p型摻雜區域形成該第四晶體管。

4.如權利要求3所述的只讀式存儲單元的存儲單元陣列，其中該第一存儲狀態存儲單元還包括第一電容器，該第一電容器連接于該第二晶體管的浮動柵極與抹除線之間。

5.如權利要求4所述的只讀式存儲單元的存儲單元陣列，其中該存儲單元陣列還包括：P型阱區連接至該抹除線，其中該第二多晶硅柵極延伸至該P型阱區，使得該第二多晶硅柵極與該P型阱區形成該第一電容器。

6.如權利要求3所述的只讀式存儲單元的存儲單元陣列，其中該第二存儲狀態存儲單元還包括第二電容器，該第二電容器連接于該第四晶體管的該柵極與該抹除線之間。

7.如權利要求6所述的只讀式存儲單元的存儲單元陣列，其中該存儲單元陣列還包括：P型阱區連接至該抹除線，其中該第一多晶硅柵極延伸至該P型阱區，使得該第一多晶硅柵極與該P型阱區形成該第二電容器。

8.一種只讀式存儲單元的存儲單元陣列，其特征在于，該存儲單元陣列中包括第一存儲狀態存儲單元與第二存儲狀態存儲單元，其中該第一存儲狀態存儲單元包括：

第一晶體管，該第一晶體管的第一端連接至源極線，該第一晶體管的柵極端連接至字符線；以及

第一電容器，該第一電容器的第一端連接至該第一晶體管的一第二端，該第一電容器的第二端連接至第一位線；

其中，該第二存儲狀態存儲單元包括：

第二晶體管，該第二晶體管的第一端連接至該源極線，該第二晶體管的柵極端連接至該字符線；以及

第三晶體管，該第三晶體管的第一端連接至該第二晶體管的第二端，該第三晶體管的第二端連接至第二位線，該第三晶體管的柵極端連接至該第二晶體管的該柵極端。