[發明專利]基板處理設備

在審

• 申請號: 202011153994.2
• 申請日: 2020-10-26
• 公開（公告）號: CN112951697A
• 公開（公告）日: 2021-06-11
• 發明（設計）人: 盧載旻;李主日
• 申請（專利權）人: ASMIP私人控股有限公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 焦玉恒

一種基板處理設備，其能夠防止在引入不對稱排放結構時可能發生的排放流偏轉，包括：排放單元，其提供圍繞反應空間的排放空間；以及連接到排放單元的排放端口；和流動控制單元，其設置在排放空間中，其中，排放端口相對于反應空間不對稱地設置，并且該流動控制單元可以包括：上流動控制板，其包括多個第一通孔；下流動控制板，其設置在上流動控制板的下方并包括多個第二通孔。

相關申請的交叉引用

本申請根據35U.S.C.§119基于并要求于2019年11月26日在美國專利和商標局提交的美國申請US62/940,812的權益，其全部內容通過引用并入本文。

技術領域

一個或多個實施例涉及一種基板處理設備，更具體地，涉及一種具有改進的排放結構的基板處理設備。

背景技術

在最近的半導體基板處理設備中，配備有多個單獨反應器的基板處理設備被廣泛用于提高每小時的生產率。與傳統的間歇式爐不同，這種裝置的優點是能夠在精確控制單個基板的同時提高生產率。韓國專利第0782529號公開了這種基板處理設備。

在配備有多個單獨反應器的基板處理設備中，每個反應器的氣體供應和排放系統對于實現過程的可再現性和后續過程的連續性是重要的。例如，當沉積在基板上的薄膜的厚度和均勻性取決于在基板上的位置而不恒定時，并且當偏差嚴重時，可能導致反應器之間的可再現性降低并且后續過程缺陷率增加。

同時，在基板處理設備具有多個單獨的反應器的情況下，每個反應器配備有諸如噴頭的氣體供應裝置。因此，可以均勻地分配供應到反應器中的氣體。然而，通常，由于這種基板處理設備采用不對稱的排放系統，因此導致排放流的偏轉，這導致基板上的最終厚度和薄膜的均勻性的偏轉，而沒有均勻的分布。

發明內容

一個或多個實施例包括一種基板處理設備，該基板處理設備能夠防止在引入不對稱排放結構時可能發生的排放流的偏轉。

另外的方面將在下面的描述中部分地闡述，并且部分地從描述中將是顯而易見的，或者可以通過實踐本公開的所呈現的實施例而獲知。

根據一個或多個實施例，一種基板處理設備包括：排放單元，其提供圍繞反應空間的排放空間；以及連接到排放單元的排放端口；流動控制單元，其設置在排放空間中，其中，排放端口相對于反應空間不對稱地設置，并且該流動控制單元可以包括：上流動控制板，其包括多個第一通孔；下流動控制板，其設置在上流動控制板的下方并包括多個第二通孔。

根據基板處理設備的示例，多個第一通孔可沿具有第一直徑的第一圓周布置，并且多個第二通孔可沿具有大于第一直徑的第二直徑的第二圓周布置。

根據基板處理設備的另一示例，可以在上流動控制板和下流動控制板之間產生從排放空間朝向反應空間的排放流。

根據基板處理設備的另一示例，排放流可以包括：第一排放流，其在與排放端口相鄰的排放空間的第一區域中遠離排放端口移動；第二排放流，在排放空間的與排放端口間隔開的第二區域中被朝向排放端口引導。

根據基板處理設備的另一示例，多個第一通孔的直徑可以大于多個第二通孔的直徑。

根據基板處理設備的另一示例，多個第一通孔的密度可以小于多個第二通孔的密度。

根據基板處理設備的另一示例，多個第一通孔可以被布置為與多個第二通孔交替。

根據基板處理設備的另一示例，上流動控制板可以包括與排放端口相鄰的第一區域和與排放端口分開的第二區域，多個第一通孔中的第一區域的通孔可以沿著具有第三直徑的第三圓周布置，并且多個第一通孔中的第二區域的通孔可以沿著具有大于第三直徑的第四直徑的第四圓周布置。

根據基板處理設備的另一示例，排放單元可以進一步包括：分隔壁，其限定反應空間的側部；平行于分隔壁的外壁；連接壁，其延伸以將分隔壁連接至外壁。