[發明專利]基板處理設備

在審

• 申請號: 202011153994.2
• 申請日: 2020-10-26
• 公開（公告）號: CN112951697A
• 公開（公告）日: 2021-06-11
• 發明（設計）人: 盧載旻;李主日
• 申請（專利權）人: ASMIP私人控股有限公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 焦玉恒

1.一種基板處理設備，包括：

排放單元，提供圍繞反應空間的排放空間；

連接到所述排放單元的排放端口；和

布置在所述排放空間中的流動控制單元，

其中所述排放端口相對于所述反應空間不對稱地設置，并且

所述流動控制單元包括：

上流動控制板，其包括多個第一通孔；和。

下流動控制板，設置在所述上流動控制板的下方，并包括多個第二通孔。

2.根據權利要求1所述的基板處理設備，其中，

所述多個第一通孔沿著具有第一直徑的第一圓周布置，且

所述多個第二通孔沿著具有大于所述第一直徑的第二直徑的第二圓周布置。

3.根據權利要求2所述的基板處理設備，其中，

在所述上流動控制板和所述下流動控制板之間產生從所述排放空間朝向所述反應空間的排放流。

4.根據權利要求3所述的基板處理設備，其中，

所述排放流包括：

第一排放流，所述第一排放流在所述排放空間的鄰近所述排放端口的第一區域中從所述排放端口移開；和

第二排放流，所述第二排放流在所述排放空間的與所述排放端口間隔開的第二區域中被引導向所述排放端口。

5.根據權利要求1所述的基板處理設備，其中，

所述多個第一通孔的直徑不同于所述多個第二通孔的直徑。

6.根據權利要求1所述的基板處理設備，其中，

所述多個第一通孔的密度不同于所述多個第二通孔的密度。

7.根據權利要求1所述的基板處理設備，其中，

所述多個第一通孔設置成與所述多個第二通孔交替。

8.根據權利要求1所述的基板處理設備，其中，

所述上流動控制板包括與所述排放端口相鄰的第一區域和與所述排放端口分開的第二區域，

所述多個第一通孔中的所述第一區域的通孔沿著具有第三直徑的第三圓周布置，并且

所述多個第一通孔中的所述第二區域的第二通孔沿著具有大于所述第三直徑的第四直徑的第四圓周布置。

9.根據權利要求1所述的基板處理設備，其中，

所述排放單元還包括：

分隔壁，其限定所述反應空間的側部；

平行于所述分隔壁的外壁；和

連接壁，其延伸以將所述分隔壁連接至所述外壁。

10.根據權利要求9所述的基板處理設備，其中，

所述上流動控制板和所述下流動控制板中的至少一個布置成接觸所述分隔壁和所述外壁。

11.根據權利要求9所述的基板處理設備，還包括：

被配置為支撐所述排放單元的支撐件，

其中所述反應空間和所述排放空間通過所述分隔壁與所述支撐件之間的間隙彼此連通。

12.根據權利要求11所述的基板處理設備，其中，

所述下流動控制板包括：

在所述分隔壁和所述外壁之間延伸的第一部分；和

從所述第一部分延伸并接觸所述支撐件的第二部分，

其中所述多個第二通孔布置成穿過所述第一部分。

13.根據權利要求11所述的基板處理設備，其中，

所述外壁包括將所述排放單元連接到所述排放端口的開口，并且所述開口在所述間隙上方。

14.根據權利要求13所述的基板處理設備，其中，

所述上流動控制板和所述下流動控制板設置在所述開口和所述間隙之間。