[發明專利]集成電路版圖微縮方法在審
| 申請號: | 202011152838.4 | 申請日: | 2020-10-23 |
| 公開(公告)號: | CN112255882A | 公開(公告)日: | 2021-01-22 |
| 發明(設計)人: | 徐恭銘;李威諭 | 申請(專利權)人: | 泉芯集成電路制造(濟南)有限公司 |
| 主分類號: | G03F1/36 | 分類號: | G03F1/36;G03F7/20 |
| 代理公司: | 北京超凡宏宇專利代理事務所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 張洋 |
| 地址: | 250000 山東省濟南市*** | 國省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 集成電路 版圖 微縮 方法 | ||
本發明提供一種集成電路版圖微縮方法,屬于集成電路制造技術領域。集成電路版圖微縮方法,包括:獲取初始版圖,并對初始版圖內相互接觸的圖形單元進行合并,合并后的相互接觸的圖形單元構成圖形單元組;根據預設微縮比例微縮處理經圖形單元合并后的初始版圖,以得到微縮版圖。能夠減少進行版圖微縮后出現相接觸的圖形單元接觸斷開的情況,提高后續制得的集成電路的制造良率。
技術領域
本發明涉及集成電路制造技術領域,具體而言,涉及一種集成電路版圖微縮方法。
背景技術
隨著半導體集成電路工業的快速發展,在集成電路設計和制造過程中,為了能夠對減小集成電路所占面積,以提高電路效率和制備效率,因此,通常需要對設計好的初始版圖進行一定微縮比例的版圖微縮處理。
通常,采用直接微縮的方式進行版圖微縮,但是此方式會導致版圖中相接觸的圖形單元在微縮之后出現接觸斷開的情況,從而使得根據版圖微縮處理之后的版圖,進行曝光顯影得到的集成電路容易產生不良,制造良率較低。
發明內容
本發明的目的在于提供一種集成電路版圖微縮方法,能夠減少進行版圖微縮后出現相接觸的圖形單元接觸斷開的情況,提高后續制得的集成電路的制造良率。
本發明的實施例是這樣實現的:
本發明實施例的一方面,提供一種集成電路版圖微縮方法,包括:
獲取初始版圖,并對初始版圖內相互接觸的圖形單元進行合并,合并后的相互接觸的圖形單元構成圖形單元組;
根據預設微縮比例微縮處理經圖形單元合并后的初始版圖,以得到微縮版圖。
可選地,在根據預設微縮比例微縮處理經圖形單元合并后的初始版圖,以得到微縮版圖之后,該方法還包括:
對齊微縮版圖內圖形單元的邊緣格點和光刻對準格點。
可選地,該方法還包括:
對初始版圖和/或微縮版圖的圖形單元,進行光學鄰近效應修正。
可選地,光學鄰近效應修正包括基于經驗的光學鄰近效應修正。
可選地,光學鄰近效應修正包括基于模型的光學鄰近效應修正。
可選地,根據預設微縮比例微縮處理經圖形單元合并后的初始版圖,以得到微縮版圖,包括:
根據預設微縮比例,分別對圖形單元及圖形單元組以初始版圖的幾何中心為固定點進行微縮處理。
可選地,對齊微縮版圖內圖形單元的邊緣格點和光刻對準格點,包括:
根據四舍五入計算法對邊緣格點的坐標值進行計算,以將使其轉化為光刻對準格點相應的坐標值。
可選地,對齊微縮版圖內圖形單元的邊緣格點和光刻對準格點,包括:
將邊緣格點的坐標值按照就近原則轉化為光刻對準格點相應的坐標值。
可選地,相互接觸的圖形單元包括首尾相接的至少兩個圖形單元。
可選地,預設微縮比例為85%至98%。
本發明實施例的有益效果包括:
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準或測試的特殊涂層或標記;其制備





