[發明專利]集成電路版圖微縮方法在審
| 申請號： | 202011152838.4 | 申請日： | 2020-10-23 |
| 公開（公告）號： | CN112255882A | 公開（公告）日： | 2021-01-22 |
| 發明（設計）人： | 徐恭銘;李威諭 | 申請（專利權）人： | 泉芯集成電路制造(濟南)有限公司 |
| 主分類號： | G03F1/36 | 分類號： | G03F1/36;G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇專利代理事務所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 張洋 |
| 地址： | 250000 山東省濟南市*** | 國省代碼： | 山東;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 集成電路 版圖 微縮 方法 | ||
1.一種集成電路版圖微縮方法，其特征在于，包括：
獲取初始版圖，并對所述初始版圖內相互接觸的圖形單元進行合并，所述合并后的相互接觸的所述圖形單元構成圖形單元組；
根據預設微縮比例微縮處理經圖形單元合并后的所述初始版圖，以得到微縮版圖。
2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，在根據預設微縮比例微縮處理經圖形單元合并后的所述初始版圖，以得到微縮版圖之后，所述方法還包括：
對齊所述微縮版圖內所述圖形單元的邊緣格點和光刻對準格點。
3.如權利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：
對所述初始版圖和/或所述微縮版圖的圖形單元，進行光學鄰近效應修正。
4.如權利要求3所述的方法，其特征在于，所述光學鄰近效應修正包括基于經驗的光學鄰近效應修正。
5.如權利要求3所述的方法，其特征在于，所述光學鄰近效應修正包括基于模型的光學鄰近效應修正。
6.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述根據預設微縮比例微縮處理經圖形單元合并后的所述初始版圖，以得到微縮版圖，包括：
根據所述預設微縮比例，分別對所述圖形單元及所述圖形單元組以所述初始版圖的幾何中心為固定點進行微縮處理。
7.如權利要求2所述的方法，其特征在于，所述對齊所述微縮版圖內所述圖形單元的邊緣格點和光刻對準格點，包括：
根據四舍五入計算法對所述邊緣格點的坐標值進行計算，以將使其轉化為所述光刻對準格點相應的坐標值。
8.如權利要求2所述的方法，其特征在于，所述對齊所述微縮版圖內所述圖形單元的邊緣格點和光刻對準格點，包括：
將所述邊緣格點的坐標值按照就近原則轉化為所述光刻對準格點相應的坐標值。
9.如權利要求1所述的方法，其特征在于，相互接觸的所述圖形單元包括首尾相接的至少兩個圖形單元。
10.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述預設微縮比例為85％至98％。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝，例如，印刷工藝、半導體器件的加工工藝；其所用材料；其所用原版；其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其專門適用于此的容器；其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如通過電子束；其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜；其制備，例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜，例如用于校準或測試的特殊涂層或標記；其制備
