[發(fā)明專(zhuān)利]高密度引線(xiàn)框架蝕刻方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011146339.4
• 申請(qǐng)日: 2020-10-23
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112331565A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-02-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 熊志
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 泰興市永志電子器件有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/48
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/48
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

高密度引線(xiàn)框架蝕刻方法，涉及半導(dǎo)體集成電路技術(shù)領(lǐng)域。包括如下步驟：S1：對(duì)銅帶進(jìn)行清洗；S2：將干膜擠壓在銅帶上，銅帶分為成品區(qū)和非成品區(qū)，非成品區(qū)的銅帶與干膜之間通過(guò)膠粘接，再通過(guò)紫外光照射形成耐腐蝕的保護(hù)層；S3：將繪制的產(chǎn)品圖形覆蓋在成品區(qū)的保護(hù)層上，再經(jīng)過(guò)曝光、顯影得到抗腐蝕掩膜；S4：將蝕刻液噴淋到銅帶表面進(jìn)行腐蝕，去除未形成抗腐蝕掩膜部位的金屬，再剝離抗腐蝕掩膜得到引線(xiàn)框架；S5、將引線(xiàn)框架周向的非成品區(qū)裁剪去除。本發(fā)明將銅帶分為成品區(qū)和非成品區(qū)，非成品區(qū)通過(guò)膠與干膜粘粘結(jié)，并在產(chǎn)品成型后去除非產(chǎn)品區(qū)，使銅面和干膜更好的貼合，實(shí)現(xiàn)了高精密、低線(xiàn)距產(chǎn)品的正常生產(chǎn)，保證產(chǎn)品質(zhì)量。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體集成電路技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種高密度引線(xiàn)框架蝕刻方法。

背景技術(shù)

引線(xiàn)框架作為一種半導(dǎo)體集成電路的芯片載體，是一種借助于鍵合材料(金絲、鋁絲、銅絲)實(shí)現(xiàn)芯片內(nèi)部電路引出端與外引線(xiàn)的電氣連接，形成電氣回路的關(guān)鍵結(jié)構(gòu)件，它起到了和外部導(dǎo)線(xiàn)連接的橋梁作用，絕大部分的半導(dǎo)體集成塊中都需要使用引線(xiàn)框架，是電子信息產(chǎn)業(yè)中重要的基礎(chǔ)材料，在電子產(chǎn)品中有廣泛的應(yīng)用。

隨著手機(jī)、平板電腦等手持電子產(chǎn)品的市場(chǎng)進(jìn)一步擴(kuò)大，人們對(duì)此類(lèi)設(shè)備的體積、厚度、重量提出了更加苛刻的要求，即薄、輕、散熱好，因此現(xiàn)有引線(xiàn)框架的引線(xiàn)之間的間距小于0.05mm，遠(yuǎn)小于傳統(tǒng)引線(xiàn)框架的012mm間距，因此對(duì)工藝過(guò)程提出了更好的要求。

現(xiàn)有技術(shù)中引線(xiàn)框架的蝕刻工藝過(guò)程主要包括，表面處理、貼膜、曝光、顯影、蝕刻、檢驗(yàn)等工藝過(guò)程，現(xiàn)有技術(shù)中貼膜直接通過(guò)貼膜機(jī)貼附在銅板表面，之間的粘結(jié)性不好，容易產(chǎn)生偏移，從而影響產(chǎn)品質(zhì)量。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的是提供一種高密度引線(xiàn)框架蝕刻方法，可以有效解決背景技術(shù)中的的問(wèn)題。

實(shí)現(xiàn)上述目的的技術(shù)方案是：高密度引線(xiàn)框架蝕刻方法，其特征在于，包括如下步驟：

S1：對(duì)銅帶進(jìn)行清洗，去除表面除塵；

S2：通過(guò)貼膜機(jī)將干膜擠壓在銅帶上，銅帶分為成品區(qū)和非成品區(qū)，非成品區(qū)設(shè)置在成品區(qū)的周向，非成品區(qū)的銅帶與干膜之間通過(guò)膠粘接，再通過(guò)紫外光照射發(fā)生聚合反應(yīng)形成耐腐蝕的保護(hù)層；

S3：將繪制的產(chǎn)品圖形覆蓋在成品區(qū)的保護(hù)層上，再經(jīng)過(guò)曝光、顯影得到滿(mǎn)足尺寸要求的抗腐蝕掩膜，抗腐蝕掩膜預(yù)留蝕刻余量，余量的大小為銅帶厚度的60％-70％；

S4：將蝕刻液噴淋到銅帶表面進(jìn)行腐蝕，去除未形成抗腐蝕掩膜部位的金屬，再剝離抗腐蝕掩膜得到引線(xiàn)框架；

S5、將引線(xiàn)框架周向的非成品區(qū)裁剪去除。

進(jìn)一步地，所述蝕刻液為酸性氯化銅蝕刻液。

進(jìn)一步地，蝕刻液的溫度為40-55°。

進(jìn)一步地，步驟S4中通過(guò)在50-60℃NaOH溶液浸泡使抗腐蝕掩膨脹實(shí)現(xiàn)剝離。

進(jìn)一步地，所述銅帶的厚度為0.1-0.25mm。

本發(fā)明通過(guò)曝光顯影工序、將產(chǎn)品的圖形轉(zhuǎn)移到金屬銅板上，將要蝕刻區(qū)域的保護(hù)，不要的區(qū)域除去保護(hù)膜裸露出金屬部分，再用氯化銅蝕刻液液腐蝕，形成凹凸半刻或者鏤空成型的引線(xiàn)框架，氯化銅蝕刻液具有側(cè)蝕小、易控制、可再生等特點(diǎn)，所以采用氯化銅蝕刻液既能滿(mǎn)足高精度、細(xì)線(xiàn)位引線(xiàn)框架生產(chǎn)的要求，又能兼顧環(huán)保問(wèn)題。

本發(fā)明將銅帶分為成品區(qū)和非成品區(qū)，非成品區(qū)通過(guò)膠與干膜粘粘結(jié)，并在產(chǎn)品成型后去除非產(chǎn)品區(qū)，使銅面和干膜更好的貼合，實(shí)現(xiàn)了高精密、低線(xiàn)距產(chǎn)品的正常生產(chǎn)，保證產(chǎn)品質(zhì)量。

附圖說(shuō)明

圖1為銅帶的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式