[發明專利]高密度引線框架蝕刻方法

在審

• 申請號: 202011146339.4
• 申請日: 2020-10-23
• 公開（公告）號: CN112331565A
• 公開（公告）日: 2021-02-05
• 發明（設計）人: 熊志
• 申請（專利權）人: 泰興市永志電子器件有限公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.高密度引線框架蝕刻方法，其特征在于，包括如下步驟：

S1：對銅帶進行清洗，去除表面除塵；

S2：通過貼膜機將干膜擠壓在銅帶上，銅帶分為成品區和非成品區，非成品區設置在成品區的周向，非成品區的銅帶與干膜之間通過膠粘接，再通過紫外光照射發生聚合反應形成耐腐蝕的保護層；

S3：將繪制的產品圖形覆蓋在成品區的保護層上，再經過曝光、顯影得到滿足尺寸要求的抗腐蝕掩膜，抗腐蝕掩膜預留蝕刻余量，余量的大小為銅帶厚度的60％-70％；

S4：將蝕刻液噴淋到銅帶表面進行腐蝕，去除未形成抗腐蝕掩膜部位的金屬，再剝離抗腐蝕掩膜得到引線框架；

S5、將引線框架周向的非成品區裁剪去除。

2.根據權利要求1所述的高密度引線框架蝕刻方法，其特征在于，所述蝕刻液為酸性氯化銅蝕刻液。

3.根據權利要求1所述的高密度引線框架蝕刻方法，其特征在于，蝕刻液的溫度為40-55°。

4.根據權利要求1所述的高密度引線框架蝕刻方法，其特征在于，步驟S4中通過在50-60℃NaOH溶液浸泡使抗腐蝕掩膨脹實現剝離。

5.根據權利要求1所述的高密度引線框架蝕刻方法，其特征在于，所述銅帶的厚度為0.1-0.25mm。