[發(fā)明專利]功率半導(dǎo)體裝置在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202011146157.7 | 申請(qǐng)日： | 2020-10-23 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN112750801A | 公開(kāi)（公告）日： | 2021-05-04 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 石橋秀俊;木村義孝;江草稔;淺地伸洋;勅使河原一成 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 三菱電機(jī)株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào)： | H01L23/49 | 分類號(hào)： | H01L23/49;H01L25/16 |
| 代理公司： | 北京天昊聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;張?zhí)焓?/td> |
| 地址： | 日本*** | 國(guó)省代碼： | 暫無(wú)信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說(shuō)明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 功率 半導(dǎo)體 裝置 | ||
功率半導(dǎo)體裝置(100)具有：功率半導(dǎo)體元件(10)；控制電路(50)，其對(duì)功率半導(dǎo)體元件(10)進(jìn)行控制；控制基板(51)，其安裝有控制電路(50)；蓋(60)，其以在第1方向(A)上與控制基板(51)的至少一部分重疊的方式配置；以及至少一個(gè)外部連接端子(70)，其具有與控制基板(51)連接的第1部分(71)、與外部設(shè)備連接的第2部分(72)、以及位于第1部分(71)與第2部分(72)之間且與蓋(60)固定的第3部分(73)，第1部分(71)構(gòu)成為壓配合部。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種功率半導(dǎo)體裝置。
背景技術(shù)
作為具有功率半導(dǎo)體元件和對(duì)功率半導(dǎo)體元件的驅(qū)動(dòng)進(jìn)行控制的控制電路的功率半導(dǎo)體裝置，已知有智能功率模塊(Intelligent Power Module，IPM)。IPM還具有：框體，其在內(nèi)部收容功率半導(dǎo)體元件以及控制電路，并且框體由殼體以及蓋構(gòu)成；以及外部連接端子，其插入貫穿于蓋，將控制電路和外部設(shè)備連接。
在日本專利第6455364號(hào)中公開(kāi)了將外部連接端子與控制基板焊接起來(lái)的IPM以及IPM的制造方法，在該IPM的制造方法中，將被焊接起來(lái)的控制基板與外部連接端子的一體物固定于殼體之后，將形成有供外部連接端子插入貫穿的貫通孔的蓋固定于殼體。
在上述IPM的制造方法中，焊接工序比較多。另外，在上述IPM的制造方法中，在將蓋固定于殼體時(shí)，蓋與外部連接端子發(fā)生干擾，外部連接端子以及蓋的至少任一者發(fā)生變形，有可能損害可靠性。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的主要目的在于提供一種功率半導(dǎo)體裝置，該功率半導(dǎo)體裝置的制造方法中的焊接工序數(shù)與現(xiàn)有的IPM的制造方法的焊接工序數(shù)相比減少，并且與現(xiàn)有的IPM相比可靠性高。
本發(fā)明所涉及的功率半導(dǎo)體裝置具有：功率半導(dǎo)體元件；控制電路，其對(duì)功率半導(dǎo)體元件進(jìn)行控制；控制基板，其安裝有控制電路；蓋，其以在第1方向上與控制基板的至少一部分重疊的方式配置；以及至少一個(gè)外部連接端子，其具有與控制基板連接的第1部分、與外部設(shè)備連接的第2部分、以及位于第1部分與第2部分之間且與蓋固定的第3部分，第1部分構(gòu)成為壓配合部。
本發(fā)明的上述以及其它目的、特征、方案以及優(yōu)點(diǎn)將根據(jù)與附圖關(guān)聯(lián)地理解的本發(fā)明所涉及的下面的詳細(xì)說(shuō)明而變得明確。
附圖說(shuō)明
圖1是實(shí)施方式1所涉及的功率半導(dǎo)體裝置的剖面圖。
圖2是實(shí)施方式1所涉及的功率半導(dǎo)體裝置的分解斜視圖。
圖3是實(shí)施方式1所涉及的功率半導(dǎo)體裝置的局部剖面圖。
圖4是表示實(shí)施方式1所涉及的功率半導(dǎo)體裝置的制造方法的一個(gè)工序的剖面圖。
圖5是表示實(shí)施方式1所涉及的功率半導(dǎo)體裝置的制造方法的位于圖4所示的工序后的一個(gè)工序的剖面圖。
圖6是表示實(shí)施方式1所涉及的功率半導(dǎo)體裝置的制造方法的位于圖5所示的工序后的一個(gè)工序的剖面圖。
圖7是實(shí)施方式2所涉及的功率半導(dǎo)體裝置的一部分的斜視剖面圖。
圖8是實(shí)施方式3所涉及的功率半導(dǎo)體裝置的剖面圖。
圖9是實(shí)施方式3所涉及的功率半導(dǎo)體裝置的外部連接端子以及殼體的局部剖面圖。
具體實(shí)施方式
下面，參照附圖說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式。此外，在下面的附圖中，對(duì)于相同或者相當(dāng)?shù)牟糠謽?biāo)注相同的參照編號(hào)，不重復(fù)其說(shuō)明。
實(shí)施方式1.
功率半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于三菱電機(jī)株式會(huì)社，未經(jīng)三菱電機(jī)株式會(huì)社許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202011146157.7/2.html，轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。
