[發明專利]芯片基板及其制作方法

有效

• 申請號: 202011140930.9
• 申請日: 2020-10-22
• 公開（公告）號: CN112993138B
• 公開（公告）日: 2022-02-25
• 發明（設計）人: 王濤
• 申請（專利權）人: 重慶康佳光電技術研究院有限公司
• 主分類號: H01L33/62
• 分類號: H01L33/62;H01L33/44
• 代理公司: 廣州三環專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 熊永強

本申請提供一種芯片基板制作方法，將包含一金屬層的外延結構與一顯示背板鍵合，然后對鍵合后的外延結構中除開金屬層的部分進行刻蝕，以形成多個互相分離的外延層。并在外延層上形成掩膜層，通過在掩膜層的遮蔽下對金屬層進行刻蝕，得到多個相互獨立的金屬層。刻蝕結束后，掩膜層的側邊會形成一金屬膜層，通過將刻蝕完成后的顯示背板放置在一傾斜底座上，使得金屬膜層能夠被刻蝕去除。本申請方法使得在芯片基板制作過程中除去了金屬膜層的殘留能夠避免因金屬膜層而導致的短路現象。本申請還涉及一種由上述方法制備的芯片基板。

技術領域

本發明涉及芯片制造技術領域，特別涉及一種芯片基板的制作方法，以及一種由上述方法制成的芯片基板。

背景技術

在垂直結構的芯片基板制作過程中，通常先通過金屬鍵合的方式將顯示背板和外延結構鍵合后，再對外延結構進行刻蝕。在此過程中，通常先對鍵合后的外延結構進行刻蝕以形成多個相互分離的外延層，并利用離子束干法刻蝕技術(IBE)對金屬層進行分割以得到多個P電極。在分割工藝中，濺射出的金屬碎屑會沿著掩膜層累積并形成附著于掩膜層側面的金屬膜層。累積的金屬膜層無法利用去膠制程去除。

由于上述缺陷的存在，在后期對顯示背板進行鍍膜時，會導致累積的金屬膜層存在的位置不易鍍上鈍化層，或者鍍上的鈍化層在此處極易發生斷裂，導致后續芯片制程中可能出現短路的不良現象。

發明內容

本申請的目的在于解決現有技術的不足，提出了一種芯片基板的制作方法，以去除制作芯片基板的過程中可能出現的金屬膜層，避免造成短路的現象，具體包括如下技術方案：

一種芯片基板制作方法，包括以下步驟：

提供一外延結構；所述外延結構包括一金屬層；

將所述外延結構具有所述金屬層的一面與一顯示背板鍵合；

對鍵合后的所述外延結構進行刻蝕，以形成多個互相分離的外延層；

于各所述外延層上分別形成一掩膜層，并在所述掩膜層的遮蔽下對鍵合后的所述金屬層進行刻蝕；其中，一金屬膜層在刻蝕所述金屬層的過程中形成于所述掩膜層的側面；

將刻蝕完成后的所述顯示背板置于一底座上以對所述掩膜層側面的所述金屬膜層進行刻蝕；其中，所述底座與所述顯示背板接觸的一面相對水平面傾斜。

本申請提供的芯片基板制作方法，通過將所述外延結構上具有所述金屬層的一面與所述顯示背板鍵合，并對所述外延結構進行刻蝕，從而能夠得到多個互相分離的所述外延層。然后通過在各所述外延層上分別形成所述掩膜層，對所述金屬層進行刻蝕，刻蝕后會在所述掩膜層的側面形成所述金屬膜層。本申請方法通過將所述顯示背板放置于傾斜的所述底座上并對所述金屬膜層進行刻蝕，以達到去除所述掩膜層側面上累積形成的所述金屬膜層的目的。本申請芯片基板制作方法在后續的制程中，能夠防止因金屬膜層而導致的后續層結構損壞，從而避免在芯片制程中發生短路的現象。

可選的，在對所述掩膜層側面的所述金屬膜層進行刻蝕的過程中控制所述底座旋轉或搖擺。

控制所述底座并采用旋轉或搖擺的方式來調整其姿態，可以將所述掩膜層的各個側面累積的所述金屬膜層暴露在蝕刻光束下。

可選的，所述底座與所述顯示背板接觸的一面與水平面的夾角β滿足條件：15°≤β≤32°。

所述底座與水平面角度的限制，便于刻蝕去除所述掩膜層邊緣上累積的所述金屬膜層，并能夠保證放置在所述底座上的所述顯示背板的穩定性。

可選的，形成有所述金屬膜層的側面與水平面之間的夾角α為銳角。

形成有所述金屬膜層的側面與水平面之間有夾角α能夠使得濺射的所述金屬膜層的堆積相對集中。

可選的，所述夾角α滿足條件：50°≤α≤75°。