[發(fā)明專利]芯片基板及其制作方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011140930.9
• 申請(qǐng)日: 2020-10-22
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112993138B
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-02-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王濤
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 重慶康佳光電技術(shù)研究院有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/62
• 分類號(hào): H01L33/62;H01L33/44
• 代理公司: 廣州三環(huán)專利商標(biāo)代理有限公司 44202
• 代理人: 熊永強(qiáng)

1.一種芯片基板制作方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供一外延結(jié)構(gòu)；所述外延結(jié)構(gòu)包括一金屬層；

將所述外延結(jié)構(gòu)具有所述金屬層的一面與一顯示背板鍵合；

對(duì)鍵合后的所述外延結(jié)構(gòu)進(jìn)行刻蝕，以形成多個(gè)互相分離的外延層；

于各所述外延層上分別形成一掩膜層，并在所述掩膜層的遮蔽下對(duì)鍵合后的所述金屬層進(jìn)行刻蝕；其中，一金屬膜層在刻蝕所述金屬層的過(guò)程中形成于所述掩膜層的側(cè)面；

將刻蝕完成后的所述顯示背板置于一底座上以對(duì)所述掩膜層側(cè)面的所述金屬膜層進(jìn)行刻蝕；其中，所述底座與所述顯示背板接觸的一面相對(duì)水平面傾斜。

2.如權(quán)利要求1所述的芯片基板制作方法，其特征在于，在對(duì)所述掩膜層側(cè)面的所述金屬膜層進(jìn)行刻蝕的過(guò)程中控制所述底座旋轉(zhuǎn)或搖擺。

3.如權(quán)利要求1所述的芯片基板制作方法，其特征在于，所述底座與所述顯示背板接觸的一面與水平面的夾角滿足條件：15°≤≤32°。

4.如權(quán)利要求1所述的芯片基板制作方法，其特征在于，形成有所述金屬膜層的側(cè)面與水平面之間的夾角α為銳角。

5.如權(quán)利要求4所述的芯片基板制作方法，其特征在于，所述夾角α滿足條件：50°≤α≤75°。

6.如權(quán)利要求1所述的芯片基板制作方法，其特征在于，所述掩膜層的層厚h滿足條件：1μm≤h≤3μm。

7.如權(quán)利要求1所述的芯片基板制作方法，其特征在于，還包括：

去除所述掩膜層，并制作鈍化層覆蓋所述顯示背板；

在所述鈍化層對(duì)應(yīng)所述外延層的位置制作電極。

8.如權(quán)利要求7所述的芯片基板制作方法，其特征在于，所述鈍化層同時(shí)覆蓋所述外延層、所述金屬層以及所述顯示背板。

9.如權(quán)利要求7所述的芯片基板制作方法，其特征在于，在所述鈍化層對(duì)應(yīng)所述外延層的位置制作電極，包括：

圖案化所述鈍化層以露出部分所述外延層；

于露出的所述外延層上沉積一導(dǎo)電材料以制作形成所述電極。