[發(fā)明專利]3D存儲器件及其制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011138054.6
• 申請日: 2020-10-22
• 公開（公告）號: CN112289803A
• 公開（公告）日: 2021-01-29
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 劉隆冬;張珍珍;曾最新;黃海輝;周穎
• 申請（專利權(quán)）人: 長江存儲科技有限責(zé)任公司
• 主分類號: H01L27/1157
• 分類號: H01L27/1157;H01L27/11582
• 代理公司: 北京成創(chuàng)同維知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11449
• 代理人: 蔡純;岳丹丹

1.一種3D存儲器件的制造方法，包括：

在襯底表面形成第一蝕刻停止層；

在所述第一蝕刻停止層上形成第一絕緣疊層結(jié)構(gòu)，所述第一絕緣疊層結(jié)構(gòu)包括交替堆疊的多個層間絕緣層和犧牲層；

形成貫穿所述第一絕緣疊層結(jié)構(gòu)的多個第一通道孔，其中，所述第一通道孔延伸至所述第一蝕刻停止層的表面；

沿著多個第一通道孔刻蝕去除第一蝕刻停止層從而形成多個第一溝道孔，其中，所述第一溝道孔延伸至所述襯底中，以及

在所述第一溝道孔中形成溝道柱。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其中，在形成多個第一溝道孔和在所述第一溝道孔中形成溝道柱的步驟之間，還包括：

在所述第一溝道孔中沉積第三犧牲層；

在所述第一絕緣疊層結(jié)構(gòu)的表面形成第二蝕刻停止層；

在所述第二蝕刻停止層的表面形成第二絕緣疊層結(jié)構(gòu)；

形成貫穿所述第二絕緣疊層結(jié)構(gòu)的多個第三通道孔，其中，所述第三通道孔延伸至所述第二蝕刻停止層的表面；

沿著多個第三通道孔刻蝕去除第二蝕刻停止層從而形成多個第二溝道孔，其中，所述第二溝道孔暴露所述第三犧牲層的表面。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其中，沿著多個第一通道孔刻蝕去除第一蝕刻停止層從而形成多個第一溝道孔的步驟包括：

去除所述第一通道孔底部的所述第一蝕刻停止層，形成暴露所述襯底第二通道孔。

去除部分所述第二通道孔底部的所述襯底，形成延伸至所述襯底中第一溝道孔。

4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的制造方法，其中，所述第一蝕刻停止層和所述第二蝕刻停止層的材料為氧化鋁。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制造方法，其中，采用氣相蝕刻去除所述第一蝕刻停止層。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制造方法，其中，沿著多個第三通道孔刻蝕去除第二蝕刻停止層從而形成多個第二溝道孔的步驟之后，還包括：

去除所述第一溝道孔中的所述第三犧牲層。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其中，在所述溝道孔中形成溝道柱的步驟之后，還包括：

在所述絕緣疊層結(jié)構(gòu)中形成柵線縫隙；

經(jīng)由所述柵線縫隙將所述絕緣疊層結(jié)構(gòu)置換為柵疊層結(jié)構(gòu)。

8.一種3D存儲器件，包括：

襯底；

位于所述襯底上的第一蝕刻停止層；

位于所述第一蝕刻停止層上的第一柵疊層結(jié)構(gòu)；

貫穿所述第一柵疊層結(jié)構(gòu)的柵線縫隙和多個溝道柱；

其中，采用第一蝕刻停止層控制所述多個第一溝道柱的形成過程。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的3D存儲器件，其中，還包括：

位于所述第一柵疊層結(jié)構(gòu)上的第二蝕刻停止層；

位于所述第二蝕刻停止層上的第二柵疊層結(jié)構(gòu)；

貫穿所述第二柵疊層結(jié)構(gòu)的柵線縫隙和多個第二溝道柱；

其中，采用第而蝕刻停止層控制所述多個第二溝道柱的形成過程。

10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的3D存儲器件，其中，所述第一蝕刻停止層和所述第二蝕刻停止層的材料為氧化鋁。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的3D存儲器件，其中，所述第一蝕刻停止層作為絕緣層隔離所述襯底與所述柵疊層結(jié)構(gòu)。