[發明專利]內容可尋址存儲器、陣列及處理器系統

有效

• 申請號: 202011135344.5
• 申請日: 2020-10-21
• 公開（公告）號: CN112259147B
• 公開（公告）日: 2021-09-10
• 發明（設計）人: 楊昌楷;黃瑞鋒
• 申請（專利權）人: 海光信息技術股份有限公司
• 主分類號: G11C15/04
• 分類號: G11C15/04
• 代理公司: 北京超凡宏宇專利代理事務所(特殊普通合伙) 11463
• 代理人: 鐘揚飛

1.一種內容可尋址存儲器，其特征在于，包括存儲單元和與所述存儲單元對應的比較單元，所述存儲單元與所述比較單元連接；

所述存儲單元包括互補的第一存儲節點和第二存儲節點，所述第一存儲節點用于存儲從轉換后援緩沖器TLB獲取的地址信息；

所述比較單元包括四個開關，所述四個開關的開關特性相同，所述四個開關中的至少一個開關為電流導通能力可調節的PMOS管；

所述四個開關包括：第一開關、第二開關、第三開關以及第四開關，所述第一開關的連通端與所述第二開關的連通端串聯于電源與匹配線之間，所述第一開關的控制端與SL線連接，所述第二開關的控制端與所述第一存儲節點連接，其中，所述SL線經反相器與地址總線連接，所述地址總線用于輸出地址信息；

所述第三開關的連通端與所述第四開關的連通端串聯于所述電源與所述匹配線之間，所述第三開關的控制端與SLB線連接，所述第四開關的控制端與第二存儲節點連接，其中，所述SL線與所述SLB線互補；所述PMOS管用于在所述電源與所述匹配線導通時，加速所述電源與所述匹配線的電流傳輸；

所述內容可尋址存儲器，還包括調節電路，所述電流導通能力可調節的PMOS管的襯底偏置電壓受所述調節電路控制。

2.根據權利要求1所述的內容可尋址存儲器，其特征在于，所述第一開關、第二開關、第三開關以及第四開關均為PMOS管，所述第一開關、第二開關、第三開關以及第四開關的襯底偏置電壓均受所述調節電路控制。

3.根據權利要求1所述的內容可尋址存儲器，其特征在于，所述調節電路包括：多個分壓單元、與每個所述分壓單元對應的控制開關以及供電單元；

所述多個分壓單元依次串聯，且所述多個分壓單元串接于所述供電單元與地之間；

所述多個分壓單元中的每個分壓單元均與對應的控制開關并聯，所述控制開關用于在控制信號的控制下，令對應的分壓單元正常工作或短接；

所述可調節的PMOS管的襯底偏置電壓對應的控制信號線與所述調節電路連接于所述供電單元與所述分壓單元之間的目標節點。

4.根據權利要求3所述的內容可尋址存儲器，其特征在于，所述多個分壓單元中的每個分壓單元均為MOS管，所述MOS管的柵極以及漏極相連接作為一端，源極作為另一端；

多個所述MOS管的任意相鄰兩個MOS管中，一個MOS管的柵極以及漏極與另一MOS管的源極連接；

多個所述MOS管中的靠近所述供電單元的MOS管通過源極與所述供電單元連接，多個所述MOS管中的靠近地端的MOS管通過柵極以及漏極與所述地端連接。

5.根據權利要求3所述的內容可尋址存儲器，其特征在于，所述多個控制開關中的每個控制開關均包括PMOS管和NMOS管，所述PMOS管與所述NMOS管并聯，所述PMOS管的柵極與所述NMOS管的柵極連接一對差分控制信號。

6.根據權利要求3所述的內容可尋址存儲器，其特征在于，所述供電單元包括電源和PMOS管；

所述PMOS管的柵極接地，所述PMOS管的源極與所述電源連接，所述PMOS管的漏極與所述多個分壓單元中靠近所述供電單元的分壓單元連接。

7.根據權利要求3所述的內容可尋址存儲器，其特征在于，所述調節電路還包括使能單元，所述使能單元包括一PMOS管和一NMOS管；

所述PMOS管的柵極與使能信號線連接，所述PMOS管的源極與電源連接，所述PMOS管的漏極與所述目標節點連接；

所述NMOS管串接于所述分壓單元與地之間，所述NMOS管的柵極與所述使能信號線連接。