[發明專利]一種硅基液晶器件

在審

• 申請號: 202011134105.8
• 申請日: 2020-10-21
• 公開（公告）號: CN112147812A
• 公開（公告）日: 2020-12-29
• 發明（設計）人: 李愛源;熊培成;吳梓榮;陳嶸;洪俊斌
• 申請（專利權）人: 深圳秋田微電子股份有限公司
• 主分類號: G02F1/1335
• 分類號: G02F1/1335;G02F1/1337
• 代理公司: 深圳市恒申知識產權事務所(普通合伙) 44312
• 代理人: 任哲夫

1.一種硅基液晶器件，其特征在于：包括液晶盒和灌入所述液晶盒的液晶層，所述液晶盒包括導電玻璃和襯底，所述導電玻璃和襯底貼合設置，靠近所述導電玻璃設有第一取向層，靠近所述襯底依次設有像素層、反射光柵層及第二取向層，外部通信光垂直入射，依次經過導電玻璃、第一取向層、液晶層，第二取向層、反射光柵層到達像素層反射。

2.如權利要求1所述的硅基液晶器件，其特征在于：所述反射光柵層包括亞波長光柵層,所述亞波長光柵層的折射率為Na。

3.如權利要求2所述的硅基液晶器件，其特征在于：所述亞波長光柵層的材質為Si₃N₄、Si、Ta₂O₅、ZrO₂及TiO₂中的任意一種。

4.如權利要求2或3所述的硅基液晶器件，其特征在于：所述亞波長光柵層周期尺寸在λ/5-λ之間，λ為入射光波長，所述亞波長光柵層的寬度在100nm-1200nm之間，所述亞波長光柵層的高度在50nm-1200nm之間。

5.如權利要求4所述的硅基液晶器件，其特征在于：所述反射光柵層包括自上而下設置的第一外圍介質層、亞波長光柵層及第二外圍介質層，所述第一外圍介質層高度為h₂，所述第二外圍介質層高度為h₃，其中，h₂和h₃尺寸范圍為0nm-5000nm，還包括第三外圍介質層，所述第三外圍介質層填充于所述亞波長光柵層的空隙區域。

6.如權利要求5所述的硅基液晶器件，其特征在于：所述第一外圍介質層為SiO₂、MgF₂、Si₃N₄、Si、Ta₂O₅、ZrO₂及TiO₂中的任意一種，所述第二外圍介質層為SiO₂、MgF₂、Si₃N₄、Si、Ta₂O₅、ZrO₂及TiO₂中的任意一種，所述所述第三外圍介質層為SiO₂、MgF₂、Si₃N₄、Si、Ta₂O₅、ZrO₂及TiO₂中的任意一種，所述第一外圍介質層、第二外圍介質層及第三外圍介質層的折射率均高于所述亞波長光柵層折射率。

7.如權利要求1所述的硅基液晶器件，其特征在于：所述導電玻璃為硼硅ITO導電玻璃，所述硼硅ITO導電玻璃熱膨脹系數范圍為2.8ppm/℃～6ppm/℃。

8.如權利要求1所述的硅基液晶器件，其特征在于：所述第一取向層為聚酰亞胺或蒸鍍無機物，所述第二取向層為聚酰亞胺或蒸鍍無機物。

9.如權利要求2所述的硅基液晶器件，其特征在于：所述亞波長光柵層為光刻或化學拋光中的任意一種光柵。