[發(fā)明專利]一種重新布線的晶圓級封裝結構及其制備方法

在審

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• 申請日: 2020-10-21
• 公開（公告）號: CN112185927A
• 公開（公告）日: 2021-01-05
• 發(fā)明（設計）人: 于龍杰;殷昌榮
• 申請（專利權）人: 上海艾為電子技術股份有限公司
• 主分類號: H01L23/498
• 分類號: H01L23/498;H01L21/48
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 李婷婷

本發(fā)明提供了一種重新布線的晶圓級封裝結構及其制備方法，包括襯底、依次位于襯底表面的鈍化層、第一重新布線金屬層、第一有機絕緣層和第二重新布線金屬層，襯底表面具有多個引出電極，引出電極與襯底內對應的待封裝的芯片電連接，鈍化層覆蓋引出電極的部分具有暴露出引出電極的第一開口，第一重新布線金屬層通過第一開口與引出電極電連接，第一有機絕緣層具有暴露出第一重新布線金屬層的第二開口，第二重新布線金屬層通過第二開口與第一重新布線金屬層電連接。由于鈍化層的表面為采用CMP工藝處理過的表面，因此，可以直接在鈍化層表面形成第一重新布線金屬層，從而可以取消鈍化層表面的有機絕緣層，進而可以節(jié)省材料，降低封裝成本。

技術領域

本發(fā)明涉及半導體制造技術領域，更具體地說，涉及一種重新布線的晶圓級封裝結構及其制備方法。

背景技術

隨著半導體技術的發(fā)展以及消費電子市場的驅動，封裝技術正在向更輕、更薄、體積更小、電熱性能更優(yōu)良的方向發(fā)展。芯片封裝工藝也由逐個芯片封裝向晶圓片級規(guī)模封裝轉變，而晶圓片級規(guī)模封裝簡稱晶圓級芯片封裝(Wafer Level Chip Scale Packaging，WLCSP)因具有高密度、體積小、可靠性高和電熱性能優(yōu)良等優(yōu)點且滿足封裝工藝的發(fā)展要求，而逐漸成為目前最先進也是最重要的封裝形式之一。

為了使得芯片適用于不同的封裝形式，現有的晶圓級封裝結構都是采用重新布線技術對芯片線路的接點位置進行了改變。目前，晶圓級封裝結構的重新布線層主要為2P2M結構，如圖1所示，該重新布線的晶圓級封裝結構包括襯底11、位于襯底11上的金屬互連層12、鈍化層13、第一有機絕緣層14、第一重新布線金屬層15、第二有機絕緣層16、第二重新布線金屬層17和錫球18，其中，金屬互聯(lián)層12包括依次位于襯底11上的次頂層金屬互連層和頂層金屬互連層。但是，由于該重新布線的晶圓級封裝結構采用了兩層金屬和兩層有機絕緣層來進行重新布線，一方面會影響適用范圍，另一方面會導致封裝結構的封裝成本較高。

發(fā)明內容

有鑒于此，本發(fā)明提供了一種重新布線的晶圓級封裝結構及其制備方法，以降低現有的重新布線的晶圓級封裝結構的封裝成本。

為實現上述目的，本發(fā)明提供如下技術方案：

一種重新布線的晶圓級封裝結構，包括：

襯底，所述襯底內集成有多個待封裝的芯片，所述襯底表面具有多個引出電極，所述引出電極與對應的待封裝的芯片電連接；

位于所述襯底表面的鈍化層，所述鈍化層覆蓋所述引出電極的部分具有第一開口，所述第一開口暴露出所述引出電極，所述鈍化層的表面為采用CMP工藝處理過的表面；

位于所述鈍化層表面的第一重新布線金屬層，所述第一重新布線金屬層通過所述第一開口與所述引出電極電連接；

位于所述第一重新布線金屬層表面的第一有機絕緣層，所述第一有機絕緣層具有第二開口，所述第二開口暴露出所述第一重新布線金屬層；

位于所述第一有機絕緣層表面的第二重新布線金屬層，所述第二重新布線金屬層通過所述第二開口與所述第一重新布線金屬層電連接。

可選地，還包括錫球，所述錫球固定在所述第二重新布線金屬層表面，且與所述第二重新布線金屬層電連接。

可選地，所述鈍化層覆蓋所述引出電極的部分具有多個第一開口，所述多個第一開口均勻排布。

可選地，所述第一開口在所述襯底上的投影的形狀為方形；

所述方形的最短邊長為2um～3um。

可選地，所述第一重新布線金屬層的材料的電阻率小于鋁材料的電阻率。

可選地，所述第一重新布線金屬層的材料為銅；

所述第二重新布線金屬層的材料為銅。