[發(fā)明專利]一種重新布線的晶圓級封裝結(jié)構(gòu)及其制備方法

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• 申請日: 2020-10-21
• 公開（公告）號: CN112185927A
• 公開（公告）日: 2021-01-05
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 于龍杰;殷昌榮
• 申請（專利權(quán)）人: 上海艾為電子技術(shù)股份有限公司
• 主分類號: H01L23/498
• 分類號: H01L23/498;H01L21/48
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 李婷婷

1.一種重新布線的晶圓級封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

襯底，所述襯底內(nèi)集成有多個待封裝的芯片，所述襯底表面具有多個引出電極，所述引出電極與對應(yīng)的待封裝的芯片電連接；

位于所述襯底表面的鈍化層，所述鈍化層覆蓋所述引出電極的部分具有第一開口，所述第一開口暴露出所述引出電極，所述鈍化層的表面為采用CMP工藝處理過的表面；

位于所述鈍化層表面的第一重新布線金屬層，所述第一重新布線金屬層通過所述第一開口與所述引出電極電連接；

位于所述第一重新布線金屬層表面的第一有機絕緣層，所述第一有機絕緣層具有第二開口，所述第二開口暴露出所述第一重新布線金屬層；

位于所述第一有機絕緣層表面的第二重新布線金屬層，所述第二重新布線金屬層通過所述第二開口與所述第一重新布線金屬層電連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓級封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括錫球，所述錫球固定在所述第二重新布線金屬層表面，且與所述第二重新布線金屬層電連接。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓級封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述鈍化層覆蓋所述引出電極的部分具有多個第一開口，所述多個第一開口均勻排布。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的晶圓級封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一開口在所述襯底上的投影的形狀為方形；

所述方形的最短邊長為2um～3um。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓級封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一重新布線金屬層的材料的電阻率小于鋁材料的電阻率。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的晶圓級封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一重新布線金屬層的材料為銅；

所述第二重新布線金屬層的材料為銅。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓級封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述引出電極包括一層或多層次頂層金屬互聯(lián)層。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的晶圓級封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述次頂層金屬互連層的材料為鋁。

9.一種重新布線的晶圓級封裝結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，包括：

提供襯底，所述襯底內(nèi)集成有多個待封裝的芯片，所述襯底表面具有多個引出電極，所述引出電極與對應(yīng)的待封裝的芯片電連接；

在所述襯底表面形成鈍化層，采用CMP工藝對所述鈍化層的表面進行處理，并在所述鈍化層覆蓋所述引出電極的部分形成第一開口，所述第一開口暴露出所述引出電極；

在所述鈍化層表面形成第一重新布線金屬層，所述第一重新布線金屬層通過所述第一開口與所述引出電極電連接；

在所述第一重新布線金屬層表面形成第一有機絕緣層，并在所述第一有機絕緣層上形成第二開口，所述第二開口暴露出所述第一重新布線金屬層；

在所述第一有機絕緣層表面形成第二重新布線金屬層，所述第二重新布線金屬層通過所述第二開口與所述第一重新布線金屬層電連接。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，還包括：

將錫球固定在所述第二重新布線金屬層表面，并使所述錫球與所述第二重新布線金屬層電連接。

11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，在所述鈍化層覆蓋所述引出電極的部分形成第一開口包括：

在所述鈍化層覆蓋所述引出電極的部分形成多個均勻排布的第一開口。