[發明專利]一種原子層沉積裝置及原子層沉積方法

在審

• 申請號: 202011133173.2
• 申請日: 2020-10-21
• 公開（公告）號: CN112176321A
• 公開（公告）日: 2021-01-05
• 發明（設計）人: 徐志斌;馬駿;祝曉釗;馮敏強;廖良生
• 申請（專利權）人: 江蘇集萃有機光電技術研究所有限公司
• 主分類號: C23C16/455
• 分類號: C23C16/455;C23C16/458;C23C16/44
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 胡彬

本發明涉及半導體集成技術領域，尤其涉及一種原子層沉積裝置及原子層沉積方法。所述原子層沉積裝置包括作業載臺和箱體，作業載臺為回轉體，作業載臺的側壁上設置有至少兩個獨立設置的載片腔和用于間隔載片腔的間隔部，載片腔上設置有用于向載片腔內通氣的氣孔；箱體包括回轉體容置部和至少兩個獨立設置在回轉體容置部外側的供源腔，回轉體容置部套設在作業載臺外；作業載臺能夠轉動以使載片腔與供源腔相連通，便于供源腔向載片腔供給前驅體，或使間隔部遮蓋供源腔的開口以隔斷供源腔和載片腔，以便于對載片腔內的基片進行吹掃操作，從而將吹掃操作區和前驅體吸附區隔離開，減少吹掃時間，降低成本；且能夠大大減少顆粒污染，提高產品良品率。

技術領域

本發明涉及半導體集成技術領域，尤其涉及一種原子層沉積裝置及原子層沉積方法。

背景技術

采用原子層沉積技術(Atomic Layer Deposition，簡稱ALD)進行Al₂O₃薄膜工藝研究,獲得85℃低溫Al₂O₃薄膜ALD的最佳工藝條件。目前，通常可利用原子層沉積裝置，例如以三甲基鋁(TMA)和H₂O為前驅體以制備Al₂O₃薄膜，在半導體領域或薄膜封裝領域均有應用。

然而，現有的原子層沉積裝置吹掃清洗時間長，從而造成產品生產周期長，生產成本增加。現有技術中，不同的反應氣體源通常是通在一個腔室內，造成成膜反應發生在腔室內壁或者在腔室的交界處，這些成膜積攢到一定程度會發生破碎脫落，產生較多的微納顆粒，造成產品良率降低。

因此，亟待需要一種原子層沉積裝置以解決上述問題。

發明內容

本發明的目的在于提供一種原子層沉積裝置，便于對基片進行吹掃操作，縮短吹掃時間，節約材料，縮短產品生產周期，降低成本；且能夠大大減少顆粒污染，提高產品良品率。

為實現上述目的，提供以下技術方案：

一方面，提供了一種原子層沉積裝置，包括：

作業載臺，其為回轉體，所述作業載臺的側壁上設置有至少兩個獨立設置的載片腔和用于間隔所述載片腔的間隔部，所述載片腔上設置有氣孔，所述氣孔用于向所述載片腔內通氣以對所述載片腔內的基片進行吹掃操作；

箱體，包括回轉體容置部和至少兩個獨立設置在所述回轉體容置部外側的供源腔，所述回轉體容置部套設在所述作業載臺外，所述供源腔能夠向所述載片腔能夠供給前驅體；

所述作業載臺能夠轉動，以使所述載片腔與所述供源腔相連通，或使所述間隔部遮蓋所述供源腔的開口。

作為所述原子層沉積裝置的可選方案，所述載片腔和所述間隔部均為扇形，所述間隔部的圓心角不小于所述載片腔的圓心角。

作為所述原子層沉積裝置的可選方案，所述供源腔的開口不大于所述載片腔的開口。

作為所述原子層沉積裝置的可選方案，所述供源腔為扇形，所述供源腔的圓心角等于所述載片腔的圓心角。

作為所述原子層沉積裝置的可選方案，至少兩個所述載片腔均勻間隔設置，且至少兩個所述供源腔均勻間隔設置在所述回轉體容置部外側。

作為所述原子層沉積裝置的可選方案，所述原子層沉積裝置還包括上蓋，所述上蓋蓋設在所述作業載臺的頂面上，且所述上蓋上設置有與所述氣孔相連通的進氣管。

作為所述原子層沉積裝置的可選方案，所述原子層沉積裝置還包括下蓋，所述下蓋蓋設在所述作業載臺的底面上，且所述下蓋上設置有與所述氣孔相連通的出氣管。

作為所述原子層沉積裝置的可選方案，所述作業載臺的底面上設置有轉軸，所述下蓋上設置有通孔，所述轉軸能夠從所述通孔處穿出，所述轉軸用于與旋轉驅動器相連接。