[發明專利]一種原子層沉積裝置及原子層沉積方法

在審

• 申請號: 202011133173.2
• 申請日: 2020-10-21
• 公開（公告）號: CN112176321A
• 公開（公告）日: 2021-01-05
• 發明（設計）人: 徐志斌;馬駿;祝曉釗;馮敏強;廖良生
• 申請（專利權）人: 江蘇集萃有機光電技術研究所有限公司
• 主分類號: C23C16/455
• 分類號: C23C16/455;C23C16/458;C23C16/44
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 胡彬

1.一種原子層沉積裝置，其特征在于，包括：

作業載臺(1)，其為回轉體，所述作業載臺(1)的側壁上設置有至少兩個獨立設置的載片腔和用于間隔所述載片腔的間隔部(13)，所述載片腔上設置有氣孔(14)，所述氣孔(14)用于向所述載片腔內通氣以對所述載片腔內的基片進行吹掃操作；

箱體(2)，包括回轉體容置部(21)和至少兩個獨立設置在所述回轉體容置部(21)外側的供源腔，所述回轉體容置部(21)套設在所述作業載臺(1)外，所述供源腔能夠向所述載片腔能夠供給前驅體；

所述作業載臺(1)能夠轉動，以使所述載片腔與所述供源腔相連通，或使所述間隔部(13)遮蓋所述供源腔的開口。

2.根據權利要求1所述的原子層沉積裝置，其特征在于，所述載片腔和所述間隔部(13)均為扇形，所述間隔部(13)的圓心角不小于所述載片腔的圓心角。

3.根據權利要求2所述的原子層沉積裝置，其特征在于，所述供源腔的開口不大于所述載片腔的開口。

4.根據權利要求3所述的原子層沉積裝置，其特征在于，所述供源腔為扇形，所述供源腔的圓心角等于所述載片腔的圓心角。

5.根據權利要求1-4任一項所述的原子層沉積裝置，其特征在于，至少兩個所述載片腔均勻間隔設置，且至少兩個所述供源腔均勻間隔設置在所述回轉體容置部(21)外側。

6.根據權利要求1所述的原子層沉積裝置，其特征在于，所述原子層沉積裝置還包括上蓋(3)，所述上蓋(3)蓋設在所述作業載臺(1)的頂面上，且所述上蓋(3)上設置有與所述氣孔(14)相連通的進氣管(31)。

7.根據權利要求6所述的原子層沉積裝置，其特征在于，所述原子層沉積裝置還包括下蓋(4)，所述下蓋(4)蓋設在所述作業載臺(1)的底面上，且所述下蓋(4)上設置有與所述氣孔(14)相連通的出氣管(41)。

8.根據權利要求1所述的原子層沉積裝置，其特征在于，每個所述供源腔上均設置有進源氣管(24)，所述進源氣管(24)與外界前驅體源相連接，用于向所述供源腔供給前驅體。

9.一種原子層沉積方法，基于權利要求1-8任一項所述的原子層沉積裝置，其特征在于，所述原子層沉積方法包括如下步驟：

在所述載片腔內放入基片；

旋轉所述作業載臺(1)，當所述載片腔與所述供源腔連通時，向所述供源腔內通入前驅體，所述載片腔內的基片吸附前驅體；

繼續旋轉所述作業載臺(1)，當所述供源腔的開口被所述間隔部(13)覆蓋遮擋時，向所述載片腔內通入氣體，以對其內的基片進行吹掃操作。

10.根據權利要求9所述的原子層沉積方法，其特征在于，所述載片腔包括第一載片腔(11)和第二載片腔(12)，所述供源腔包括第一供源腔(22)和第二供源腔(23)，所述原子層沉積方法包括如下步驟：

在所述第一載片腔(11)和所述第二載片腔(12)內放入基片；

旋轉所述作業載臺(1)，當所述第一載片腔(11)與所述第一供源腔(22)連通時，向所述第一供源腔(22)內通入第一前驅體，所述第一載片腔(11)內的基片吸附第一前驅體；

繼續旋轉所述作業載臺(1)，當所有的所述供源腔的開口被所述間隔部(13)覆蓋遮擋時，向所述第一載片腔(11)內通入氣體，以對其內的基片進行吹掃操作；

繼續旋轉所述作業載臺(1)，當所述第一載片腔(11)與所述第二供源腔(23)對應連通時，向所述第二供源腔(23)內通入第二前驅體，所述第一載片腔(11)內的基片吸附第二前驅體；在此過程中，所述第二載片腔(12)與所述第一供源腔(22)相連通，所述第二載片腔(12)內的基片吸附第一前驅體；

繼續旋轉所述作業載臺(1)，當所有的所述供源腔的開口被所述間隔部(13)覆蓋遮擋時，向所述第一載片腔(11)和所述第二載片腔(12)內通入氣體，對所述第一載片腔(11)內的基片和所述第二載片腔(12)內的基片進行吹掃操作；

重復上述步驟，直至完成第二載片腔(12)內的基片吸附第二前驅體以及第二前驅體的吹掃操作。