[發明專利]一種高純氧化硅陶瓷的燒結工藝

在審

• 申請號: 202011132993.X
• 申請日: 2020-10-21
• 公開（公告）號: CN112250427A
• 公開（公告）日: 2021-01-22
• 發明（設計）人: 顏玲富;朱曉玢;鄧曉星;應桂鶴;楊志俊;段翠道;王瑜佳
• 申請（專利權）人: 蘇州晶瓷超硬材料有限公司
• 主分類號: C04B35/10
• 分類號: C04B35/10;C04B35/622;C04B35/645
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種高純氧化硅燒結工藝，其特征在于包括以下步驟：

按照質量百分比稱取如下組分：納米級氧化鋁95wt％～98wt％，氧化鋯0.2wt％～1.0wt％，氧化鈣0.5wt％～1.0wt％，氧化鉬0.3wt％～1.0wt％以及分散劑0.1wt％～2.0wt％；

球磨：將上述的各組分經一級球磨處理、二級球磨處理和三級球磨處理，處理條件為

一級球磨處理：將納米級氧化鋁置于球磨機中，并在轉速為1000-2000r/mins條件下球磨10-30mins，

二級球磨處理：之后加入氧化鋯、氧化鈣以及分散劑在轉速為2000-3000r/mins條件下球磨10-30mins，

三級球磨處理：最后加入氧化鉬在轉速為500-1000r/mins條件下球磨10-30mins；

噴霧造粒：向三級球磨后的混合物中加入消泡劑并在離心式噴霧干燥塔中進行造粒得粒料；

壓制成型：采用干壓成型機將粒料進行壓制成型得氧化鋁陶瓷預制件；

等熱靜壓燒結：將壓制成型的氧化鋁陶瓷預制件置于不銹鋼容器中，并在惰性氣氛中，溫度為200-300℃條件下等熱靜壓處理10-30mins，制得所述高純氧化硅。

2.根據權利要求1所述的高純氧化硅燒結工藝，其特征在于，所述納米級氧化鋁的大小為10-100nm。

3.根據權利要求1所述的高純氧化硅燒結工藝，其特征在于，所述選自分散劑選自硅藻土。

4.根據權利要求1所述的高純氧化硅燒結工藝，其特征在于，所述高純氧化鋁陶瓷抗壓強度≥1000Mpa，抗彎強度≥350MPa。

5.根據權利要求1所述的高純氧化硅燒結工藝，其特征在于，所述等熱靜壓燒結工藝中的惰性氣體選自氦氣。

6.根據權利要求1所述的高純氧化硅燒結工藝，其特征在于，所述等熱靜壓燒結工藝中的壓力為100-500Mpa。

7.根據權利要求1所述的高純氧化硅燒結工藝，其特征在于，所述等熱靜壓燒結工藝中將壓制成型的氧化鋁陶瓷預制件置于不銹鋼容器中，并在惰性氣氛中，溫度為200℃條件下等熱靜壓處理10mins，制得所述高純氧化硅。