[發明專利]一種半導體器件及其安裝結構、封裝模具和制作方法

有效

• 申請號: 202011132876.3
• 申請日: 2020-10-21
• 公開（公告）號: CN112349655B
• 公開（公告）日: 2021-10-19
• 發明（設計）人: 陳鵬;曾心如;周厚德;周俊;王禮維
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H01L23/04
• 分類號: H01L23/04;H01L23/00;H01L23/367;H01L25/10;H01L27/11524;H01L27/11551;H01L27/1157;H01L27/11578;H01L21/50;H01L21/56
• 代理公司: 北京漢之知識產權代理事務所(普通合伙) 11479
• 代理人: 高園園

1.一種半導體器件，其特征在于，包括：

基板，設置有適于安裝芯片組的表面；

至少一芯片組，安裝于所述表面上；

至少一封裝殼體，所述封裝殼體安裝在所述基板上，并罩裝在所述芯片組的外部，所述封裝殼體背離所述基板的一側設置有向背離所述基板側凸出的封裝曲面，所述封裝曲面上設置有安裝面，所述安裝面上與所述芯片組相對應的位置設置有凹陷結構，所述凹陷結構為低于所述安裝面的凹陷結構形式。

2.根據權利要求1中所述的半導體器件，其特征在于，所述半導體器件包括一個所述封裝殼體和多個所述芯片組；所述封裝殼體罩裝在所有的所述芯片組外部，且對應至少一個所述芯片組的位置設置有所述封裝曲面。

3.根據權利要求2中所述的半導體器件，其特征在于，所述封裝殼體上對應每一所述芯片組的位置均設置有所述封裝曲面。

4.根據權利要求1中所述的半導體器件，其特征在于，所述半導體器件包括多個所述封裝殼體和多個所述芯片組；所述封裝殼體安裝在所述基板上，并罩裝在相對應的所述芯片組外部。

5.根據權利要求1中所述的半導體器件，其特征在于，所述封裝曲面為球面或橢球面。

6.根據權利要求1中所述的半導體器件，其特征在于，所述半導體器件還包括設置于所述芯片組外部的保護層。

7.根據權利要求6中所述的半導體器件，其特征在于，所述保護層包覆在所述芯片組的外部，且背離所述基板的一側設置有向背離基板側凸出的緩沖曲面。

8.根據權利要求7中所述的半導體器件，其特征在于，所述緩沖曲面為球面或橢球面。

9.根據權利要求1中所述的半導體器件，其特征在于，所述凹陷結構沿垂直于所述基板方向的投影覆蓋在所述芯片組沿垂直于所述基板方向的投影外部。

10.根據權利要求1中所述的半導體器件，其特征在于，所述凹陷結構為沿垂直于所述基板方向凹陷的凹槽。

11.根據權利要求1中所述的半導體器件，其特征在于，所述凹陷結構為朝向所述基板側凹陷的凹曲面。

12.根據權利要求1中所述的半導體器件，其特征在于，所述凹陷結構周圍的所述安裝面相互連接。

13.根據權利要求1至12中任一項所述的半導體器件，其特征在于，所述封裝殼體外的所述基板上設置有電觸點，所述芯片組的連線與所述電觸點電性連接。

14.根據權利要求1至12中任一項所述的半導體器件，其特征在于，所述半導體器件為3D NAND存儲器。

15.根據權利要求1至12中任一項所述的半導體器件，其特征在于，所述封裝殼體的材料為環氧樹脂塑封料。

16.根據權利要求1至12中任一項所述的半導體器件，其特征在于，所述基板為絕緣材料和導電材料的復合體。

17.一種半導體器件安裝結構，其特征在于，包括第一半導體器件和第二半導體器件；所述第一半導體器件包括：

第一基板，設置有適于安裝芯片組的第一表面；

至少一第一芯片組，安裝于所述第一表面上；

至少一第一封裝殼體，所述第一封裝殼體安裝在所述第一基板上，并罩裝在所述第一芯片組的外部，所述第一封裝殼體背離所述第一基板的一側設置有向背離所述第一基板側凸出的第一封裝曲面；所述第一封裝曲面上設置有第一安裝面，所述第一安裝面上與所述第一芯片組相對應的位置設置有第一凹陷結構；

其中，所述第二半導體器件安裝在所述第一半導體器件的所述第一安裝面上。