[發明專利]封裝襯底和其制造方法在審
| 申請號: | 202011131066.6 | 申請日: | 2020-10-21 |
| 公開(公告)號: | CN113496981A | 公開(公告)日: | 2021-10-12 |
| 發明(設計)人: | 顏尤龍 | 申請(專利權)人: | 日月光半導體制造股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/498 | 分類號: | H01L23/498;H01L21/48;H01L23/31;H01L21/56 |
| 代理公司: | 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287 | 代理人: | 蕭輔寬 |
| 地址: | 中國臺灣高雄市楠梓*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 封裝 襯底 制造 方法 | ||
1.一種封裝襯底,其包括:
電路層,其包括多個導電襯墊;
光學固化介電層,其具有上表面和與所述上表面相對的下表面,其中所述光學固化介電層覆蓋所述電路層,且所述導電襯墊的第一表面至少部分地從所述光學固化介電層的所述上表面暴露;
多個阻擋層,其分別安置在通過所述光學固化介電層暴露的所述導電襯墊的所述第一表面上;和
犧牲層,其安置在所述光學固化介電層上且覆蓋所述阻擋層。
2.根據權利要求1所述的封裝襯底,其中所述導電襯墊的邊緣由所述光學固化介電層覆蓋。
3.根據權利要求1所述的封裝襯底,其中所述電路層包括單層電路層,且所述導電襯墊的第二表面從光學固化介電層的所述下表面暴露,且所述導電襯墊的所述第二表面與所述光學固化介電層的所述下表面實質上共面。
4.根據權利要求1所述的封裝襯底,其中所述電路層包括多層電路層,所述多層電路層包括:
第一子電路層,其包括所述導電襯墊的第一部分,其中所述導電襯墊的所述第一部分具有所述導電襯墊的第二表面;
介電層,其安置在所述光學固化介電層的所述下表面上且部分地覆蓋所述導電襯墊的所述第一部分;和
第二子電路層,其包括所述導電襯墊的第二部分,其中所述導電襯墊的所述第二部分部分地由所述光學固化介電層覆蓋且具有所述導電襯墊的所述第一表面。
5.根據權利要求1所述的封裝襯底,其中所述電路層進一步包括部分地由所述光學固化介電層覆蓋的多個導電跡線,且所述導電跡線和所述導電襯墊的厚度實質上相等且安置在實質上相同水平面處。
6.根據權利要求1所述的封裝襯底,其中所述阻擋層與所述犧牲層之間不存在氣隙。
7.根據權利要求1所述的封裝襯底,其中所述阻擋層的表面低于所述光學固化介電層的所述上表面。
8.根據權利要求1所述的封裝襯底,其中所述阻擋層的表面與所述光學固化介電層的所述上表面實質上共面。
9.根據權利要求1所述的封裝襯底,其中所述阻擋層的表面高于所述光學固化介電層的所述上表面,且所述阻擋層部分地覆蓋所述光學固化介電層的所述上表面。
10.根據權利要求1所述的封裝襯底,其中所述犧牲層的厚度大于所述光學固化介電層的厚度。
11.根據權利要求1所述的封裝襯底,其中所述光學固化介電層的厚度小于約40微米。
12.根據權利要求1所述的封裝襯底,其中所述犧牲層的厚度與所述光學固化介電層的厚度的厚度總和實質上小于約100微米。
13.一種制造封裝襯底的方法,其包括:
形成包括多個導電襯墊的電路層;
形成覆蓋所述導電襯墊的光敏材料;
光學地固化所述光敏材料以形成具有多個開口的光學固化介電層,所述多個開口部分地暴露所述導電襯墊的第一表面;
在所述開口中所述導電襯墊的所述第一表面上形成多個阻擋層;和
在所述光學固化介電層上和所述阻擋層上形成犧牲層。
14.根據權利要求13所述的方法,其中在所述光學固化介電層上和所述阻擋層上形成所述犧牲層包括將在所述阻擋層和所述光學固化介電層上的導電層電鍍作為所述犧牲層。
15.根據權利要求14所述的方法,其中所述導電層電鍍到一厚度以使得所述導電層與所述光學固化介電層的厚度總和實質上小于100微米。
16.根據權利要求14所述的方法,其進一步包括使用所述阻擋層作為蝕刻終止層來蝕刻所述導電層。
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