[發明專利]控制方法和等離子體處理裝置

在審

• 申請號: 202011131045.4
• 申請日: 2020-10-21
• 公開（公告）號: CN112735934A
• 公開（公告）日: 2021-04-30
• 發明（設計）人: 佐藤幹夫;鐮田英紀;池田太郎
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;H01L21/3065
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇

1.一種控制方法，對利用相控陣天線的掃描型的等離子體處理裝置進行控制，該控制方法具有以下工序：

從設置于處理容器的多個部位的觀察窗，對在所述處理容器的內部生成的等離子體的發光進行觀測；

基于觀測到的與所述等離子體的所述發光有關的數據，來計算表示所述等離子體的特性的值在基板上的面內分布；以及

基于計算出的表示所述等離子體的所述特性的值在基板上的面內分布，來對所述等離子體的掃描圖案和/或等離子體密度分布進行校正。

2.根據權利要求1所述的控制方法，其中，

在對所述等離子體的所述掃描圖案和/或等離子體密度分布進行校正的工序中，對從所述相控陣天線中的至少任一個的天線部輸出的功率和/或相位進行控制。

3.根據權利要求1或2所述的控制方法，其中，

在對所述等離子體的所述掃描圖案和/或等離子體密度分布進行校正的工序中，對從所述相控陣天線中的至少任一個的天線部輸出的功率的供給時間進行控制。

4.根據權利要求1～3中的任一項所述的控制方法，其中，

對所述等離子體的所述掃描圖案和/或等離子體密度分布進行校正的工序在處理基板前、所述等離子體處理裝置維護后以及所述等離子體處理裝置使用的制程數據變更后這些時機中的至少任一個時機進行。

5.根據權利要求1～4中的任一項所述的控制方法，其中，

基于在一個基板的處理時觀測到的與所述等離子體的所述發光有關的數據，在該基板的處理后進行處理的基板的最初的工序中進行對所述等離子體的所述掃描圖案和/或等離子體密度分布進行校正的工序。

6.根據權利要求1～5中的任一項所述的控制方法，其中，

表示所述等離子體的所述特性的值為所述等離子體的密度、表示利用所述等離子體處理基板的處理結果的值、利用所述等離子體處理基板的處理率以及所述等離子體的發光強度中的任一個。

7.一種等離子體處理裝置，其具有：

處理容器；

氣體供給部，其向所述處理容器的內部供給氣體；

相控陣天線，其向所述處理容器的所述內部照射電磁波；

發光監視器機構，其從設置于所述處理容器的多個部位的觀察窗，對在所述處理容器內生成的等離子體的發光進行觀測；以及

控制部，其基于所述發光監視器機構觀測到的與所述等離子體的發光有關的數據，計算表示所述等離子體的特性的值在基板上的面內分布，基于計算出的表示所述等離子體的所述特性的值在基板上的面內分布，來對所述等離子體的掃描圖案和/或等離子體密度分布進行校正。