[發明專利]一種光致發光增強型量子點膜在審
| 申請號: | 202011130736.2 | 申請日: | 2020-10-21 |
| 公開(公告)號: | CN112322279A | 公開(公告)日: | 2021-02-05 |
| 發明(設計)人: | 羅培棟;蔡倩;王立超;魏俊峰 | 申請(專利權)人: | 寧波東旭成新材料科技有限公司 |
| 主分類號: | C09K11/02 | 分類號: | C09K11/02 |
| 代理公司: | 慈溪方升專利代理事務所(普通合伙) 33292 | 代理人: | 嚴曉 |
| 地址: | 315321 浙江省*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 光致發光 增強 量子 | ||
一種光致發光增強型量子點膜,包括金屬氧化物阻隔膜、涂布于所述金屬氧化物阻隔膜上的量子點層、涂布于所述量子點層上的水氧阻隔膜,所述的金屬氧化物阻隔膜浸泡到改性溶劑進行去極化,所述的改性溶劑種類為含有鹵素基團的聚合物,浸泡時間為1?5min,浸泡后進行退火處理,然后再在該金屬氧化膜阻隔膜上涂布量子點層。本發明利用改性溶劑對該金屬氧化物薄膜進行化學修飾,調整其表面極性,即通過表面處理去除氧化物阻隔膜上的羥基而生成疏水表面,提高量子點膜的疏水效果。
技術領域
本發明涉及一種光致發光量子點膜。
背景技術
具有量子限域特性的半導體納米晶,又稱量子點,由于其量子尺寸效應而具有獨特的光學和電學性能,如連續可調的發射波長、寬的激發光譜、窄的發射光譜、高的熒光量子產率和光化學穩定性以及抗熒光漂白,使其廣泛應用于發光二極管(LED)、生物檢測、激光器和太陽能電池敏化劑等方面,且在近來取得了重大研究進展。
量子點顯示器是使用量子點作為面板架構的一部分來產生單色光以提供可調原色并提高屏幕效率和性能的裝置。可以通過兩種基本方式實現:光致發光和電致發光。
目前采用量子點膜技術的光致發光技術是目前量子點顯示中較為成熟可靠的技術。但是如何提高光致發光技術中量子點膜的光致發光效率仍是熱點研究問題。因此,目前急需一種光致發光增強型的量子點膜。
發明內容
為了克服現有光致發光量子點膜光致發光效率較低不足,本發明提供一種光致發光增強型量子點膜。
本發明解決其技術問題的技術方案是:一種光致發光增強型量子點膜,包括金屬氧化物阻隔膜、涂布于所述金屬氧化物阻隔膜上的量子點層、涂布于所述量子點層上的水氧阻隔膜,所述的金屬氧化物阻隔膜浸泡到改性溶劑進行去極化,所述的改性溶劑種類為含有鹵素基團的聚合物,浸泡時間為1-5min,浸泡后進行退火處理,然后再在該金屬氧化膜阻隔膜上涂布量子點層。
優選的,金屬氧化物阻隔膜浸泡后的退火溫度為80-150℃,退火時間為5-18min。
優選的,所述金屬氧化物阻隔厚度范圍為5nm-100μm。
優選的,量子點層的厚度范圍10μm-100μm。
優選的,金屬氧化物為ZnO,或TiO2,或Al2O3,或Fe3O4,或ZrO2。
本發明的有益效果在于:利用改性溶劑對該金屬氧化物薄膜進行化學修飾,調整其表面極性,即通過表面處理去除氧化物阻隔膜上的羥基而生成疏水表面,提高量子點膜的疏水效果。與此同時,表面羥基數量的減少,也減少了光致發光淬滅。此外,通過改性溶劑對該金屬氧化物薄膜進行化學修飾,調整其表面極性,從而有助于增加光致發光量子產量。同時提高了光致發光的熱穩定性,在一定溫度范圍內表現出較大的耐溫性。
附圖說明
圖1是本發明的結構示意圖。
具體實施方式
下面結合附圖和具體實施方式對本發明作進一步詳細說明。
實施例一
參照圖1,一種光致發光增強型量子點膜,包括金屬氧化物阻隔膜1、涂布于所述金屬氧化物阻隔膜1上的量子點層2、涂布于所述量子點層2上的水氧阻隔膜3,所述的金屬氧化物阻隔膜1浸泡到改性溶劑進行去極化,所述的改性溶劑為氯甲酸-1-氯乙酯,浸泡時間為1-5min,浸泡后進行退火處理,退火溫度在80-150℃均可,退火時間控制在5-18min。然后再在該金屬氧化膜阻隔膜上涂布量子點層。
推薦將所述金屬氧化物阻隔厚度范圍控制在5nm-100μm、量子點層的厚度范圍控制在10μm-100μm。
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