[發(fā)明專利]發(fā)聲裝置

有效

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• 申請日: 2020-10-21
• 公開（公告）號: CN113132878B
• 公開（公告）日: 2022-08-19
• 發(fā)明（設計）人: 羅炯成;陳文健;張俊羿;梁振宇
• 申請（專利權）人: 知微電子有限公司
• 主分類號: H04R19/02
• 分類號: H04R19/02;H04R1/22;H04R1/28;H04R7/02
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 薛平;周曉飛

本發(fā)明公開了一種發(fā)聲裝置，其包括基底與設置在基底上的至少一芯片。芯片包括至少一振膜與至少一致動元件。振膜包括聯(lián)結板與至少一彈簧結構，彈簧結構連接聯(lián)結板。致動元件用以接收對應輸入音頻信號的驅動信號，以致動振膜。輸入音頻信號與驅動信號具有輸入音頻帶，輸入音頻帶具有一上限，上限位于一最大頻率。彈簧結構位于聯(lián)結板與致動元件之間，振膜具有高于最大頻率的第一共振頻率。

技術領域

本發(fā)明涉及一種發(fā)聲裝置，特別是涉及一種能夠提高音質的發(fā)聲裝置。

背景技術

包括平衡電樞(balance-armature,BA)揚聲器驅動器在內的基于磁體動圈(Magnet and Moving coil,MMC)的發(fā)聲裝置已開發(fā)了數(shù)十年，且許多現(xiàn)代設備仍然藉此來產生聲音。

由于裝置的多種共振頻率落在可聽頻帶內，因此磁體動圈不適合作為真正的寬頻聲源。例如，與振膜及其支撐物相關的共振、與動圈的電感(inductance,L)和振膜支撐物的機械電容(capacitance,C)相關的共振、由后殼內的空氣彈簧和振膜的質量所引起的機械共振、振膜表面的振鈴、或者在平衡電樞揚聲器的情況下，前腔、后腔和通口管(port tube)等的三重共振會落在可聽頻帶內。在磁體動圈的設計中，一些這樣的共振被視為期望的特征，并且進行了巧妙的布置以利用這種共振來增加振膜的位移量并因此產生更高的聲壓位準(sound pressure level,SPL)。

近年來，微機電系統(tǒng)(Micro Electro Mechanical System,MEMS)的微型揚聲器成為另一種發(fā)聲裝置，其利用薄膜壓電(piezoelectric)材料作為致動件以及利用薄單晶硅層作為振膜，并利用半導體工藝。盡管采用了此些材料和工藝，但傳統(tǒng)的磁體動圈的設計思想和實踐方式幾乎盲目地應用于微機電系統(tǒng)的微型揚聲器，而沒有考慮磁體動圈和微機電系統(tǒng)之間的差異。因此，微機電系統(tǒng)的發(fā)聲裝置產品存在缺陷。

因此，需要對現(xiàn)有技術進行改善。

發(fā)明內容

因此，本發(fā)明的主要目的是提供一種能夠提高音質的發(fā)聲裝置。

本發(fā)明的一實施例提供一種發(fā)聲裝置，其包括基底與設置在基底上的至少一芯片。芯片包括至少一振膜與至少一致動元件。振膜包括聯(lián)結板與至少一彈簧結構，彈簧結構連接聯(lián)結板。致動元件用以接收對應輸入音頻信號的驅動信號，以致動振膜。輸入音頻信號與驅動信號具有輸入音頻帶，輸入音頻帶具有一上限，上限位于一最大頻率。彈簧結構位于聯(lián)結板與致動元件之間，振膜具有高于最大頻率的第一共振頻率。

在閱讀了下文繪示有各種附圖的實施例的詳細描述之后，對于所屬領域的技術人員來說，應可清楚明了本發(fā)明的目的。

附圖說明

圖1所示為本發(fā)明一實施例的具有第一類型的芯片的發(fā)聲裝置的俯視示意圖。

圖2所示為本發(fā)明一實施例的具有第一類型的芯片的發(fā)聲裝置的剖面示意圖。

圖3所示為本發(fā)明一實施例的振膜的頻率響應以及輸入音頻帶的示意圖。

圖4所示為本發(fā)明第一實施例的發(fā)聲裝置的俯視示意圖。

圖5所示為沿著圖4的剖面線A-A’的剖面示意圖。

圖6所示為本發(fā)明一實施例的具有不同狹縫的振膜的頻率響應的示意圖。

圖7所示為本發(fā)明第二實施例的發(fā)聲裝置的俯視示意圖。

圖8所示為本發(fā)明第三實施例的發(fā)聲裝置的俯視示意圖。

圖9所示為本發(fā)明第四實施例的發(fā)聲裝置的俯視示意圖。

圖10所示為圖9的中心部分的放大圖。

圖11所示為本發(fā)明第五實施例的發(fā)聲裝置的俯視示意圖。