[發明專利]NAND硬判決參考電平偏移值的配置方法、裝置及SSD設備

有效

• 申請號: 202011126537.4
• 申請日: 2020-10-20
• 公開（公告）號: CN112230856B
• 公開（公告）日: 2022-09-23
• 發明（設計）人: 劉曉健;王嵩
• 申請（專利權）人: 北京得瑞領新科技有限公司
• 主分類號: G06F3/06
• 分類號: G06F3/06
• 代理公司: 北京慧智興達知識產權代理有限公司 11615
• 代理人: 李麗穎

本發明實施例提供了一種NAND硬判決參考電平偏移值的配置方法、裝置及SSD設備，所述方法包括：根據預設的初始參考電平偏移值配置硬判決參考電平，并基于所述硬判決參考電平對存儲空間的存儲數據進行讀取，所述存儲數據中包括有目標編碼數據序列和預設的訓練序列；對所述目標編碼數據序列進行譯碼；若譯碼失敗，則對讀取的所述訓練序列的可靠性狀態參數進行統計；根據統計出的可靠性狀態參數對所述初始參考電平偏移值進行調整配置。本發明實施例提出的NAND硬判決參考電平偏移值的配置方法、裝置及SSD設備，能夠根據存儲介質的實時狀態對參考電平偏移值進行相應調整，以提高數據讀取可靠度。

技術領域

本發明涉及數據存儲技術領域，尤其涉及一種NAND硬判決參考電平偏移值的配置方法、裝置及SSD設備。

背景技術

硬判決參考電平的設置的好壞是決定NAND可靠度的主要因素之一。實際當中，NAND各個存儲狀態的門限電壓分布會隨著PE(擦寫)次數、retention和不同的WL(字線，wordline)而變化。相應地，硬判決參考電平也應當做一定的偏移來保證RBER(原始比特誤碼率，raw bit error rate)在可接受的范圍以內。對于常規的應用場景，可以預先設定好偏移值來應對PE、retention和WL的影響。然而，對于一些特殊的應用場景，或者是對數據可靠度要求很高的情況，預先標定偏移值的方法并不能滿足使用要求。

發明內容

鑒于上述問題，本發明提出了一種NAND硬判決參考電平偏移值的配置方法、裝置及SSD設備，能夠根據存儲介質的實時狀態對參考電平偏移值進行相應調整，以提高數據讀取可靠度。

本發明的一個方面，提供了一種NAND硬判決參考電平偏移值的配置方法，該方法包括：

根據預設的初始參考電平偏移值配置硬判決參考電平，并基于所述硬判決參考電平對存儲空間的存儲數據進行讀取，所述存儲數據中包括有目標編碼數據序列和預設的訓練序列；

對所述目標編碼數據序列進行譯碼；

若譯碼失敗，則對讀取的所述訓練序列的可靠性狀態參數進行統計；

根據統計出的可靠性狀態參數對所述初始參考電平偏移值進行調整配置。

可選地，在根據統計出的可靠性狀態參數對所述初始參考電平偏移值進行調整配置之后，所述方法還包括：

根據調整后的參考電平偏移值配置所述硬判決參考電平，并基于更新后的硬判決參考電平對存儲空間的存儲數據進行讀??；

對當前讀取的目標編碼數據序列進行譯碼；

若譯碼失敗，則再次對讀取的訓練序列的可靠性狀態參數進行統計，并根據統計出的可靠性狀態參數對所述初始參考電平偏移值進行調整配置，直到譯碼成功或參數調整次數大于預設的配置次數閾值。

可選地，在根據預設的初始參考電平偏移值配置硬判決參考電平之前，所述方法還包括：

預先在各數據存儲塊block的每個字線WL上存入預設的數據序列作為訓練序列；或

預先在各數據存儲塊block的每個字線WL內存入預設的數據序列作為訓練序列，且預先在各字線WL的每個page內存入預設的數據序列作為訓練序列；或

預先選取目標block，在所述目標block上的每個或部分字線WL上存入預設的數據序列作為訓練序列。

可選地，所述訓練序列的數據長度為1024字節。

可選地，所述訓練序列采用離線隨機生成方式得到，其比特序列映射為各個存儲符號的概率相等或屬于同一概率區間。

可選地，所述訓練序列在每個WL或page內的存儲位置集中設置或分散設置。