[發(fā)明專利]NAND硬判決參考電平偏移值的配置方法、裝置及SSD設(shè)備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011126537.4
• 申請日: 2020-10-20
• 公開（公告）號: CN112230856B
• 公開（公告）日: 2022-09-23
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 劉曉健;王嵩
• 申請（專利權(quán)）人: 北京得瑞領(lǐng)新科技有限公司
• 主分類號: G06F3/06
• 分類號: G06F3/06
• 代理公司: 北京慧智興達(dá)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11615
• 代理人: 李麗穎

1.一種NAND硬判決參考電平偏移值的配置方法，其特征在于，該方法包括：

預(yù)先在各數(shù)據(jù)存儲塊block的每個字線WL上存入預(yù)設(shè)的數(shù)據(jù)序列作為訓(xùn)練序列；或，預(yù)先在各數(shù)據(jù)存儲塊block的每個字線WL內(nèi)存入預(yù)設(shè)的數(shù)據(jù)序列作為訓(xùn)練序列，且預(yù)先在各字線WL的每個page內(nèi)存入預(yù)設(shè)的數(shù)據(jù)序列作為訓(xùn)練序列；或，預(yù)先選取目標(biāo)block，在所述目標(biāo)block上的每個或部分字線WL上存入預(yù)設(shè)的數(shù)據(jù)序列作為訓(xùn)練序列；

根據(jù)預(yù)設(shè)的初始參考電平偏移值配置硬判決參考電平，并基于所述硬判決參考電平對存儲空間的存儲數(shù)據(jù)進(jìn)行讀取，所述存儲數(shù)據(jù)中包括有目標(biāo)編碼數(shù)據(jù)序列和預(yù)設(shè)的訓(xùn)練序列；

對所述目標(biāo)編碼數(shù)據(jù)序列進(jìn)行譯碼；

若譯碼失敗，則對讀取的所述訓(xùn)練序列的可靠性狀態(tài)參數(shù)進(jìn)行統(tǒng)計，確定各個存儲狀態(tài)的參考電平的偏移方向和程度；

根據(jù)統(tǒng)計出的可靠性狀態(tài)參數(shù)對所述初始參考電平偏移值進(jìn)行調(diào)整配置，以便根據(jù)調(diào)整后的參考電平偏移值配置所述硬判決參考電平。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在根據(jù)統(tǒng)計出的可靠性狀態(tài)參數(shù)對所述初始參考電平偏移值進(jìn)行調(diào)整配置之后，所述方法還包括：

根據(jù)調(diào)整后的參考電平偏移值配置所述硬判決參考電平，并基于更新后的硬判決參考電平對存儲空間的存儲數(shù)據(jù)進(jìn)行讀取；

對當(dāng)前讀取的目標(biāo)編碼數(shù)據(jù)序列進(jìn)行譯碼；

若譯碼失敗，則再次對讀取的訓(xùn)練序列的可靠性狀態(tài)參數(shù)進(jìn)行統(tǒng)計，并根據(jù)統(tǒng)計出的可靠性狀態(tài)參數(shù)對所述初始參考電平偏移值進(jìn)行調(diào)整配置，直到譯碼成功或參數(shù)調(diào)整次數(shù)大于預(yù)設(shè)的配置次數(shù)閾值。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述訓(xùn)練序列的數(shù)據(jù)長度為1024字節(jié)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述訓(xùn)練序列采用離線隨機(jī)生成方式得到，其比特序列映射為各個存儲符號的概率相等或?qū)儆谕桓怕蕝^(qū)間。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述訓(xùn)練序列在每個WL或page內(nèi)的存儲位置集中設(shè)置或分散設(shè)置。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述對讀取的所述訓(xùn)練序列的可靠性狀態(tài)參數(shù)進(jìn)行統(tǒng)計，包括：

統(tǒng)計整個訓(xùn)練序列的RBER，或者具體的RAW error數(shù)目；和/或

統(tǒng)計各個存儲狀態(tài)不同比特位的RBER，或者具體的RAW error數(shù)目。

7.一種NAND硬判決參考電平偏移值的配置裝置，其特征在于，該裝置包括：

處理模塊，用于預(yù)先在各數(shù)據(jù)存儲塊block的每個字線WL上存入預(yù)設(shè)的數(shù)據(jù)序列作為訓(xùn)練序列；或，預(yù)先在各數(shù)據(jù)存儲塊block的每個字線WL內(nèi)存入預(yù)設(shè)的數(shù)據(jù)序列作為訓(xùn)練序列，且預(yù)先在各字線WL的每個page內(nèi)存入預(yù)設(shè)的數(shù)據(jù)序列作為訓(xùn)練序列；

所述處理模塊，還用于根據(jù)預(yù)設(shè)的初始參考電平偏移值配置硬判決參考電平，并基于所述硬判決參考電平對存儲空間的存儲數(shù)據(jù)進(jìn)行讀取，所述存儲數(shù)據(jù)中包括有目標(biāo)編碼數(shù)據(jù)序列和預(yù)設(shè)的訓(xùn)練序列；

譯碼模塊，用于對所述目標(biāo)編碼數(shù)據(jù)序列進(jìn)行譯碼；

統(tǒng)計模塊，用于當(dāng)所述譯碼模塊譯碼失敗時，對讀取的所述訓(xùn)練序列的可靠性狀態(tài)參數(shù)進(jìn)行統(tǒng)計，確定各個存儲狀態(tài)的參考電平的偏移方向和程度；

所述處理模塊，還用于根據(jù)統(tǒng)計出的可靠性狀態(tài)參數(shù)對當(dāng)前的參考電平偏移值進(jìn)行調(diào)整配置，以便根據(jù)調(diào)整后的參考電平偏移值配置所述硬判決參考電平。

8.一種計算機(jī)可讀存儲介質(zhì)，其上存儲有計算機(jī)程序，其特征在于，該程序被處理器執(zhí)行時實現(xiàn)如權(quán)利要求1-6任一項所述方法的步驟。

9.一種SSD設(shè)備，其特征在于，該SSD設(shè)備包括存儲控制器，所述存儲控制器包括存儲器、處理器及存儲在存儲器上并可在處理器上運(yùn)行的計算機(jī)程序，所述處理器執(zhí)行所述程序時實現(xiàn)如權(quán)利要求1-6任一項所述方法的步驟。